公开(公告)号：CN105762195B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610124804.1

申请日：2016-03-04

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 谢应涛

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/44 ,  H01L21/467 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该制备方法包括以下步骤：提供一基板；在基板上依次形成缓冲层、氧化物膜层、栅极绝缘层和第一金属层；采用一道光罩分别对第一金属层、栅极绝缘层、氧化物膜层进行图形化处理，形成栅极、图形化的栅极绝缘层、氧化物有源层。在本发明的制造方法中，对于氧化物有源层和栅极等膜层结构，采用先沉积、后分别刻蚀的方法，仅需使用一道光罩，即可完成对氧化物有源层和栅极等膜层结构的图形化处理过程。由于能够减少使用光罩的数量，因此本发明能够简化工艺制程、节省工艺时间，有效降低生产成本。

公开(公告)号：CN104536170B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510001238.0

申请日：2015-01-04

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 孙勇 ,  唐先珍 ,  钱志禹 ,  闫龙 ,  张骏 ,  祝道成 ,  王伟

IPC分类号： G02F1/13

CPC分类号： B32B43/006 ,  B32B3/10 ,  B32B7/00 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B37/12 ,  B32B38/10 ,  B32B2457/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/44 ,  H01L21/70 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供了一种去除集成电路的方法及装置，属于显示技术领域。其中，去除集成电路的装置，用于去除显示面板上的集成电路，所述装置包括：用于与所述显示面板相接触并对所述显示面板进行加热的加热单元；用于夹取加热后的所述显示面板上的集成电路的可伸缩夹取组件。本发明的技术方案能够在不破坏显示面板的情况下将集成电路从显示面板上去除，并能够提高去除集成电路的效率。

公开(公告)号：CN106024638A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610576516.X

申请日：2016-07-20

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 刘洋

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/44 ,  H01L21/786 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板(10)上形成有源层(20)；在基板(10)上同时形成与有源层(20)的两端分别接触的源极(30)和漏极(40)以及覆盖有源层(20)、源极(30)和漏极(40)的绝缘层(50)；在绝缘层(50)上同时形成栅极(60)以及覆盖栅极(60)的钝化层(70)。本发明还提供了一种利用该制作方法制作的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管可以在常温下进行，从而实现不耐高温的柔性基板上制备薄膜晶体管的目的，甚至不需要PECVD等昂贵的设备，能够大大降低柔性显示制造的工艺成本。

公开(公告)号：CN105374748A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510659395.0

申请日：2015-10-13

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 刘洋

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28229 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管基板的制作方法及制得的薄膜晶体管基板。本发明的薄膜晶体管基板的制作方法，利用光阻图案作为掩膜，将金属层通过阳极氧化技术直接氧化作为栅极绝缘层或钝化层，同时形成栅电极或源/漏电极图形，整个制作工艺在常温下进行，可在不耐高温的柔性基底上制作，适用于柔性显示技术，不需要耐高温的柔性基板，也不需要使用昂贵的化学气相沉积等高温制程设备，能够大大降低柔性显示器制造的工艺成本。本发明制得的薄膜晶体管基板电学性能优良，适用于柔性显示器。

公开(公告)号：CN104536170A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510001238.0

申请日：2015-01-04

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 孙勇 ,  唐先珍 ,  钱志禹 ,  闫龙 ,  张骏 ,  祝道成 ,  王伟

IPC分类号： G02F1/13

CPC分类号： B32B43/006 ,  B32B3/10 ,  B32B7/00 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B37/12 ,  B32B38/10 ,  B32B2457/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/44 ,  H01L21/70 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1309 ,  G09G3/006 ,  G09G3/36

摘要： 本发明提供了一种去除集成电路的方法及装置，属于显示技术领域。其中，去除集成电路的装置，用于去除显示面板上的集成电路，所述装置包括：用于与所述显示面板相接触并对所述显示面板进行加热的加热单元；用于夹取加热后的所述显示面板上的集成电路的可伸缩夹取组件。本发明的技术方案能够在不破坏显示面板的情况下将集成电路从显示面板上去除，并能够提高去除集成电路的效率。

公开(公告)号：CN104347677A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410367506.6

申请日：2014-07-29

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 洪性珍 ,  安炳喆 ,  高永周 ,  南宇镇 ,  谷领介

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/44 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7818 ,  H01L29/7869 ,  H01L2227/323

摘要： 提供了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括：形成在基板上的栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上以与所述栅极电极交叠的半导体层，所述半导体层包括沟道区域以及源极区域和漏极区域，所述源极区域和漏极区域分别从所述沟道区域向横向端部延伸并被导电化；形成在所述沟道区域上并暴露所述源极区域和漏极区域的蚀刻阻止层；与所暴露的源极区域的一部分接触的源极电极；和与所暴露的漏极区域的一部分接触的漏极电极。

公开(公告)号：CN102254917B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201110189950.X

申请日：2011-07-07

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 张骢泷

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L27/1259 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/44 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606

摘要： 本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板及其制法。所述阵列基板包含薄膜晶体管及补偿电极。所述薄膜晶体管的栅极电极为扫描信号线的一部分并具有一开口，所述开口延伸至扫描信号线的一侧边。所述薄膜晶体管的漏极电极位置对应所述开口。所述薄膜晶体管的源极电极自数据信号线的一侧边延伸出并环绕漏极电极。补偿电极自扫描信号线的另一侧边延伸出而对应栅极电极。因此，本发明可减少漏极电极与栅极电极之间的寄生电容而不提高扫描信号线的阻值。

公开(公告)号：CN102918661A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180025525.5

申请日：2011-05-24

申请人： 安可太阳能股份有限公司

发明人： B·M·巴索尔

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/22 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 一种形成与含Cd和Te的化合物膜表面的欧姆接触的方法，所述膜可以例如在光伏电池中发现。所述方法包括：在所述含Cd和Te的化合物膜的表面上形成富Te层；在所述富Te层上沉积界面层；以及在所述界面层上敷设接触层。所述界面层由Zn和Cu的金属形式构成。

公开(公告)号：CN102820330A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210025075.6

申请日：2012-02-01

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 王盛民 ,  安基完 ,  尹柱善 ,  金起弘

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L27/1259 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/44 ,  H01L21/467 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

摘要： 氧化物半导体器件包括位于衬底上栅极；位于衬底上的栅绝缘层，栅绝缘层具有在栅极之上的凹陷结构；位于栅绝缘层的第一部分上的源极；位于栅绝缘层的第二部分上的漏极；以及位于源极和漏极上的有源图案，该有源图案填充凹陷结构。

公开(公告)号：CN102694006A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210078793.X

申请日：2012-03-23

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/477 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。