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公开(公告)号：CN115084329B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210873844.1
申请日：2022-07-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种应用于Si衬底上的LED外延片及其生长方法，该外延片通过在Si衬底上依次层叠的缓冲层、第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，缓冲层包括依次层叠的第一缓冲子层和第二缓冲子层，且第一缓冲子层和第二缓冲子层均为磷化硼层，其中，第一缓冲子层的生长温度低于第二缓冲子层的生长温度，高低温生长的磷化硼层，具有很低的内应力和优良的附着性，能与Si衬底进行良好的附着，便于大面积沉积，具体的，再在第二缓冲子层上沉积一层保护层Ga层，不仅可以解决Si衬底与GaN外延层之间的“回融”问题，同时，能进一步降低Si衬底与GaN外延层之间的晶格失配度。
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公开(公告)号：CN114914296A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210844325.2
申请日：2022-07-19
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/10 , H01L21/205 , H01L29/778 , C23C16/30
摘要： 本发明提供一种外延片、外延片制备方法及高电子迁移率晶体管，所述外延片包括沟道层，所述沟道层包括依次层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层、第二子层以及第三子层均为GaN层；其中，所述第一子层采用TEGa作为Ga源进行生长，所述第二子层采用TMGa作为Ga源进行生长，所述第三子层分别采用TEGa和TMGa作为Ga源以预设周期循环交替进行生长。本发明解决了现有技术中的外延片的二维电子气迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN114864756A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210417421.9
申请日：2022-04-20
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管，所述外延片制备方法包括提供衬底；在所述衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂GaN层以及多量子阱层；在所述多量子阱层上依次外延生长第一子层、第二子层以及第三子层以形成电子阻挡层；在所述电子阻挡层依次外延生长P型掺杂GaN层以及接触层；其中，所述第一子层为Al层，所述第二子层为AlN层，所述第三子层为AlGaN层，在所述第一子层和所述第二子层生长完成后均进行退火处理。本发明解决了现有技术中的外延片发光效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114855273A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210417417.2
申请日：2022-04-20
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管，所述外延片制备方法包括提供衬底；在所述衬底上依次外延生长预铺层、成核层、高阻缓冲层以及沟道层；在所述沟道层上外延生长第一插入层，并在所述第一插入层生长完成后对所述第一插入层进行退火处理；在所述第一插入层上外延生长第二插入层，并在所述第二插入层生长完成后对所述第二插入层进行退火处理；在所述第二插入层上依次外延生长势垒层以及盖帽层；其中，所述第一插入层为Al层，所述第二插入层为AlN层。本发明解决了现有技术中的外延片二维电子气迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN114709309A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210357114.6
申请日：2022-04-06
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，所述外延片包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层和所述量子垒层均为AlGaN层；其中，所述量子垒层通过Al组分含量的变化形成双三角形势垒结构。本发明解决了现有技术中的外延片发光效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114709306A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210240547.3
申请日：2022-03-10
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种蓝光LED外延片、外延生长方法及蓝光LED芯片，该蓝光LED外延片包括复合衬底、预处理层和缓冲层，所述预处理层和所述缓冲层沉积于所述复合衬底上，所述缓冲层由第一缓冲层和第二缓冲层依次生长的结构，所述复合衬底为SiO2图形衬底，所述预处理层和所述第一缓冲层皆为AlN层，所述第二缓冲层为GaN层，其中，所述预处理层的致密性优于所述第一缓冲层的致密性，由于引入了高致密性的预处理层，可以有效减少复合衬底中的SiO2扩散，同时，在预处理层上沉积的第一缓冲层用于应力释放，从而可以得到更好的GaN外延层，降低缺陷密度，改善了外延层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN114361302B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210260903.8
申请日：2022-03-17
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管外延片、发光二极管缓冲层及其制备方法，包括：采用沉积技术在衬底上依次生长AlN/AlGaN超晶格结构和AlGaN块状结构、AlN/GaN超晶格结构和GaN块状结构、AlN/InGaN超晶格结构和InGaN块状结构。本发明中的一种发光二极管外延片、发光二极管缓冲层及其制备方法，通过AlN/AlGaN超晶格结构和AlGaN块状结构湮灭衬底与外延层因晶格失配而产生的位错，AlN/GaN超晶格结构和GaN块状结构使外延层生长表面更加光滑；AlN/InGaN超晶格结构和InGaN块状结构引入足够的压应力，平衡量子阱生长时产生的压应力，从而提升晶体质量和发光均匀性。
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公开(公告)号：CN114566573A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210130902.1
申请日：2022-02-12
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法，该芯片依次包括：蓝宝石衬底、AlN缓冲层、未掺杂AlGaN层、N型掺杂AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层以及接触层；其中，多量子阱层包括多个周期的量子阱结构，单个周期的量子阱结构包括AlxGa1‑xN阶层与AlyGa1‑yN垒层，其中，x、y为大于0的常数，并且在AlxGa1‑xN阶层与AlyGa1‑yN垒层之间设有InGaN层，以通过InGaN层调控单个周期的量子阱结构中AlGaN的应变状态。本发明能够解决现有技术中只能改善由内部全反射带来的光提取问题，无法从根本上解决深紫外LED量子阱发光区出射光的侧向传播问题。
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公开(公告)号：CN114256395A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202210189140.2
申请日：2022-03-01
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括P型层，P型层包括电子阻挡层、过渡层和接触层，过渡层包括第一子层和依次沉积在第一子层上的第二子层和第三子层，第一子层为P‑Al1‑xScxN层，第二子层为GaN层，第三子层为N‑Al1‑yScyN层。本发明中第一子层和第三子层分别与第二子层形成异质结界面，且在异质结界面处产生了正负性相反的压电极化电荷密度，而这会引起大量非平衡空穴注入到第一子层中，进而注入到有源区与电子发生辐射复合，缓解了由于P型层高受主激活能导致的较少空穴产生的情况，解决了紫外发光二极管发光效率低的问题。
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公开(公告)号：CN117276434A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311244218.7
申请日：2023-09-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外LED，所述紫外发光二极管外延片所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层、P型半导体层；所述电子阻挡层包括依次层叠在所述有源层上的第一AlGaN/GaN超晶格层、AlN层和第二AlGaN/GaN超晶格层，所述第一AlGaN/GaN超晶格层的Al组分沿生长方向线性增加，所述第二AlGaN/GaN超晶格层的Al组分沿生长方向线性降低。本发明提供的紫外发光二极管外延片能够限制电子溢流，提高空穴的注入效率和掺杂效率，从而达到提高内量子效率的目的。
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