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公开(公告)号：CN109075060B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201780016010.6
申请日：2017-03-07
申请人： 日产化学株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
IPC分类号： H01L21/3065 , C08G12/08 , C08G65/40 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN109075060A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780016010.6
申请日：2017-03-07
申请人： 日产化学株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
IPC分类号： H01L21/3065 , C08G12/08 , C08G65/40 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。
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公开(公告)号：CN109416332A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780021953.8
申请日：2017-04-05
申请人： 株式会社伯特利 , 国立大学法人名古屋大学
IPC分类号： G01N25/18
摘要： 本发明提供一种即便是具有面内方向和厚度方向上的热扩散率大不相同的各向异性且厚度较厚的测定对象物、也能够以高精度而对热扩散率进行测定的热扩散率测定装置、热扩散率测定方法以及程序。热扩散率测定方法中，使平板状的试样的加热部位H产生周期性地变化的温度波，并且，利用非接触式温度传感器在试样的检测部位S对温度波进行检测。然后，考虑非接触式温度传感器的检测灵敏度分布DS而对检测部位S的温度波的相位滞后量进行检测，利用该相位滞后量而对试样的面内方向上的热扩散率进行测定。
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公开(公告)号：CN109416332B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201780021953.8
申请日：2017-04-05
申请人： 株式会社伯特利 , 国立大学法人名古屋大学
IPC分类号： G01N25/18
摘要： 本发明提供一种即便是具有面内方向和厚度方向上的热扩散率大不相同的各向异性且厚度较厚的测定对象物、也能够以高精度而对热扩散率进行测定的热扩散率测定装置、热扩散率测定方法以及程序。热扩散率测定方法中，使平板状的试样的加热部位H产生周期性地变化的温度波，并且，利用非接触式温度传感器在试样的检测部位S对温度波进行检测。然后，考虑非接触式温度传感器的检测灵敏度分布DS而对检测部位S的温度波的相位滞后量进行检测，利用该相位滞后量而对试样的面内方向上的热扩散率进行测定。
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公开(公告)号：CN102421237A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110221979.1
申请日：2011-07-29
申请人： 国立大学法人名古屋大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/3244 , H05H2001/4622
摘要： 一种既能尽量降低微波的损失又能高效地生成高密度等离子体的等离子体生成装置(100)。具备：微波发生装置(21)，产生微波；中空状的矩形波导管(22)，与所述微波发生装置(21)连接，在微波的传送方向形成为细长状，与该传送方向正交的方向的截面形成矩形；气体供给装置(23)，与矩形波导管(22)连接并朝其内部供给处理气体；天线部(40)，是所述矩形波导管(22)的一部分，将在内部生成的等离子体朝外部放出。天线部(40)在其截面构成为短边的壁(40a)上具有1或多条隙缝孔(41)，由微波使供给至大气压状态的矩形波导管(22)内的处理气体等离子体化，进而从隙缝孔(41)朝外部的被处理体放出。
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