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公开(公告)号：CN101876573B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010134052.X
申请日：2010-03-29
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
IPC分类号： G01K11/32
摘要： 本发明属于温度测量技术领域，公开了一种基于阵列波导光栅的温度传感器，本发明通过给一个作为温度传感探测元件的至少有两个输出通道的阵列波导光栅输入一个单波长的激光，通过监测阵列波导光栅两个输出通道的光强来获得其环境的温度值，从而实现温度传感的目的。本发明同时提供一种使用上述传感器实现的温度传感方法。本发明相对其它的光纤传感器而言，具有不受激光器功率波动或频率飘移的影响，具有比较高的精度。本发明可以用于存在较强的电磁干扰等各种环境下的温度监测、监控或火灾预防。
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公开(公告)号：CN100538414C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710150383.0
申请日：2007-11-26
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/34
摘要： 一种基于平板波导移动制作无热阵列波导光栅方法及精调装置。其方法：使AWG芯片和输入光纤阵列、输出光纤阵列可靠地耦合对准；沿切割线将AWG芯片切割成可移动部分和固定部分；再将固定部分粘接在基板上面；然后将可移动部分放在基板上，使两部分的切割面紧密耦合；沿AWG芯片的两部分的连接线上将温度补偿杆的一侧边与可移动部分固定粘接在一起；利用精调装置对温度补偿杆的位置进行调整，使无热阵列波导光栅输出波长满足ITU-T规定，使无热阵列波导光栅输出光谱同AWG芯片相同后，将温度补偿杆的另一侧边与固定部分固定粘接在一起。其精调装置，为固定粘接有AWG芯片的基板和调节温度补偿杆在基板上的位置的结构。本发明简单易行，大大简化制作无热阵列波导光栅的工艺。
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公开(公告)号：CN100360969C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200510137106.7
申请日：2005-12-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 一种基于应力补偿的无热阵列波导光栅，它包括AWG芯片和粘贴在其上的金属板，其特征在于：所述的金属板是单层金属板，金属板的热膨胀系数大于衬底硅的热膨胀系数，在高于AWG工作的环境温度中，将单层金属板粘贴在AWG芯片上。采用上述的结构得到无热的AWG性能，具有应力板加工和制作简单，成本低，阵列波导光栅可靠性和重复性好，有利于批量生产。
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公开(公告)号：CN1292275C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410012946.6
申请日：2004-03-30
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/35
摘要： 本发明公开了一种1×N机械光开关，涉及一种机械光开关。本发明的盒体1为一方形盒，盒左边有一个光束输入器7，盒上边有电信号I/O口3，盒右边，从上到下，依次排列有N个光束输出器8，盒内有电路控制板2；在电路板2上，从左至右，依次交替排列有n个继电器4和n个棱镜5，每个继电器4通过力臂与其对应的方形折射棱镜5连接；电信号I/O口3通过控制电路与继电器4连接；所述棱镜5，后面棱镜的边长是前面棱镜的边长的两倍。本发明光路切换元件少，减少了影响光路稳定性的自由度，降低了光路调试难度，提高了开关响应速度，改善了光学稳定性，减小了体积，具有较高性能价格比，有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102683519B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210176000.8
申请日：2012-05-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其制作步骤为：步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、多量子阱有源层、上限制层、波导层、欧姆接触层、牺牲层；步骤2：采用掩膜方法在牺牲层上制作掩膜，所述掩膜的占空比随位置变化，且占空比同预期的带隙偏移量相对应；步骤3：采入缺陷引入方法处理暴露的牺牲层，然后高温退火处理；步骤4：去除残余的掩膜及牺牲层，光刻并刻蚀波导层和欧姆接触层，形成脊型波导结构，制作电极，完成器件的芯片结构制作；步骤5：解离芯片成管芯，在管芯出光的端面镀膜，形成宽光谱半导体超辐射发光二极管；本发明方法工艺简单，无需特殊的外延生长技术或多次光刻沉积过程，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102683519A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210176000.8
申请日：2012-05-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其制作步骤为：步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、多量子阱有源层、上限制层、波导层、欧姆接触层、牺牲层；步骤2：采用掩膜方法在牺牲层上制作掩膜，所述掩膜的占空比随位置变化，且占空比同预期的带隙偏移量相对应；步骤3：采入缺陷引入方法处理暴露的牺牲层，然后高温退火处理；步骤4：去除残余的掩膜及牺牲层，光刻并刻蚀波导层和欧姆接触层，形成脊型波导结构，制作电极，完成器件的芯片结构制作；步骤5：解离芯片成管芯，在管芯出光的端面镀膜，形成宽光谱半导体超辐射发光二极管；本发明方法工艺简单，无需特殊的外延生长技术或多次光刻沉积过程，成本低廉。
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公开(公告)号：CN1874195B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610019486.9
申请日：2006-06-29
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉光电国家实验室(筹)
摘要： 基于TFF的复用/解复用器ROADM，包括一个薄膜滤波器A，一对置于薄膜滤波器A前后且在同一光路上的光准直器，其特征在于：薄膜滤波器A的法线倾斜于光路放置，薄膜滤波器B与薄膜滤波器A平行放置，薄膜滤波器B与薄膜滤波器A是一对相同的均匀厚度的薄膜干涉滤波器，薄膜滤波器B后放置反射镜，反射镜垂直于光路。它的滤光单元的滤光波长是可调的，同时对机械部件的加工和控制简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN100516980C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610124527.0
申请日：2006-09-14
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/095
摘要： 本发明是一种多端口闭路光环形器，由输入/输出准直器、法拉第旋转片，偏振光分束/合束装置组成，其特征是所述的偏振分束/合束装置的基本单元由第一纳米光栅片(7)和第二纳米光栅片(8)构成，分别置于法拉第旋转片两侧，两个纳米光栅片的栅条之间的相对夹角为45度。输入/输出准直器置于法拉第旋转片和偏振光分束/合束装置的两侧。输入光经过第一纳米光栅片(7)进行分光，反射光和透射光的光路中放置有全反射镜，置于所述的两个纳米光栅片和所述法拉第旋转片两侧。用纳米金属光栅片来取代传统双折射晶体，实现光束偏振分束/合束功能；通过将两个纳米光栅片的光栅方向呈45度夹角放置，光路中可以省去两个半波片，从而降低器件成本；器件制作工艺简单，可根据需要进行任意端口扩展设计，能真正实现光路闭路循环功能。
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公开(公告)号：CN100451703C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610125495.6
申请日：2006-12-18
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉光电国家实验室(筹)
摘要： 基于TFF的三端口消偏振可调谐光滤波器，它有一组或多组可调谐滤光单元，其一组可调谐滤光单元，包括连接到多路光信号输入端的光环形器，一个薄膜滤光片，一对置于薄膜滤光片前后且在同一光路上的偏振分束器A和B，其特征在于：偏振分束器A将输入信号光分离成P光和S光平行输出，P光路中放置半波片C将P光旋转为p-S光，两路平行的S光到达薄膜滤光片，薄膜滤光片的法线倾斜于平行的两路S光路放置，半波片D将S光旋转为s-P光，偏振分束器B将调整后的P光和S光合成一般光信号后输出；反射镜E与薄膜滤光片平行放置，反射镜E后放置反射镜F，反射镜F垂直于两条平行光路。本发明结构简单，易于实现，能够消除偏振相关损耗以及偏振光分离现象。
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