公开(公告)号：CN113382535A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110256865.4

申请日：2021-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·莱斯彻基什 ,  陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  G·帕克 ,  K·赵 ,  J·L·富兰克林 ,  类维生

IPC: H05K1/14 ,  H01L23/52

Abstract: 本公开内容总体上涉及堆叠的小型化电子装置及其形成方法。更具体地，本文描述的实施例涉及半导体装置间隔件及其形成方法。本文描述的半导体装置间隔件可以用于形成堆叠的半导体封装组件、堆叠的PCB组件等等。

公开(公告)号：CN113330562A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089669.3

申请日：2019-12-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  曹圭一 ,  P·利安托 ,  徐源辉 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L23/14 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

Abstract: 公开了一种用于使用钼粘附层将聚酰亚胺基板连接至铜晶种层和镀铜附件来制造电气部件的方法。

公开(公告)号：CN111868920A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980019163.5

申请日：2019-02-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  R·胡克 ,  K·赵 ,  傅博诣

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 一种电子器件封装制造的方法，包括：将平坦化液体分配至从基板突出的相邻特征之间的区域中。该平坦化液体随后经处理以在相邻特征之间的区域中提供硬化、基本上固体的材料。一些示例中，平坦化液体能够是用在形成多阶层重分布层中的介电材料或是用于封装半导体芯片的封装树脂材料。示例的平坦化设备包括基板支撑件、液体分配系统、硬化系统、及平坦元件系统，该液体分配系统配置成将平坦化液体分配至基板上，该硬化系统用于硬化该平坦化液体，该平坦元件系统用于压入该平坦化液体中。

公开(公告)号：CN120033074A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510177076.X

申请日：2020-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开涉及用于结构化半导体基板的方法和装置。在一个实施例中，一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后，通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上，以在基板中形成期望的特征，同时抗蚀剂层的未曝光或未烧蚀部分屏蔽基板的其余部分。然后将基板暴露于蚀刻工艺和剥离工艺中以去除抗蚀剂层并释放载体。

公开(公告)号：CN118043957A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066760.5

申请日：2022-08-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  史蒂文·韦尔韦贝克 ,  吉百克·帕克

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/14 ,  H01L23/498

Abstract: 本公开内容与半导体器件和其形成方法相关。更详细而言，本公开内容与具有形成在其上的加强框架的半导体封装器件相关。加强框架的并入改进了半导体封装器件的结构完整性，以减轻翘曲和/或塌陷，同时能够利用更薄的核心基板，从而改进所封装的器件之间的信号完整性和功率输送。

公开(公告)号：CN117561587A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280024508.8

申请日：2022-04-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  T·查克拉博蒂 ,  陈翰文 ,  S·文哈弗贝克

IPC: H01L21/033

Abstract: 本公开关于用于先进晶片级半导体封装中的互连的微通孔结构。本文所述的方法能够形成具有改进的均匀性的高质量、低深宽比微通孔结构，从而促进具有高I/O密度以及改进的带宽和功率的薄且小形状因子半导体器件。

公开(公告)号：CN116207033A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310144800.X

申请日：2016-09-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗曼·古科 ,  陈翰文 ,  史蒂文·韦尔韦贝克 ,  简·德尔马斯

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置间隔器。间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至该底板且从该底板延伸。支撑柱可在从该环形主体的内表面径向向内的位置处耦合至该底板。

公开(公告)号：CN116206947A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211571621.6

申请日：2016-09-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗曼·古科 ,  陈翰文 ,  史蒂文·韦尔韦贝克 ,  简·德尔马斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。

公开(公告)号：CN114787989A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080082028.8

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

公开(公告)号：CN108140546B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201680057046.4

申请日：2016-09-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗曼·古科 ,  陈翰文 ,  史蒂文·韦尔韦贝克 ,  简·德尔马斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂的分量可经配置以浸没该基板。可输送液态CO2至该处理腔室且可将该液态CO2与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容积的的额外液态CO2至该处理腔室，以置换该溶剂。可在该处理腔室中将该液态CO2相转变为超临界CO2，且可通过等温减压该处理腔室及自该处理腔室排出气体CO2来干燥该基板。