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公开(公告)号：CN103771521A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410065185.4
申请日：2014-02-26
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种制备二硫化钨纳米薄片的方法，是通过以下工艺过程实现的：在容积为50mL的高压反应釜里，加入一定量的Li2CO3粉末、直接商业购买的WS2粉体及40mL有机溶剂苯甲醇溶液，将高压反应釜置在200oC温度下保持24-72小时，进行溶剂热反应；真空干燥收集反应产物，将其加入体积比为1:1的去离子水及NN-二甲基甲酰胺混合溶液，连续超声震荡12-24小时，真空干燥并收集最终产物，得到最后分层后的二硫化钨纳米薄片。其特点在于：产物结晶性、分散性较好，对环境污染小，实验方法简单，易于操作、推广。
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公开(公告)号：CN103173738A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310093231.7
申请日：2013-03-22
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种Ga空位可调的GaN纳米结构的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，以高纯Ga2O3粉和NH3气分别作为Ga源和N源，将Ga2O3粉置于陶瓷舟中，将陶瓷舟置于中央加热区，密封水平管式炉，炉内真空度抽至1×10-2Pa以下，通入流量为100sccm的氩气，对管式炉进行加热。温度达到980℃时，通入流量为100-200sccm的氨气并保持3h。停止加热，自然降温至600℃，再次打开加热装置，升温至980℃保持2h。自然冷却到室温，关掉氩气，取出样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀且可控性好，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN102205951B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110091772.7
申请日：2011-04-13
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法，是通过以下工艺过程实现的：用两步化学气相沉积(CVD)方法来制备，第一步，在CVD管式炉中，用无水三氯化铝(AlCl3)作为铝(Al)源，通入氨气(NH3)作为氮(N)源，反应后得到白色片状独立自支撑的AlN纳米棒阵列；第二步，在白色片状AlN纳米棒阵列上镀金(Au)作为催化剂，在CVD管式炉中，用金属镓(Ga)和NH3作为反应源在AlN纳米棒阵列上生长GaN的异质结。本发明所制备材料为氮化铝和氮化镓纳米棒阵列，其特点是：在微观上为纳米棒异质结阵列，在宏观上为独立、自支撑的白色薄片。
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公开(公告)号：CN102432059A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110292468.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积制备ZnO纳米结构的方法，其特征在于通过以下工艺实现：称取一定量的Zn粉（99.9%），置于陶瓷舟内，将陶瓷舟推入内衬有石墨纸的石英管式炉中心；两端密闭，用机械泵抽至0.1Pa,通入氩气洗气30分钟，以10℃/Min的升温速率加热至800℃，同时在氩气管的入口接有一个玻璃瓶（体积2L）,瓶内装有200ml丙酮，氩气在瓶内起泡将丙酮带入石英管与Zn蒸汽反应，氩气流量50sccm,反应2小时，自然冷却至室温；在下游管口处内衬石墨纸上收集样品。本发明的特点在于：工艺简单，无催化剂；产物物相、形貌可控；产量大，成本低，对环境无危害，易于推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102154627A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110023303.1
申请日：2011-01-21
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种制备独立自支撑透明氮化铝纳米晶薄膜的方法，是通过以下工艺过程实现的：将装有一定量无水AlCl3(纯度为质量百分比98％-99％)粉末的陶瓷舟置于长度为100cm的水平管式炉气流方向上游距管口6cm-9cm处，在距陶瓷舟20cm-25cm处放置石英管、陶瓷片等作为产物收集器，密闭管式炉抽真空到2×10-2-10-3Pa，Ar气保护下加热水平管式炉到760℃-900℃后，通入200sccm-300sccm的NH3气反应四小时，Ar气保护下自然冷却到室温，在收集器上得到独立自支撑透明氮化铝薄膜。本发明所制备薄膜为纤锌矿结构氮化铝，其特点是：在微观上为纳米晶阵列，在宏观上为独立、自支撑、透明的氮化铝薄膜。
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公开(公告)号：CN101693528B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910113486.9
申请日：2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnSe单晶纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnSe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.008-1∶0.06的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米-3.0厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉真空度达到3×10-2-6×10-3Pa，加热舟电流为110A-140A保持5-15分钟沉积即可得到ZnSe单晶纳米线。本发明制备出的硒化锌纳米线为单晶态的立方相结构的ZnSe。本发明的特点是：所得的硒化锌单晶纳米线适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀、方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101693550A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910113485.4
申请日：2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后，电阻加热舟通电流为110-180A，保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN108452814A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810316474.5
申请日：2018-04-10
Applicant: 新疆大学
IPC: B01J27/051
Abstract: 本发明公开一种光沉积制备1T@2H-MoS2/Ag的方法：将七钼酸铵和硫脲溶于去离子水中，剧烈搅拌溶液30min，将溶液转移到水热反应釜中，在200℃条件下煅烧24h。冷却至室温后，离心洗涤并收集产物（标记为H1），之后将H1溶解在乙醇中，超声处理后转移到聚四氟乙烯内衬的水热反应釜中，在220℃条件下煅烧8h，将产物洗涤后在60℃下真空干燥，得到1T@2H-MoS2。然后以去离子水为溶剂，加入硝酸银、1T@2H-MoS2、甲醇，在300W氙灯照射下光沉积4小时，离心洗涤后即得到1T@2H-MoS2/Ag。本发明方法使用氙灯照射，操作简单、安全快速，重复性好，低成本，所得样品形貌均匀且具有较高催化活性。
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公开(公告)号：CN106976904A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710238660.7
申请日：2017-04-13
Applicant: 新疆大学
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01B19/02 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开一种三元氧化锌碲化锌碲纳米复合物的制备方法，该方法包括，在不同体积比的水合肼、二乙基四已胺、去离子水的混合溶液分别为10：1.5:10、10：2:10和10:4:10，溶解一定量的氧化锌、亚碲酸钠、聚乙烯比咯烷酮粉末，然后在200℃反应24小时、冷却、洗涤、收集、干燥。最后在400℃的管式炉中退火2小时，即得三元氧化锌碲化锌碲纳米复合物。本发明实验方法简单安全，对设备要求低，成本低，制备的三元氧化锌碲化锌碲样品结晶性和分散性好，产物形貌可控。
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