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公开(公告)号：CN112913015B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201980070240.X
申请日：2019-10-18
Applicant: 株式会社大赛璐
Inventor： 辻直子
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供在经过其中制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中适于在抑制晶片层叠体的翘曲的同时将薄晶片多层化的方法。本发明的方法包括：准备工序、薄化工序、接合工序、移除工序、及多层化工序。在准备工序中，准备具有层叠结构的加强晶片，所述层叠结构包含具有元件形成面及与其相反的背面的晶片、支撑基板、以及在所述晶片的所述元件形成面侧与所述支撑基板之间的用于形成临时粘接状态的临时粘接剂层。
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公开(公告)号：CN112912993A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980070334.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 株式会社大赛璐
Inventor： 辻直子
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供在经过其中制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中适于在避免晶片损坏的同时经由粘接剂接合将薄晶片多层化的方法。本发明的方法包括接合工序和移除工序。在接合工序中，经由粘接剂将具有支撑基板(S)、临时粘接剂层(2)及薄化晶片(1T)的层叠结构的加强晶片(1R)中的薄化晶片(1T)的背面(1b)侧、与晶片(3)的元件形成面(3a)侧接合。用于形成临时粘接剂层(2)的临时粘接剂含有：多元乙烯基醚化合物、具有两个以上羟基或羧基从而能够与多元乙烯基醚化合物形成聚合物的化合物、以及热塑性树脂。粘接剂包含含有聚合性基团的聚有机倍半硅氧烷。在移除工序中，将支撑基板(S)与薄化晶片(1T)之间的临时粘接剂层(2)所形成的临时粘接状态解除，进行支撑基板(S)的移除。
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公开(公告)号：CN107709400A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680035277.5
申请日：2016-06-07
Applicant: 株式会社大赛璐
Abstract: 本发明提供一种固化性组合物，其可以形成成膜性优异、在低温下进行固化、耐热性、耐开裂性、对被粘接体的粘接性及密合性优异的固化物。本发明的固化性组合物为含有聚有机倍半硅氧烷(A)的固化性组合物，其中，聚有机倍半硅氧烷(A)含有重均分子量为3000以上的含环氧基的聚有机倍半硅氧烷(a-1)和重均分子量为2500以下的含环氧基的聚有机倍半硅氧烷(a-2)，所述(a-1)和(a-2)的合计含量为聚有机倍半硅氧烷(A)总量的50重量％以上，且所述(a-1)和(a-2)的含量之比(重量比：前者/后者)为10/90～70/30。
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公开(公告)号：CN105579546A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052923.X
申请日：2014-09-25
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: C09J163/00 , C09J7/00 , C09J11/06 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: C09J163/00 , C08G59/68 , C09J7/35 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , H01L23/293 , H01L24/83 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/83855 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体叠层用粘接剂组合物，其在涂布后，通过加热干燥，在低于50℃时不具有粘接性，通过在可抑制半导体芯片损伤的温度下的加热而显现粘接性，然后，迅速地固化而形成粘接剂层。本发明的半导体叠层用粘接剂组合物含有聚合性化合物(A)、阳离子聚合引发剂(B1)及/或阴离子聚合引发剂(B2)及溶剂(C)。聚合性化合物(A)：含有80重量％以上的软化点或熔点为50℃以上的环氧化合物；阳离子聚合引发剂(B1)：在3,4-环氧环己基甲基(3,4-环氧)环己烷羧酸酯100重量份中添加1重量份而得到的组合物在130℃下的热固化时间为3.5分钟以上；阴离子聚合引发剂(B2)：在双酚A二缩水甘油醚100重量份中添加1重量份而得到的组合物在130℃下的热固化时间为3.5分钟以上。
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公开(公告)号：CN118843667A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026406.4
申请日：2023-03-17
Applicant: 株式会社大赛璐
Inventor： 辻直子
IPC: C09J4/00 , C09J201/06 , H01L21/02
Abstract: 提供一种临时粘接剂，其具备良好的涂布性和粘接性，在将被粘物剥离时能够利用滑动剥离法或刀片剥离法容易地剥离。本发明的临时粘接剂含有多元乙烯基醚化合物(A)、具有多个羟基及/或羧基作为侧基的聚合物(B)、热塑性树脂(C)作为树脂成分，前述(B)的重均分子量为1500～7000，前述(C)的重均分子量大于7000，前述临时粘接剂中包含的树脂成分的重均分子量为10万以下，于230℃对前述临时粘接剂进行5分钟加热而得到的热处理物中包含的树脂成分的重均分子量为前述临时粘接剂中包含的树脂成分的重均分子量的1.2倍以上，前述热处理物的Tg为100℃以上且低于200℃，前述热处理物在200℃、频率10Hz时的粘度为100cP以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112912993B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201980070334.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 株式会社大赛璐
Inventor： 辻直子
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供在经过其中制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中适于在避免晶片损坏的同时经由粘接剂接合将薄晶片多层化的方法。本发明的方法包括接合工序和移除工序。在接合工序中，经由粘接剂将具有支撑基板(S)、临时粘接剂层(2)及薄化晶片(1T)的层叠结构的加强晶片(1R)中的薄化晶片(1T)的背面(1b)侧、与晶片(3)的元件形成面(3a)侧接合。用于形成临时粘接剂层(2)的临时粘接剂含有：多元乙烯基醚化合物、具有两个以上羟基或羧基从而能够与多元乙烯基醚化合物形成聚合物的化合物、以及热塑性树脂。粘接剂包含含有聚合性基团的聚有机倍半硅氧烷。在移除工序中，将支撑基板(S)与薄化晶片(1T)之间的临时粘接剂层(2)所形成的临时粘接状态解除，进行支撑基板(S)的移除。
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公开(公告)号：CN110651355B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201880031028.8
申请日：2018-04-18
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: H01L21/02 , B05D3/12 , B32B37/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供在不易引起粘接剂的固化并且缩短生产节拍时间的同时制造在半导体晶片的一面具有粘接剂层、且在减压下的晶片粘接中粘接剂层不易发泡的层叠体的方法、以及用于该方法的粘接剂层形成装置。本发明的粘接剂层形成装置是将在半导体晶片的一面涂布形成的涂膜中的溶剂除去而形成粘接剂层的装置，其中，所述粘接剂层形成装置具备：载置前述半导体晶片的下部板、与所述下部板形成容积10升以下的封闭空间的上部罩、以及对所述封闭空间内进行减压的减压机构。
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公开(公告)号：CN110650987A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880030753.3
申请日：2018-04-26
Applicant: 株式会社大赛璐
Abstract: 本发明提供可形成绝缘性及耐热性优异、可抑制翘曲的发生、密合性优异的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明的绝缘膜形成用组合物包含含有硅氧烷结构单元的聚有机倍半硅氧烷作为聚合性化合物，在所述聚有机倍半硅氧烷中，下述式(I)：[RaSiO3/2]表示的结构单元与下述式(II)：[RaSiO2/2(ORb)]表示的结构单元的合计为硅氧烷结构单元总量的55摩尔％以上，该聚有机倍半硅氧烷的数均分子量为500～10000，环氧当量为200～2000g/eq。
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公开(公告)号：CN112204738B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201980036187.1
申请日：2019-05-27
Applicant: 株式会社大赛璐
Inventor： 辻直子
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种适于在隔着粘接剂层接合而多层化的半导体元件间实现低的布线电阻的半导体装置的制造方法。本发明的方法如下所述。首先，准备包含具有电路形成面(10a)的晶片(10)、具有主面(20a)及背面(20b)的晶片(20)、以及含有SiOC类聚合物的粘接剂层(30)的晶片层叠体(W)。接下来，在晶片层叠体(W)中，利用通过掩蔽晶片(20)的主面(20a)侧的一部分的掩模图案从晶片(20)侧进行的蚀刻处理，形成贯通晶片(20)和粘接剂层(30)到达晶片(10)中的布线图案(12b)的孔(H)。接下来，在孔(H)的内面形成绝缘膜(41)。接下来，将孔(H)的底面上的绝缘膜(41)除去。接下来，对晶片层叠体(W)实施清洗处理(氧等离子体处理和/或Ar溅射处理)。接下来，在孔(H)中形成导电部。
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公开(公告)号：CN112970108A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980070330.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的目的在于在经过制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中，提供在抑制晶片层叠体的翘曲的同时效率良好地制造半导体装置的方法。本发明的半导体装置制造方法至少包括准备工序、薄化工序、以及接合工序。在准备工序中，准备多个第1晶片层叠体。各第1晶片层叠体具有层叠结构，所述层叠结构包含分别具有元件形成面和与其相反的背面的第1晶片及第2晶片，且该第1及第2晶片的元件形成面侧彼此接合。在薄化工序中，将第1晶片层叠体的第1晶片薄化而形成具有该薄化第1晶片的第1晶片层叠体。在接合工序中，将经过薄化工序后的两个第1晶片层叠体的薄化第1晶片侧彼此接合，形成第2晶片层叠体。
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