公开(公告)号：CN104247031B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化

公开(公告)号：CN105765729A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064634.1

申请日：2014-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  高丸泰 ,  井手启介 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN104094409A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380007460.0

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN103918024A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280048649.X

申请日：2012-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3677 ,  G02F1/136213 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3655 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2330/023 ,  G11C19/28

Abstract: 提供减少功耗的CS驱动方式的液晶显示装置。CS驱动器（500）包括CS移位寄存器（510）和CS输出部（520）。CS移位寄存器（510）基于CS时钟信号CCK输出控制信号（COUT（1）～COUT（m））。CS输出部（520）基于控制信号（COUT（1）～COUT（m））分别输出辅助电容信号（CSS（1）～CSS（m））。在扫描期间（T1）之后设有中止期间（T2）。在中止期间（T2），基于中止期间CS频率（fcck2）的CS时钟信号（CCK）而驱动CS驱动器（500）。中止期间CS频率（fcck2）比扫描期间CS频率（fcck1）低。

公开(公告)号：CN103238177A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201280003994.1

申请日：2012-08-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小川康行 ,  金子诚二 ,  山本薰 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G06F1/3265 ,  G09G3/3618 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/022 ,  G09G2340/0435 ,  G09G2360/18 ,  G09G2370/08

Abstract: 提供能基于发送的指令所包含的视频数据来以较小的功耗显示变化较小的图像的显示装置及其驱动方法。显示定时控制器（31）按照每1帧期间判断在从外部发送的指令中是否包含更新的视频数据。其结果是，在判断为不包含更新的视频数据的情况下，不进行由帧存储器（36）保存的视频数据的读出并停止画面的刷新。另外，在判断为包含更新的视频数据的情况下，读出由帧存储器（36）保存的视频数据并进行画面的刷新。

公开(公告)号：CN108174620B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201680060325.6

申请日：2016-10-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  中野文树

IPC: H01Q3/34 ,  H01Q23/00 ,  G02F1/13 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线具有：TFT基板(104)，其具有第一电介质基板(51)、多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、及多个贴片电极；插槽基板(204)，其具有第二电介质基板(1)、及形成于第二电介质基板的第一主表面上的插槽电极(55)；液晶层，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板，以隔着电介质层而与第二电介质基板(1)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置，插槽电极(55)具有对应于多个贴片电极而配置的多个插槽(57)和将插槽电极(55)分割成两个以上的部分(55S)的凹槽(84)，TFT基板(104)具有与凹槽(84)相对配置的相对金属部(91)，从第一电介质基板的法线方向观察时，凹槽(84)由遍及其宽度方向的相对金属部(91)覆盖。

公开(公告)号：CN108140945B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201680058659.X

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  大类贵俊

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单元U的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)而与第二电介质基板(51)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置；插槽电极具有分别对应于贴片电极而配置的插槽，贴片电极分别连接于对应的TFT的漏极，在由从对应的TFT的栅极总线供给的扫描信号所选择的期间内，从对应的源极总线供给数据信号，施加到贴片电极的电压的极性反转的频率为300Hz以上。

公开(公告)号：CN107210534B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201680006409.1

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  大类贵俊 ,  森重恭 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC: H01Q13/22 ,  H01L29/786 ,  H01P1/18 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44

Abstract: TFT基板(101)具有排列在电介质基板(1)上的多个天线单位区域(U)，包含发送接收区域和非发送接收区域，发送接收区域包含多个天线单位区域，非发送接收区域位于发送接收区域以外的区域，多个天线单位区域(U)各自具备：薄膜晶体管(10)；第1绝缘层(11)，其覆盖薄膜晶体管，且具有将薄膜晶体管(10)的漏极电极(7D)露出的第1开口部(CH1)；以及贴片电极(15)，其形成在第1绝缘层(11)上和第1开口部(CH1)内，电连接到薄膜晶体管的漏极电极(7D)，贴片电极(15)包含金属层，金属层的厚度大于薄膜晶体管的源极电极(7S)和漏极电极(7D)的厚度。

公开(公告)号：CN108140946A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059376.7

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  中野文树 ,  大类贵俊

IPC: H01Q3/34 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q19/06

Abstract: 扫描天线(1000B)具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，扫描天线(1000B)具有多个扫描天线部分(1000Ba)～(1000Bd)贴合的拼接结构，多个扫描天线部分的每一个具有TFT基板部分及插槽基板部分，多个扫描天线部分在与相邻的扫描天线部分接合的边处，包含具有TFT基板部分比插槽基板部分突出的边的扫描天线部分和具有插槽基板部分比TFT基板部分突出的边的扫描天线部分。

公开(公告)号：CN104094386B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201380007483.1

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  松尾拓哉 ,  内田诚一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/40 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。