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公开(公告)号：CN111512549B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880052346.2
申请日：2018-11-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；氧化硅层(7)，其设置于支撑基板(3)上；压电性材料基板(1A)，其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。
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公开(公告)号：CN109964405B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780070878.4
申请日：2017-10-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合体，其中，压电性单晶基板6的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，接合层3A的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，沿着压电性单晶基板6与接合层3A的边界，设置有组成为ExO(1‑x)(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89。)的界面层12。
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公开(公告)号：CN114731150A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080005724.9
申请日：2020-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供能够抑制无法通过对接合体的压电性材料基板或支撑基板的接合面的表面形状进行控制来加以抑制的寄生波的结构。接合体具备：支撑基板；压电性材料基板，其由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层，其将支撑基板和压电性材料基板接合，并与压电性材料基板的主面接触。利用X射线反射率法对支撑基板的接合面和压电性材料基板的接合面中的至少一者进行测定，此时将全反射时的信号强度设为1时，在来自接合面的反射光的相对强度I为1.0×10－4以上1.0×10－1以下的范围内，通过下式(1)进行近似。【数学式1】I＝a(2θ)‑b·····(1)(θ为针对接合面的入射角，a为1.0×10－5以上2.0×10－3以下，b为5.0以上9.0以下。)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109964405A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780070878.4
申请日：2017-10-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合体，其中，压电性单晶基板6的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，接合层3A的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，沿着压电性单晶基板6与接合层3A的边界，设置有组成为ExO(1‑x)(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89。)的界面层12。
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公开(公告)号：CN119366110A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380033841.X
申请日：2023-04-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种复合基板，其能够有助于SAW滤波器的高性能化。本发明的实施方式所涉及的复合基板具备：支撑基板，其具有相互对置的上表面及下表面；压电层，其配置于所述支撑基板的所述上表面侧；以及中间层，其配置于所述支撑基板与所述压电层之间，在所述支撑基板的所述上表面侧的端部形成有结晶性比位于所述下表面侧的区域低的低结晶性区域。
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公开(公告)号：CN118476156A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280085524.8
申请日：2022-08-05
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 提供一种耐久性优异的复合基板。本发明的实施方式所涉及的复合基板的制造方法包括：在具有彼此对置的上表面和下表面且在所述下表面设置有电极的压电基板的所述下表面侧形成第一层；通过平坦化处理，使所述第一层的表面起伏超过2nm且为70nm以下；以及在形成有所述第一层的所述压电基板的所述第一层侧接合支撑基板。
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公开(公告)号：CN113906674A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080040401.3
申请日：2020-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将压电性材料基板和包含水晶的支撑基板接合时，使接合强度提高，使得即便减薄压电性材料基板也不会剥离。复合基板7、7A具有：包含水晶的支撑基板4、压电性材料基板1、1A、支撑基板4与压电性材料基板1、1A之间所存在的第一非晶质层5、以及支撑基板4与第一非晶质层5之间所存在的第二非晶质层11。第一非晶质层5含有10～30atom％的硅原子，第二非晶质层11含有1～10atom％的氟原子。
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公开(公告)号：CN111492496A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880052342.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/312 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H03H9/25
Abstract: 在将由铌酸锂等形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，提高接合体的特性。接合体(8、8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1、1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成；以及接合层(7)，其将支撑基板和压电性材料基板接合。接合层(7)的材质为氧化硅。在将接合层(7)分为压电性材料基板侧接合部(7a)和支撑基板侧接合部(7b)时，压电性材料基板侧接合部(7a)中的氮浓度高于支撑基板侧接合部(7b)中的氮浓度。
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