一种基于阵列波导光栅的温度传感方法以及温度传感器

    公开(公告)号:CN101876573B

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201010134052.X

    申请日:2010-03-29

    IPC分类号: G01K11/32

    摘要: 本发明属于温度测量技术领域,公开了一种基于阵列波导光栅的温度传感器,本发明通过给一个作为温度传感探测元件的至少有两个输出通道的阵列波导光栅输入一个单波长的激光,通过监测阵列波导光栅两个输出通道的光强来获得其环境的温度值,从而实现温度传感的目的。本发明同时提供一种使用上述传感器实现的温度传感方法。本发明相对其它的光纤传感器而言,具有不受激光器功率波动或频率飘移的影响,具有比较高的精度。本发明可以用于存在较强的电磁干扰等各种环境下的温度监测、监控或火灾预防。

    嵌套马赫-曾德波导结构的光差分四相移键控调制器

    公开(公告)号:CN101345585B

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN200810054192.9

    申请日:2008-08-20

    IPC分类号: H04B10/12 G02F1/225

    摘要: 一种嵌套马赫-曾德波导结构的光差分四相移键控调制器,包括有:预编码器、激光器、分离器和耦合器,还设置有由两个马赫-曾德型干涉仪结构调制器组成的嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器;所述的预编码器的输出分别连接构成嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器的两个马赫-曾德型干涉仪结构调制器;激光器、分离器、嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器以及耦合器依次连接。嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器是由第二马赫-曾德型干涉仪结构调制器嵌套在第一马赫-曾德型干涉仪结构调制器的内部构成。本发明使器件的长度明显缩短,降低了超长结构器件一系列工艺制作的难度,能显著提高成品率;降低了光的分叉损耗,提高了产品的性能;能显著降低生产成本。

    一种基于阵列波导光栅的温度传感方法以及温度传感器

    公开(公告)号:CN101876573A

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN201010134052.X

    申请日:2010-03-29

    IPC分类号: G01K11/32

    摘要: 本发明属于温度测量技术领域,公开了一种基于阵列波导光栅的温度传感器,本发明通过给一个作为温度传感探测元件的至少有两个输出通道的阵列波导光栅输入一个单波长的激光,通过监测阵列波导光栅两个输出通道的光强来获得其环境的温度值,从而实现温度传感的目的。本发明同时提供一种使用上述传感器实现的温度传感方法。本发明相对其它的光纤传感器而言,具有不受激光器功率波动或频率飘移的影响,具有比较高的精度。本发明可以用于存在较强的电磁干扰等各种环境下的温度监测、监控或火灾预防。

    纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板

    公开(公告)号:CN101446759A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200810154430.3

    申请日:2008-12-24

    IPC分类号: G03F7/00

    摘要: 一种纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板,方法是使用刻有分布反馈光栅图案的一次压印模板,是利用电子束直写技术在一次模板上制作100~1000个分布反馈光栅结构,在分布反馈光栅中间具有相移结构的一次压印模板,利用分步重复压印方法在另一基片上连续印制,将该基片制作出具有多个与一次压印模板上的分布反馈光栅图案相同的直径为2~4英寸大小的二次压印模板。压印方法是采用热压印方法,或采用紫外固化压印方法,或微接触压印方法中的一种。采用上述方法制作的二次压印模板,包括有基板,在基板上形成有多数个相同的密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈光栅结构。本发明具有光栅分辨率高、重复性好,制作成本低,生产效率高的特点。

    嵌套马赫-曾德波导结构的光差分四相移键控调制器

    公开(公告)号:CN101345585A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810054192.9

    申请日:2008-08-20

    IPC分类号: H04B10/12 G02F1/225

    摘要: 一种嵌套马赫-曾德波导结构的光差分四相移键控调制器,包括有:预编码器、激光器、分离器和耦合器,还设置有由两个马赫-曾德型干涉仪结构调制器组成的嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器;所述的预编码器的输出分别连接构成嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器的两个马赫-曾德型干涉仪结构调制器;激光器、分离器、嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器以及耦合器依次连接。嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器是由第二马赫-曾德型干涉仪结构调制器嵌套在第一马赫-曾德型干涉仪结构调制器的内部构成。本发明使器件的长度明显缩短,降低了超长结构器件一系列工艺制作的难度,能显著提高成品率;降低了光的分叉损耗,提高了产品的性能;能显著降低生产成本。

    基于平板波导移动制作无热阵列波导光栅方法及精调装置

    公开(公告)号:CN100538414C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200710150383.0

    申请日:2007-11-26

    IPC分类号: G02B6/34

    摘要: 一种基于平板波导移动制作无热阵列波导光栅方法及精调装置。其方法:使AWG芯片和输入光纤阵列、输出光纤阵列可靠地耦合对准;沿切割线将AWG芯片切割成可移动部分和固定部分;再将固定部分粘接在基板上面;然后将可移动部分放在基板上,使两部分的切割面紧密耦合;沿AWG芯片的两部分的连接线上将温度补偿杆的一侧边与可移动部分固定粘接在一起;利用精调装置对温度补偿杆的位置进行调整,使无热阵列波导光栅输出波长满足ITU-T规定,使无热阵列波导光栅输出光谱同AWG芯片相同后,将温度补偿杆的另一侧边与固定部分固定粘接在一起。其精调装置,为固定粘接有AWG芯片的基板和调节温度补偿杆在基板上的位置的结构。本发明简单易行,大大简化制作无热阵列波导光栅的工艺。

    基于应力补偿的无热阵列波导光栅

    公开(公告)号:CN100360969C

    公开(公告)日:2008-01-09

    申请号:CN200510137106.7

    申请日:2005-12-31

    发明人: 赵秀丽 刘文

    IPC分类号: G02B6/34 G02B6/10

    摘要: 一种基于应力补偿的无热阵列波导光栅,它包括AWG芯片和粘贴在其上的金属板,其特征在于:所述的金属板是单层金属板,金属板的热膨胀系数大于衬底硅的热膨胀系数,在高于AWG工作的环境温度中,将单层金属板粘贴在AWG芯片上。采用上述的结构得到无热的AWG性能,具有应力板加工和制作简单,成本低,阵列波导光栅可靠性和重复性好,有利于批量生产。

    1×N机械光开关
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1292275C

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200410012946.6

    申请日:2004-03-30

    IPC分类号: G02B6/35

    摘要: 本发明公开了一种1×N机械光开关,涉及一种机械光开关。本发明的盒体1为一方形盒,盒左边有一个光束输入器7,盒上边有电信号I/O口3,盒右边,从上到下,依次排列有N个光束输出器8,盒内有电路控制板2;在电路板2上,从左至右,依次交替排列有n个继电器4和n个棱镜5,每个继电器4通过力臂与其对应的方形折射棱镜5连接;电信号I/O口3通过控制电路与继电器4连接;所述棱镜5,后面棱镜的边长是前面棱镜的边长的两倍。本发明光路切换元件少,减少了影响光路稳定性的自由度,降低了光路调试难度,提高了开关响应速度,改善了光学稳定性,减小了体积,具有较高性能价格比,有广阔的应用前景。

    双功能光差分相移键控格式解调器

    公开(公告)号:CN101909030B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201010251965.X

    申请日:2010-08-12

    IPC分类号: H04L27/22 G02F1/13

    摘要: 一种双功能光差分相移键控格式解调器,用作DQPSK解调器和DPSK解调器,有沿光路依次设置的:输入准直器、第一起偏分束器、第一半波片、四分之一波片、第二起偏分束器、第二半波片、两片液晶相位调制元件,延时晶体、两片八分之一波片、第三起偏分束器、半波片组、第四起偏分束器以及输出准直器,两片液晶相位调制元件为纵向排列设置,两片八分之一波片为纵向排列设置,半波片组横向和纵向均为间隔设置在同一平面。本发明同一个器件两个功能用于DPSK系统向DQPSK系统升级;与偏振无关;避免了Michelson时延干涉仪型解调器中遇到的对镀膜工艺要求较高的缺点;可以在光路中加入液晶相位调节元件,从而实现快速的波长调节功能。

    一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法

    公开(公告)号:CN102683519B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210176000.8

    申请日:2012-05-31

    IPC分类号: H01L33/00 H01L33/46

    摘要: 本发明公开了一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法,其制作步骤为:步骤1:在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、多量子阱有源层、上限制层、波导层、欧姆接触层、牺牲层;步骤2:采用掩膜方法在牺牲层上制作掩膜,所述掩膜的占空比随位置变化,且占空比同预期的带隙偏移量相对应;步骤3:采入缺陷引入方法处理暴露的牺牲层,然后高温退火处理;步骤4:去除残余的掩膜及牺牲层,光刻并刻蚀波导层和欧姆接触层,形成脊型波导结构,制作电极,完成器件的芯片结构制作;步骤5:解离芯片成管芯,在管芯出光的端面镀膜,形成宽光谱半导体超辐射发光二极管;本发明方法工艺简单,无需特殊的外延生长技术或多次光刻沉积过程,成本低廉。