公开(公告)号：CN104851789B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201510308890.7

申请日：2015-06-08

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 杨维 ,  刘翔

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7866 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

摘要： 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法以及显示装置，该薄膜晶体管的制作方法包括：形成有源层、栅极、分别与所述有源层电连接的源极和漏极、以及位于所述栅极和所述有源层之间的栅极绝缘层，使得所述栅极、所述源极和所述漏极在同一次构图工艺中形成。该方法可以减少薄膜晶体管或阵列基板制作过程中掩膜板的使用数量，节省工艺流程，提高产能，降低生产成本。

公开(公告)号：CN107851562A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680039913.1

申请日：2016-07-06

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 马克·R·亚玛多 ,  威廉·戴维斯·李 ,  吉莲·雷诺

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31766 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

摘要： 本发明公开用于选择性处理工件的特定部分的系统及方法。举例而言，可通过朝工件上的第一位置引导离子束来处理外部部分，其中离子束在两个第一定位处延伸超过工件的外边缘。接着使工件相对于离子束而绕工件的中心旋转，以使外部部分的某些区暴露至离子束。接着使工件相对于离子束移动至第二位置并在相反的方向上旋转，以使外部部分的所有区暴露至离子束。可将此过程重复进行多次。所述离子束可实行任意工艺，例如离子植入、蚀刻、或沉积。

公开(公告)号：CN107107028A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580073142.3

申请日：2015-12-02

申请人： 纽麦特科技公司

发明人： 保罗·卫-曼·西乌 ,  米切尔·休·韦斯顿

IPC分类号： B01J20/26 ,  B01J20/30 ,  C07F1/08 ,  C07F3/06 ,  C07F7/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/425

CPC分类号： C23C16/4402 ,  B01J20/226 ,  B01J20/26 ,  C07F1/08 ,  C07F3/06 ,  C07F7/003 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/425 ,  Y02C20/30

摘要： 一种包括金属有机架构MOF和多孔有机聚合物POP的多孔材料，其具有与(a)电子气体的反应性或对其的吸附亲和性，从而基本上除去或减少含有电子气体的流出物中的电子气体；或具有与电子气体流中的(b)污染物的反应性或对其的吸附亲和性，从而基本上从电子气体流中除去所述污染物且增大所述电子气体的纯度；或具有与烃流中的(c)痕量汞污染物的反应性或对其的吸附亲和性，从而基本上除去所述汞污染物以及增大所述烃流的纯度。MOF是金属离子与多齿有机配位体的配位产物，而POP是有机单体之间的聚合产物。

公开(公告)号：CN103782376B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280043331.2

申请日：2012-08-02

申请人： 株式会社田村制作所

发明人： 佐佐木公平

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/425 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/36

摘要： 本发明提供能够在Ga2O3系单晶体中形成具有优异导电性的区域的、使用了离子注入法的Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法。通过如下方法来控制Ga2O3系单晶体（1）的供体浓度，所述方法包括：利用离子注入法向Ga2O3系单晶体（1）导入第IV族元素作为供体杂质，在Ga2O3系单晶体（1）中形成第IV族元素的浓度比未注入第IV族元素的区域高的供体杂质注入区域（3）的工序，和通过800℃以上的退火处理，从而使供体杂质注入区域（3）中的第IV族元素活化而形成高供体浓度区域的工序。

公开(公告)号：CN102376714B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201110233033.7

申请日：2011-08-05

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 井上广树 ,  加藤清 ,  松崎隆德 ,  长塚修平

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4091 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/425 ,  H01L21/441 ,  H01L21/477 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及半导体装置及其驱动方法。提供一种具有非易失性存储单元的半导体装置，该非易失性存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管以及电容元件。通过使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源电极(或漏电极)、电容元件的一方电极、读出用晶体管的栅电极彼此电连接的节点，然后，通过使写入用晶体管成为截止状态，使节点保持预定量的电荷，以对存储单元写入信息。另外，作为读出用晶体管使用p沟道型晶体管，而将读出电位设定为正的电位。

公开(公告)号：CN104701177A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310673659.9

申请日：2013-12-10

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 赵猛

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/425 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/0847

摘要： 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底内形成第一掺杂区；在所述栅极结构两侧的衬底内形成应力层，所述应力层的厚度小于第一掺杂区的深度，所述第一掺杂区的底部包围所述应力层的底部，所述应力层内具有第二掺杂区，所述第二掺杂区和第一掺杂区构成源区和漏区。所形成的晶体管性能提高。

公开(公告)号：CN1679153A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820085.6

申请日：2003-06-06

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森 ,  韦德·A·克鲁尔

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/425 ,  H01L21/823842

摘要： 本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N－型及P－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。

公开(公告)号：CN105981143B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201480075198.8

申请日：2014-09-08

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 龟山悟 ,  岩崎真也 ,  堀内佑树 ,  大木周平

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明涉及一种半导体装置，其中，在沿着半导体基板的厚度方向而对在半导体基板(12)的表面上露出的第一导电型区域(38)中的第一导电型杂质的浓度分布进行观察时，从表面侧起形成有极大值N1、极小值N2、极大值N3、浓度N4，并满足N1＞N3＞N2＞N4的关系，且满足N3/10＞N2的关系，从表面起至具有极大值N1的深度(D1)为止的距离a与从具有极大值N1的深度(D1)起至具有极小值N2的深度(D2)为止的距离b的2倍相比较大。

公开(公告)号：CN105070729A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510549808.X

申请日：2015-08-31

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘广辉 ,  周斌

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/015

CPC分类号： H01L27/1248 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134381 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/15 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明提供一种阵列基板和显示装置，用于解决现有技术中氧化物有源层受光线的照射，导致薄膜晶体管的I-V曲线发生漂移的问题。本发明的阵列基板和显示装置由于薄膜晶体管氧化物有源层上方的光吸收层，所述光吸收层用于防止所述氧化物有源层受光线的照射，不会导致薄膜晶体管的I-V曲线发生漂移，解决氧化物半导体薄膜晶体管的光稳定性问题。

公开(公告)号：CN104851810A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510155886.1

申请日：2011-03-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/383 ,  H01L21/425 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/383 ,  H01L21/425

摘要： 所公开的发明的一种方式是一种半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：形成第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行氧掺杂处理来对第一绝缘膜供给氧；在第一绝缘膜上形成源电极、漏电极及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；在氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。利用该制造方法可以形成具有稳定的电特性及高可靠性的包括氧化物半导体的半导体装置。