中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

29 records (took 0.047 seconds)

    半导体装置制造方法
    21.
    发明公开
    半导体装置制造方法 无效

    公开(公告)号：CN112956020A

    公开(公告)日：2021-06-11

    申请号：CN201980070246.7

    申请日：2019-10-18

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 辻直子

    IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 本发明提供在经过其中制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中，适于在实现大的晶片层叠数的同时效率良好地制造半导体装置的方法。在本发明的方法中，形成至少两个具有层叠结构的晶片层叠体，所述层叠结构包含具有元件形成面及背面的多个晶片，且在相邻晶片间以使元件形成面与背面相对的方式取向；在各晶片层叠体中形成贯通电极，所述贯通电极从晶片层叠体中位于层叠方向一端的第1晶片的元件形成面侧至超过位于另一端的第2晶片的元件形成面的位置贯穿着晶片层叠体内而延伸；通过对第2晶片的背面侧进行磨削而使贯通电极在该背面侧露出；将经过该露出化工序后的两个晶片层叠体层叠并接合，同时在该晶片层叠体间将贯通电极电连接。

    半导体装置制造方法
    22.
    发明公开
    半导体装置制造方法 有权

    公开(公告)号：CN112913015A

    公开(公告)日：2021-06-04

    申请号：CN201980070240.X

    申请日：2019-10-18

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 辻直子

    IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 本发明提供在经过其中制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中适于在抑制晶片层叠体的翘曲的同时将薄晶片多层化的方法。本发明的方法包括：准备工序、薄化工序、接合工序、移除工序、及多层化工序。在准备工序中，准备具有层叠结构的加强晶片，所述层叠结构包含具有元件形成面及与其相反的背面的晶片、支撑基板、以及在所述晶片的所述元件形成面侧与所述支撑基板之间的用于形成临时粘接状态的临时粘接剂层。

    半导体装置的制造方法
    23.
    发明公开
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN112204738A

    公开(公告)日：2021-01-08

    申请号：CN201980036187.1

    申请日：2019-05-27

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 辻直子

    IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/07

    Abstract: 本发明提供一种适于在隔着粘接剂层接合而多层化的半导体元件间实现低的布线电阻的半导体装置的制造方法。本发明的方法如下所述。首先，准备包含具有电路形成面(10a)的晶片(10)、具有主面(20a)及背面(20b)的晶片(20)、以及含有SiOC类聚合物的粘接剂层(30)的晶片层叠体(W)。接下来，在晶片层叠体(W)中，利用通过掩蔽晶片(20)的主面(20a)侧的一部分的掩模图案从晶片(20)侧进行的蚀刻处理，形成贯通晶片(20)和粘接剂层(30)到达晶片(10)中的布线图案(12b)的孔(H)。接下来，在孔(H)的内面形成绝缘膜(41)。接下来，将孔(H)的底面上的绝缘膜(41)除去。接下来，对晶片层叠体(W)实施清洗处理(氧等离子体处理和/或Ar溅射处理)。接下来，在孔(H)中形成导电部。

    固化性组合物
    24.
    发明授权
    固化性组合物 有权

    公开(公告)号：CN107709400B

    公开(公告)日：2020-05-12

    申请号：CN201680035277.5

    申请日：2016-06-07

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 辻直子 ,  田中洋己 ,  山川章 ,  芝本明弘 ,  原田伸彦

    IPC: C08G59/32 ,  B32B27/00 ,  B32B27/38 ,  C08L83/06 ,  C09J7/30 ,  C09J11/06 ,  C09J183/06

    Abstract: 本发明提供一种固化性组合物，其可以形成成膜性优异、在低温下进行固化、耐热性、耐开裂性、对被粘接体的粘接性及密合性优异的固化物。本发明的固化性组合物为含有聚有机倍半硅氧烷(A)的固化性组合物，其中，聚有机倍半硅氧烷(A)含有重均分子量为3000以上的含环氧基的聚有机倍半硅氧烷(a‑1)和重均分子量为2500以下的含环氧基的聚有机倍半硅氧烷(a‑2)，所述(a‑1)和(a‑2)的合计含量为聚有机倍半硅氧烷(A)总量的50重量％以上，且所述(a‑1)和(a‑2)的含量之比(重量比：前者/后者)为10/90～70/30。

    固化性组合物、粘接片、固化物、叠层物、粘接片的制造方法及装置
    25.
    发明授权
    固化性组合物、粘接片、固化物、叠层物、粘接片的制造方法及装置 有权

    公开(公告)号：CN107683299B

    公开(公告)日：2020-04-07

    申请号：CN201680035123.6

    申请日：2016-06-13

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 田中洋己 ,  辻直子 ,  山川章

    IPC: C08G59/20 ,  B32B27/00 ,  C09J7/30 ,  C09J163/00 ,  C09J183/04

    Abstract: 提供一种固化性组合物，其可以通过进行固化而形成相对于被粘接体的粘接性及密合性优异的固化物。一种固化性组合物，其含有下述式(X)表示的化合物(A)或聚合稳定剂(B)，并含有聚有机倍半硅氧烷，(X)[r1：4～20的整数。L：含有环氧基、氧杂环丁烷基或乙烯基醚基的基团。R11、R12：任选具有取代基的烃基。s1：1～3的整数。t1：0～2的整数(s1+t1＝3)。R13、R14：氢原子或任选具有取代基的烃基]、所述聚有机倍半硅氧烷为数均分子量1000～3000、分子量分散度1.0～3.0，具有下述式(1)表示的结构单元、下述式(I)表示的结构单元和下述式(II)表示的结构单元的比例为5以上，相对于硅氧烷结构单元的总量，下述式(1)表示的结构单元及下述式(4)表示的结构单元的比例为55～100摩尔％。[R1SiO3/2](1)[RaSiO3/2](I)[RbSiO2/2(ORc)](II)[R1SiO2/2(ORc)](4)[R1：含有环氧基的基团。Ra、Rb：含有环氧基的基团、取代或无取代的芳基、取代或无取代的芳烷基、取代或无取代的环烷基、取代或无取代的烷基、取代或无取代的烯基、或者氢原子。Rc：氢原子或碳原子数1～4的烷基。]

    粘接剂组合物、固化物、叠层体以及装置
    26.
    发明公开
    粘接剂组合物、固化物、叠层体以及装置 有权

    公开(公告)号：CN110651016A

    公开(公告)日：2020-01-03

    申请号：CN201880032558.4

    申请日：2018-05-16

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 芝本明弘 ,  前谷臣治 ,  西田一博 ,  宇佐大辅 ,  山川章 ,  辻直子

    IPC: C09J183/07 ,  B32B27/00 ,  C08G77/20 ,  C09J5/06 ,  C09J11/06

    Abstract: 本发明提供一种粘接剂组合物，其可以在低温下固化而形成绝缘性、耐热性和粘接性优异的固化物。本发明的粘接剂组合物含有聚有机倍半硅氧烷(A)，所述聚有机倍半硅氧烷(A)具有下述式(1)表示的结构单元，其中，下述式(1)[R1SiO3/2](式(1)中，R1表示包含自由基聚合性基团的基团)表示的结构单元和下述式(2)[R1SiO2/2(OR2)](式(2)中，R1同上，R2表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基)表示的结构单元相对于硅氧烷结构单元的总量(100摩尔％)的比例为55～100摩尔％，该聚有机倍半硅氧烷(A)的数均分子量为1500～50000，分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为1.0～4.0。

    半导体叠层用粘接剂组合物
    27.
    发明授权
    半导体叠层用粘接剂组合物 失效

    公开(公告)号：CN105579546B

    公开(公告)日：2019-02-22

    申请号：CN201480052923.X

    申请日：2014-09-25

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 田中洋己 ,  中口胜博 ,  堤圣晴 ,  伊藤洋介 ,  辻直子

    IPC: C09J163/00 ,  C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 本发明提供一种半导体叠层用粘接剂组合物，其在涂布后，通过加热干燥，在低于50℃时不具有粘接性，通过在可抑制半导体芯片损伤的温度下的加热而显现粘接性，然后，迅速地固化而形成粘接剂层。本发明的半导体叠层用粘接剂组合物含有聚合性化合物(A)、阳离子聚合引发剂(B1)及/或阴离子聚合引发剂(B2)及溶剂(C)。聚合性化合物(A)：含有80重量％以上的软化点或熔点为50℃以上的环氧化合物；阳离子聚合引发剂(B1)：在3,4‑环氧环己基甲基(3,4‑环氧)环己烷羧酸酯100重量份中添加1重量份而得到的组合物在130℃下的热固化时间为3.5分钟以上；阴离子聚合引发剂(B2)：在双酚A二缩水甘油醚100重量份中添加1重量份而得到的组合物在130℃下的热固化时间为3.5分钟以上。

    固化性组合物、粘接片、固化物、叠层物、粘接片的制造方法及装置
    28.
    发明公开
    固化性组合物、粘接片、固化物、叠层物、粘接片的制造方法及装置 有权

    公开(公告)号：CN107683299A

    公开(公告)日：2018-02-09

    申请号：CN201680035123.6

    申请日：2016-06-13

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 田中洋己 ,  辻直子 ,  山川章

    IPC: C08G59/20 ,  B32B27/00 ,  C09J7/30 ,  C09J163/00 ,  C09J183/04

    Abstract: 提供一种固化性组合物，其可以通过进行固化而形成相对于被粘接体的粘接性及密合性优异的固化物。一种固化性组合物，其含有下述式(X)表示的化合物(A)或聚合稳定剂(B)，并含有聚有机倍半硅氧烷，(X)[r1：4～20的整数。L：含有环氧基、氧杂环丁烷基或乙烯基醚基的基团。R11、R12：任选具有取代基的烃基。s1：1～3的整数。t1：0～2的整数(s1+t1＝3)。R13、R14：氢原子或任选具有取代基的烃基]、所述聚有机倍半硅氧烷为数均分子量1000～3000、分子量分散度1.0～3.0，具有下述式(1)表示的结构单元、下述式(I)表示的结构单元和下述式(II)表示的结构单元的比例为5以上，相对于硅氧烷结构单元的总量，下述式(1)表示的结构单元及下述式(4)表示的结构单元的比例为55～100摩尔％。[R1SiO3/2](1)[RaSiO3/2](I)[RbSiO2/2(ORc)](II)[R1SiO2/2(ORc)](4)[R1：含有环氧基的基团。Ra、Rb：含有环氧基的基团、取代或无取代的芳基、取代或无取代的芳烷基、取代或无取代的环烷基、取代或无取代的烷基、取代或无取代的烯基、或者氢原子。Rc：氢原子或碳原子数1～4的烷基。]。

Patent Agency Ranking