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公开(公告)号:CN106794912A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201580054287.9
申请日:2015-10-05
申请人: 日立造船株式会社
CPC分类号: B65B55/08 , A61L2/08 , A61L2/087 , A61L2202/23 , B65B55/04 , G21K5/00 , G21K5/04 , G21K5/08 , G21K5/10
摘要: 本发明提供一种电子射线杀菌设备,其包括内表面杀菌室(5)和屏蔽室(6),内表面杀菌室(5)配置有内表面电子射线照射装置,屏蔽室(6)从内表面杀菌室(5)接收预成型件(P)并且屏蔽因电子射线的照射而产生的X射线。屏蔽室(6)具有接收预成型件(P)的上游侧开口(62)和传递预成型件(P)的下游侧开口(63)。屏蔽室(6)设有:把持预成型件(P)的把持件(74);将把持的预成型件(P)沿着圆形路径输送的无菌旋转台(71);以及与无菌旋转台(71)非接触且屏蔽X射线的屏蔽壁(81)。屏蔽壁(81)面向上游侧开口(62)(或下游侧开口(63)),并且面积大于上游侧开口(62)(或下游侧开口(63))。
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公开(公告)号:CN106663579A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580039908.6
申请日:2015-06-16
申请人: 莫克斯泰克公司
CPC分类号: G21K5/08 , G21K5/10 , H01J35/06 , H01J35/08 , H01J35/116 , H01J35/18 , H01J2235/086 , H05F3/04
摘要: 本发明涉及一种x射线源。在一个实施例中,本发明包括具有阴极的x射线源(10、20、30、40、50、110),所述阴极具有尖端(9)或相对于所述阴极(11)的纵向轴(6)基本上横向取向的延长片状物(113)。所述尖端或片可以指向阳极(14)。在另一个实施例中,本发明包括x射线源(60),其具有形成中空环的环形形状(66)的窗(16)。阳极(14,140)的半球形状(64)的凸部分可以延伸到所述窗的所述环形形状的中空部内。
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公开(公告)号:CN103957996B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201280056763.7
申请日:2012-12-18
申请人: 住友重机械工业株式会社
发明人: 矢岛晓
CPC分类号: A61N5/1078 , A61N5/1077 , A61N2005/1056 , A61N2005/1087 , A61N2005/1094 , G21K5/04 , G21K5/08
摘要: 本发明提供一种带电粒子束照射系统。本发明的带电粒子束照射系统具备:加速器(2),其使带电粒子加速并射出带电粒子束;机架(4),其配置有对被照射体照射带电粒子束的照射部(3);传输线路(6),其具有从由加速器(2)射出的具有第1能量宽度的带电粒子束取出比第1能量宽度小的第2能量宽度的带电粒子束的能量选择系统(8)、并从加速器(2)向照射部(3)传输带电粒子束;及建筑物(100),其具有配置有机架(4)的照射室(A)、及配置有传输线路(6)的一部分的传输室(B),加速器(2)配置于照射室(A)内,传输线路(6)中能量选择系统(8)配置于传输室(B),建筑物(100)具有将照射室(A)与传输室(B)隔开,并且屏蔽从能量选择系统(8)放出的放射线的间壁墙(101)。
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公开(公告)号:CN105453187A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201480041163.2
申请日:2014-05-23
申请人: 加拿大光源公司
CPC分类号: G21G1/12 , G21G2001/0036 , G21K5/08 , H05H6/00 , H05H9/00
摘要: 一种用于由多个100Mo靶通过在所述100Mo靶上的光核反应而生产99Mo的装置。所述装置包括(i)电子线性加速器部件;(ii)能量转换器部件,所述能量转换器部件能够接收电子束,并且由所述电子束生成轫致辐射光子束;(iii)靶辐照部件,所述靶辐照部件用于接收所述轫致辐射光子束,以用于辐照安装和定位在其中的靶座。所述靶座容纳多个100Mo靶盘。所述装置还包括(iv)靶座转移和回收部件,所述靶座转移和回收部件通过远程控制以用于接收、操控和传送所述靶座;(v)第一冷却系统,所述第一冷却系统与所述能量转换器部件密封性地接合,以使冷却液循环通过所述第一冷却系统;以及(vi)第二冷却系统,所述第二冷却系统与所述靶辐照部件密封性地接合,以使冷却液循环通过所述第二冷却系统。
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公开(公告)号:CN104244870B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201380021295.4
申请日:2013-03-28
申请人: 京瓷医疗株式会社
发明人: 难波良太
CPC分类号: A61F2/3094 , A61F2/30767 , A61F2/34 , A61F2002/30971 , B05D3/065 , B05D3/067 , B05D7/22 , G21K5/08
摘要: 涉及用于在人工关节组件的母材表面形成高分子层的结构,其目的在于能够实现小型化,能够准确地控制紫外线的照射强度,能够形成均匀厚度的高分子层,能够抑制紫外线对设备以及作业人员造成的影响,并且难以产生故障。膜制造装置主体(20)通过光接枝聚合而在人工关节组件的母材(11)的内侧面(11e)形成高分子层(12)。膜制造装置主体(20)具备多个紫外线LED元件(60)与工件支架(24)。在工件支架(24)上,含有高分子单体的溶液(23)与母材(11)的内侧面(11e)接触。多个紫外线LED元件(60)向比各紫外线LED元件(60)单独照射的区域大的区域放射紫外线。
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公开(公告)号:CN103779160A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201310497851.7
申请日:2013-10-22
申请人: FEI公司
IPC分类号: H01J37/28 , H01J37/141
CPC分类号: G21K5/08 , H01J37/1413 , H01J37/20 , H01J37/265 , H01J2237/1035 , H01J2237/1415 , H01J2237/2802 , H01J2237/2813
摘要: 本发明涉及可配置带电粒子装置。可配置带电粒子装置具有至少第一配置和第二配置,在第一配置中的装置被装配以当样本被安装在第一载物台上时关于光轴来安置样本,在第二配置中的装置具有被安装在第一载物台上的第二透镜极,所述第二透镜极与光轴相交,并且在第二配置中的装置装配有用于在其上安装样本的第二载物台,所述第二载物台被装配以在第一透镜极和第二透镜极之间安置样本,所述第二载物台关于光轴可移动,其结果是磁浸没透镜的光学特性在第一和第二配置中不同,并且在第二配置中可以通过使用第一载物台来安置第二透镜极而被改变,因而改变磁路。
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公开(公告)号:CN101626957B
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN200880007536.9
申请日:2008-03-05
申请人: 涩谷工业株式会社
摘要: 本发明的课题在于即使在电子射线照射装置(28)的内部产生电火花的情况下,也对所运送的全部的容器(2)照射电子射线,确实对其杀菌。对设置于真空腔(40)的内部的丝极(42)进行加热,产生电子射线,通过设置于照射部(44)的照射窗(46)的窗箔(48),在大气中取出,照射到容器(2)。容器(2)保持于容器运送装置(24)的容器保持部(36A、36B)上而运送,通过照射窗(46)的前方。如果产生电火花,则电子射线的照射暂时中断,但是,照射窗(46)的容器运送方向(X)的长度大于在该中断的时间内容器(2)运送的距离。
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公开(公告)号:CN101626957A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200880007536.9
申请日:2008-03-05
申请人: 涩谷工业株式会社
摘要: 本发明的课题在于即使在电子射线照射装置(28)的内部产生电火花的情况下,也对所运送的全部的容器(2)照射电子射线,确实对其杀菌。对设置于真空腔(40)的内部的丝极(42)进行加热,产生电子射线,通过设置于照射部(44)的照射窗(46)的窗箔(48),在大气中取出,照射到容器(2)。容器(2)保持于容器运送装置(24)的容器保持部(36A、36B)上而运送,通过照射窗(46)的前方。如果产生电火花,则电子射线的照射暂时中断,但是,照射窗(46)的容器运送方向(X)的长度大于在该中断的时间内容器(2)运送的距离。
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公开(公告)号:CN107430896B
公开(公告)日:2019-06-28
申请号:CN201680017074.3
申请日:2016-03-22
申请人: 国立研究开发法人理化学研究所
摘要: 本发明提供从核裂变产物中仅选择性地消除长寿命放射性核素的核裂变产物的处理方法。在放射性废物的处理方法中,其特征在于,包括:不伴随同位素分离地从放射性废物中提取含有核裂变产物中的放射性核素且原子序数相同的同位素元素的群的工序、和向所述同位素元素的群照射通过加速器生成的高能量粒子以使所述放射性核素中的长寿命放射性核素核嬗变成半衰期短的短寿命放射性核素或能作为资源进行再利用的稳定核素的工序。
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公开(公告)号:CN108780672A
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201780013388.0
申请日:2017-04-20
申请人: 株式会社钟化
IPC分类号: G21K5/08 , C01B32/205 , C01B32/21 , G21G1/10 , G21G4/08
CPC分类号: C01B32/205 , C01B32/21 , G21G1/10 , G21G4/08 , G21K5/08
摘要: 本发明实现一种在放射性同位素制造上所用的具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的放射性同位素制造用靶板。放射性同位素制造用靶板(10)中,对靶(1)进行支撑的支撑基板(2)具有石墨膜,石墨膜在膜面方向上的热导率为1200W/(m·K)以上,石墨膜的厚度为0.05μm以上且100μm以下。
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