有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物

    公开(公告)号:CN104854719B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201380064733.5

    申请日:2013-12-02

    Abstract: 本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、可以形成结晶性高的有机晶体管的有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物。本发明的有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物为用于溶解有机半导体材料的溶剂或溶剂组合物,其含有下式(A)表示的溶剂A。式(A)中、R1为C1‑4烷基、C1‑4酰基、C5‑6环烷烃环、C5‑6环烯烃环、C6‑12芳基、或2个以上这些基团键合而成的基团。R2、R3、R4、R5相同或不同,为氢原子、C1‑4烷基、或C1‑4酰基。R6为C1‑4烷基、或C1‑4酰基。R1和R3任选相互键合并与邻接的氧原子及碳原子一起形成环,n为1或2,m为0~2的整数。[化学式1]

    涂布型绝缘膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN106605293A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201580047073.9

    申请日:2015-08-25

    Abstract: 本发明提供形成绝缘膜的有机材料的溶解稳定性及安全性优异、可通过涂布法而形成相对介电常数低、绝缘电阻值高、润湿性高、可通过涂布法来形成上位层的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明的绝缘膜形成用组合物含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂,环状烯烃共聚物是环状烯烃和链状烯烃的共聚物;溶剂包含以下述式(1)表示且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物。式(1)中,环Z为选自5~6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环,R1为烃基或酰基。环Z至少具有R1O基作为取代基,在具有2个以上取代基的情况下,2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。

    用于制造叠层陶瓷部件的溶剂或溶剂组合物

    公开(公告)号:CN102731112A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210102973.7

    申请日:2012-04-10

    Abstract: 本发明提供一种用于制造叠层陶瓷部件的溶剂或溶剂组合物,该溶剂或溶剂组合物包含于糊料中,在叠层陶瓷部件制造工序中,通过将所述糊料涂布在被涂布面部件上形成布线或涂膜,该溶剂或溶剂组合物对所述糊料中含有的粘合剂树脂的溶解性优异,能够赋予所述糊料以适用于印刷法的初始剪切粘度,且不引起片侵蚀现象,并且能够在低温干燥条件下迅速干燥。本发明的用于制造叠层陶瓷部件的溶剂或溶剂组合物,含有下述式(1)(式中,R1、R2相同或不同,表示直链状或支链状烷基,R1、R2中的至少一个为支链状烷基。A表示亚烷基。n为1或2)所示的化合物。【化学式1】

    光致抗蚀剂制造用组合物的制造方法

    公开(公告)号:CN102681340A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210059273.4

    申请日:2012-03-08

    Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂制造用溶剂组合物及其制造方法,在光致抗蚀剂的制造中,所述溶剂组合物对灵敏度高的肟酯类光聚合引发剂的溶解性良好,且不会损害电子材料用途的浆料组合物的特性。所述光致抗蚀剂制造用组合物的制造方法的特征在于,混合包含选自下述式(A1)、(A2)、(A3)、(A4)及(A5)所示的化合物中的至少一种化合物的溶剂A和肟酯类光聚合引发剂来制成溶剂组合物(C)后,将溶剂组合物(C)及与所述溶剂A相溶的溶剂B混合得到光致抗蚀剂制造用组合物(D)。[化学式1]

    有机半导体器件制造用组合物

    公开(公告)号:CN108475728B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN201680075383.6

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、可以在低温环境中利用印刷法而形成具有高载流子迁移率的组合物。本发明的有机半导体器件制造用组合物含有下述有机半导体材料和溶剂(A),有机半导体材料:N字型稠环π共轭系分子;溶剂(A):下述式(a)所示的化合物,式中,L表示单键、‑O‑、‑NH‑C(=O)‑NH‑、‑C(=O)‑或‑C(=S)‑,k表示0~2的整数,R1表示C1‑20烷基、C2‑20烯基、C3‑20环烷基、‑ORa基、‑SRa基、‑O(C=O)Ra基、‑RbO(C=O)Ra基、或取代或无取代氨基,t表示1以上的整数。

    有机半导体器件制造用组合物

    公开(公告)号:CN109314186A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780034357.3

    申请日:2017-05-17

    CPC classification number: H01L51/05

    Abstract: 本发明提供可形成稳定而具有高的载流子迁移率的有机半导体器件的有机半导体器件制造用组合物。有机半导体器件制造用组合物,其含有作为溶剂的2,3-二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料,溶剂的含水率为0.25重量%以下。有机半导体材料:选自下组中的至少一种化合物:下述式(1-1)所示的化合物、下述式(1-2)所示的化合物、下述式(1-3)所示的化合物、下述式(1-4)所示的化合物、下述式(1-5)所示的化合物及下述式(1-6)所示的化合物(式中,X1、X2相同或不同,为氧原子、硫原子或硒原子。m为0或1。n1、n2相同或不同,为0或1。R1、R2相同或不同,为氟原子、C1-20烷基、C6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基,其中,上述烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代,上述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子或碳原子数1~10的烷基取代)。

    有机半导体器件制造用组合物

    公开(公告)号:CN108475728A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201680075383.6

    申请日:2016-12-13

    CPC classification number: H01L51/05

    Abstract: 本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、可以在低温环境中利用印刷法而形成具有高载流子迁移率的组合物。本发明的有机半导体器件制造用组合物含有下述有机半导体材料和溶剂(A),有机半导体材料:N字型稠环π共轭系分子;溶剂(A):下述式(a)所示的化合物,式中,L表示单键、-O-、-NH-C(=O)-NH-、-C(=O)-或-C(=S)-,k表示0~2的整数,R1表示C1-20烷基、C2-20烯基、C3-20环烷基、-ORa基、-SRa基、-O(C=O)Ra基、-RbO(C=O)Ra基、或取代或无取代氨基,t表示1以上的整数。

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