公开(公告)号：CN108780672B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201780013388.0

申请日：2017-04-20

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: G21K5/08 ,  C01B32/205 ,  C01B32/21 ,  G21G1/10 ,  G21G4/08

Abstract: 本发明实现一种在放射性同位素制造上所用的具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的放射性同位素制造用靶板。放射性同位素制造用靶板(10)中，对靶(1)进行支撑的支撑基板(2)具有石墨膜，石墨膜在膜面方向上的热导率为1200W/(m·K)以上，石墨膜的厚度为0.05μm以上且100μm以下。

公开(公告)号：CN107001048B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201580065746.3

申请日：2015-12-03

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃

IPC: C01B32/20 ,  C23C14/34 ,  G21K5/08 ,  H05H6/00

Abstract: 本发明的目的在于提供即使在高真空条件下作为层间热接合材料也导热特性优异、且不用担心装置内部的污染、释气的材料。本发明的高真空用层间热接合性石墨片的主旨在于：其厚度为9.6μm以下且50nm以上，在25℃下的a‑b面方向的导热率为1000W/mK以上。在本发明中，优选密度为1.8g/cm3以上。本发明的前述石墨片优选为在2900℃以上的温度下对高分子薄膜进行热处理而得到的石墨片，该高分子薄膜优选为选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚喹喔啉、聚噁二唑、聚苯并咪唑等中的至少一种。

公开(公告)号：CN110249423A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009945.6

申请日：2018-01-30

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: H01L23/36 ,  C01B32/205 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型TIM的耐热性的问题，提供使用了石墨的高性能且高耐热性的层间热接合材以及层间热接合方法，所述层间热接合材即使在进一步具有凹凸的构件之间使用也能够实现优异的热阻特性。通过使用厚度为1μm～50μm的范围、密度为1.4～2.26g/cm3的范围、薄膜面方向的热导率为500W/mK以上、表面的算术平均粗糙度Ra为0.1～10μm的范围的石墨膜层间热接合构件，从而可解决前述课题。

公开(公告)号：CN110249422A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009944.1

申请日：2018-01-30

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: H01L23/36 ,  C01B32/205 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型层间热接合构件材料的问题，提供使用了石墨膜的低热阻且高耐热性的层间热接合方法和层间热接合构件。本发明的层间热接合方法为夹持在2个构件之间而传递热的层间热接合构件，其具有石墨膜，石墨膜的厚度T为200nm～3μm，石墨膜表面的算术平均粗糙度Ra与厚度T之比(Ra/T)为0.1～30。

公开(公告)号：CN109874345A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201680021978.3

申请日：2016-04-14

Applicant: 株式会社钟化 ,  国立研究开发法人理化学研究所

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃 ,  长谷部裕雄

IPC: G21K1/14 ,  G21K1/00 ,  H05H7/08 ,  H05H13/04

Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性、热导性高、对长时间的射束照射也能够耐受的高品质的离子束电荷转换膜装置的电荷转换膜。本发明为一种离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为通过高分子烧成法制造的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。本发明也包括如下的离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为25℃下的膜面方向的热导率为300W/mK以上的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。这些电荷转换膜优选的是：密度为0.90g/cm3以上且2.26g/cm3以下、每单位面积的重量为1.5mg/cm2以上且30mg/cm2以下、并且面积为4cm2以上等。

公开(公告)号：CN108780672A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013388.0

申请日：2017-04-20

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: G21K5/08 ,  C01B32/205 ,  C01B32/21 ,  G21G1/10 ,  G21G4/08

CPC classification number: C01B32/205 ,  C01B32/21 ,  G21G1/10 ,  G21G4/08 ,  G21K5/08

Abstract: 本发明实现一种在放射性同位素制造上所用的具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的放射性同位素制造用靶板。放射性同位素制造用靶板(10)中，对靶(1)进行支撑的支撑基板(2)具有石墨膜，石墨膜在膜面方向上的热导率为1200W/(m·K)以上，石墨膜的厚度为0.05μm以上且100μm以下。

公开(公告)号：CN108602680A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008867.3

申请日：2017-01-27

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 立花正满 ,  多多见笃 ,  村上睦明

IPC: C01B32/205

Abstract: 提供一种石墨膜，其面积为1×1cm2以上，厚度为10nm～10μm，膜面方向的电导率为400S/cm以上，表面的算术平均粗糙度Ra相对于厚度的比率为1.0～600或为0.3以下。