公开(公告)号：CN109075060A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780016010.6

申请日：2017-03-07

申请人： 日产化学株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

发明人： 桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  堀胜 ,  关根诚

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C08G12/08 ,  C08G65/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。