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公开(公告)号：CN112840563B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201980067483.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供一种接合体，将压电性材料基板(1A)经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于支撑基板(3)上。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1A)；第一接合层(4A)，其设置于支撑基板(3)上，且组成为Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)；第二接合层(2A)，其设置于压电性材料基板(1A)上，且组成为Si(1‑y)Oy(0.008≤y≤0.408)；以及非晶质层(7)，其设置于第一接合层(4A)与第二接合层(2A)之间。非晶质层(7)中的氧比率比第一接合层(4A)中的氧比率及第二接合层(2A)中的氧比率高。
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公开(公告)号：CN112272920A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201980034943.7
申请日：2019-04-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 将包含单晶硅的支撑基板接合于压电性单晶基板而得到的接合体中，使用高电阻接合层，且使支撑基板与压电性单晶基板之间的接合强度得到提高。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其包含单晶硅；接合层2A，其设置于支撑基板1与压电性单晶基板4、4A之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有硅原子、氧原子以及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度高于接合层2A内的氧原子的平均浓度。
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公开(公告)号：CN111919385A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201980018675.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L41/09 , H01L41/312
Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板与压电性单晶基板之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。氧比率从接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部向接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部增加或减少。接合层(2A)中的氧比率x的最大值为0.013以上0.666以下，氧比率x的最小值为0.001以上0.408以下。
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公开(公告)号：CN108781064B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201780017368.0
申请日：2017-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/313 , H01L41/337 , H01L41/39 , H03H9/25
Abstract: 在压电性材料基板1上形成接合层3，接合层3包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面4和支撑基板的表面照射中性束A，将接合层的表面和支撑基板的表面活化。将接合层的表面5与支撑基板的表面直接键合。
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公开(公告)号：CN111937306B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201980016922.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板(1)与压电性单晶基板(4、4A)之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x高于：接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部处的氧比率x以及接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部处的氧比率x。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x为0.013以上0.666以下。
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公开(公告)号：CN112243568A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201980036450.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 在包含铌酸锂等的压电性单晶基板4、4A与支撑基板1的接合体5、5A中，抑制加热时的接合体翘曲。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；接合层2A，其设置于压电性单晶基板4、4A上，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有氧原子及氩原子。非晶质层8的中央部中的氧原子的浓度高于非晶质层8的周缘部中的氧原子的浓度。
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公开(公告)号：CN110945787A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880047171.6
申请日：2018-08-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L41/053
Abstract: 提供一种能够将由铌酸锂和/或钽酸锂构成的压电性材料层牢固地接合于由莫来石构成的支撑基板上的微结构。作为解决方案，提供一种具备支撑基板(3)以及压电性材料层(2)的接合体(1)。支撑基板(3)由莫来石构成，压电性材料层(2)的材质为LiAO3，其中，A为选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素。具备：沿着支撑基板(3)与压电性材料层(2)之间的界面而存在的界面层(4)、以及存在于界面层(4)与支撑基板(3)之间的支撑基板侧中间层(5)。界面层(4)以及支撑基板侧中间层(5)分别以选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素、氧、铝和硅作为主成分。
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公开(公告)号：CN110945786A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880047134.5
申请日：2018-08-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/31 , H01L41/337
Abstract: 本发明的课题是提供能够在包含硅铝氧氮陶瓷的支撑基板上牢固地接合包含铌酸锂或钽酸锂的压电性材料层的微结构。本发明的解决手段是提供能够在包含硅铝氧氮陶瓷的支撑基板上牢固地接合包含铌酸锂或钽酸锂的压电性材料层的微结构。接合体具备支撑基板及压电性材料层。支撑基板包含硅铝氧氮陶瓷。压电性材料层的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素)。接合体具备：沿着支撑基板与压电性材料层之间的界面而存在的界面层及在界面层与支撑基板之间所存在的支撑基板侧中间层。界面层及支撑基板侧中间层分别以选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素、氮、氧、铝以及硅为主成分。
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公开(公告)号：CN110945787B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880047171.6
申请日：2018-08-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 提供一种能够将由铌酸锂和/或钽酸锂构成的压电性材料层牢固地接合于由莫来石构成的支撑基板上的微结构。作为解决方案，提供一种具备支撑基板(3)以及压电性材料层(2)的接合体(1)。支撑基板(3)由莫来石构成，压电性材料层(2)的材质为LiAO3，其中，A为选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素。具备：沿着支撑基板(3)与压电性材料层(2)之间的界面而存在的界面层(4)、以及存在于界面层(4)与支撑基板(3)之间的支撑基板侧中间层(5)。界面层(4)以及支撑基板侧中间层(5)分别以选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素、氧、铝和硅作为主成分。
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