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公开(公告)号：CN104158086B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410426431.4
申请日：2014-08-27
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体发光器件，包括顺次设置于半导体衬底（11）上的下波导层（12）、有源层（13）、上波导层（14）、隔离层（15）、盖帽层（16）、欧姆接触层（17），盖帽层（16）和欧姆接触层（17）组成脊型波导，所述脊型波导表面设置有金属电极（18），其特征为：所述金属电极（18）相对半导体发光器件发光端面倾斜或者弯曲的区域两侧设置有金属层或者多层介质膜层，所述金属层或者多层介质膜层设置于隔离层（15）表面，本发明产品制作工艺简单，能有效地减小发光端面反射率，改进输出光谱的质量与稳定性。
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公开(公告)号：CN103353630A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310320197.2
申请日：2013-07-26
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法，首先以SiO2作为掩模，用退火质子交换制作光波导；接着利用SiO2掩模作为标记直接将光波导和电极图形进行自对准套刻；随后采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法去除电极区的SiO2掩模；最后利用溅射以及金属剥离技术制作出电极图形并去除剩余SiO2掩模；采用本发明方法可以在铌酸锂光波导上形成电极图形，保证了光波导与电极套刻准确，电极边缘光滑，缺陷少，成品率高。
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公开(公告)号：CN100575889C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710051719.8
申请日：2007-03-22
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种光纤光栅温度电流传感器，属于光纤传感器技术领域，其特征在于：它由光纤光栅和交流电流螺线管构成，部分光纤光栅直接裸露在大气环境中，另一部分光纤光栅表面设置有金属导体，金属导体形成闭合回路，并放置于交流电流螺线管内部。由于交变电流在光纤光栅表面闭合的金属导体上产生涡流发热，使这部分光纤光栅周期发生变化，因此光纤光栅具有两个反射峰，分别对应环境温度以及交流电流大小，因而这种光纤光栅传感器可以同时测量温度与电流两个物理参量，具有器件体积小，重量轻，电绝缘性能好，易于安装，不需要外加电源等优点，适合于电力系统中交流电流的测量。
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公开(公告)号：CN101446759A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810154430.3
申请日：2008-12-24
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 一种纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板，方法是使用刻有分布反馈光栅图案的一次压印模板，是利用电子束直写技术在一次模板上制作100～1000个分布反馈光栅结构，在分布反馈光栅中间具有相移结构的一次压印模板，利用分步重复压印方法在另一基片上连续印制，将该基片制作出具有多个与一次压印模板上的分布反馈光栅图案相同的直径为2～4英寸大小的二次压印模板。压印方法是采用热压印方法，或采用紫外固化压印方法，或微接触压印方法中的一种。采用上述方法制作的二次压印模板，包括有基板，在基板上形成有多数个相同的密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈光栅结构。本发明具有光栅分辨率高、重复性好，制作成本低，生产效率高的特点。
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公开(公告)号：CN101001001A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610125535.7
申请日：2006-12-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉光电国家实验室(筹)
摘要： 一种低成本DFB激光器制作方法，该半导体激光器由在InP基底上依次生长上的下包层、下波导层、有源层、上波导层以及上包层和电极接触层组成，在基底和电极接触层上分别有金属电极，在上波导层或者下波导层上存在DFB光栅结构，其特征在于：所述DFB光栅结构采用纳米压印技术制作。可以是具有任意相移结构的光栅，或者是具有任意取样结构的光栅。本方法可制作具有均匀周期光栅结构的激光器芯片，还可在同一外延片上制作出不同波长的DFB激光器芯片系列，或者在同一芯片上制作出多波长的DFB激光器阵列。具有制作成本低，生产效率高以及光栅分辨率高的特点。
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公开(公告)号：CN113161463B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110226780.1
申请日：2021-03-01
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种斜腔芯片结构，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，所述光源，用于产生光信号；所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子光信号的出射功率与所述第二子光信号的出射功率之差小于第一阈值。本申请实施例提供的斜腔芯片结构能够降低经所述斜腔芯片结构出射的光信号的偏振度。
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公开(公告)号：CN111261756B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202010219291.9
申请日：2020-03-25
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉光迅科技股份有限公司
发明人： 单静春 , 王定理 , 汤宝 , 黄晓东 , 其他发明人请求不公开姓名
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体发光器件，包括有源层，所述有源层沿波导方向具有彼此相对的发光端和反射端；其中，所述反射端的端面与波导方向不垂直，所述反射端的端面与所述发光端的端面不平行。
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公开(公告)号：CN113644550A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110760597.X
申请日：2021-07-06
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种半导体发光器件及其制造方法，其中，所述半导体发光器件包括：下包层；位于所述下包层上的有源层；位于所述有源层上的上包层；以及，位于所述上包层上的欧姆接触层；其中，所述欧姆接触层至少覆盖所述上包层表面中的第一区域，且未覆盖全部的所述上包层表面；所述第一区域为电流注入窗口在所述上包层表面的投影所在的区域。
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公开(公告)号：CN113161463A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110226780.1
申请日：2021-03-01
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种斜腔芯片结构，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，所述光源，用于产生光信号；所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子光信号的出射功率与所述第二子光信号的出射功率之差小于第一阈值。本申请实施例提供的斜腔芯片结构能够降低经所述斜腔芯片结构出射的光信号的偏振度。
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公开(公告)号：CN111261756A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010219291.9
申请日：2020-03-25
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉光迅科技股份有限公司
发明人： 单静春 , 王定理 , 汤宝 , 黄晓东 , 其他发明人请求不公开姓名
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体发光器件，包括有源层，所述有源层沿波导方向具有彼此相对的发光端和反射端；其中，所述反射端的端面与波导方向不垂直，所述反射端的端面与所述发光端的端面不平行。
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