公开(公告)号：CN114068803A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111352850.4

申请日：2021-11-16

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 韩智勇 ,  郑姗姗 ,  李真宇 ,  刘亚明 ,  孔霞 ,  陈明珠 ,  姜传晓

IPC分类号： H01L41/253 ,  H01L41/312 ,  H01L41/187 ,  H01L41/18

摘要： 本申请公开的一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，利用离子注入技术，先将剥离离子注入铌酸锂或钽酸锂晶圆内，然后将还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆的薄膜层内，经过键合、热处理步骤后，剥离离子注入使得键合体在分离层断开分离，还原性离子注入会占据薄膜层中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使单晶薄膜内的载流子浓度提升，进而提高单晶薄膜的电导率，降低电阻率，随后对单晶薄膜进行退火修复，能够有效降低复合薄膜的热释电效应。

公开(公告)号：CN113851387A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111108771.9

申请日：2021-09-22

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 韩智勇 ,  李真宇 ,  胡文 ,  孔霞 ,  姜传晓 ,  郑姗姗 ,  陈明珠

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  G01N23/20016

摘要： 本申请公开一种复合基板偏转角度的测量方法及器件制作方法，包括：以待测复合基板中衬底基板的定位结构为基准，将所述待测复合基板定位于样品台上；将探测器置于2θ2位置，其中，θ2表示目标晶面的布拉格角的理论值，其中，目标晶面为有源层基板的已知侧面晶面；转动样品台，直到测量到X射线衍射强度最大值为止，得到该位置对应的角度测量值θ1；计算复合基板偏转角度α，复合基板偏转角度α为布拉格角的理论值θ2与角度测量值θ1的差值。本申请计算得到的复合基板偏转角度α，既能够体现衬底基板与有源层基板之间的键合偏差，又能够体现有源层基板自身切割定位结构产生的误差，从而能够精确确定复合基板中衬底基板和有源层基板之间的偏转情况。

公开(公告)号：CN112951709A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110113127.4

申请日：2021-01-27

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 杨超 ,  李真宇 ,  孔霞 ,  李洋洋

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本申请提供了一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法，半导体衬底从上至下依次包括：薄膜层、绝缘层、缺陷层以及衬底层；缺陷层包括至少一层多晶硅层以及至少一层非晶硅层；多晶硅层以及非晶硅层交替层叠设置。本申请实施例提供的半导体衬底，在多晶硅层中插入非晶硅层，由于非晶硅层中不含有晶粒，因此，有效解决了多晶硅材料引发的应力过大、抛光纹等现象。

公开(公告)号：CN217332226U

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202221161651.5

申请日：2022-05-13

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 陈明珠 ,  李真宇 ,  胡卉 ,  胡文 ,  孔霞 ,  郑姗姗

IPC分类号： G01N22/00

摘要： 本申请公开了一种射频损耗的无损检测系统，微波发射装置包括依次设置的微波发射器、微波调制器以及微波聚焦器，微波发射器所射出的微波经过微波调制器和微波聚焦器照射至样品台上的待检测样品；探测波发射装置包括依次设置的探测波发射器、探测波调制器以及探测波聚焦器，探测波发射器所射出的探测波经过探测波调制器和探测波聚焦器照射至待检测样品；探测波照射至所述待检测样品上所射出的光信号经由光接收装置转化为电学信号，测量装置根据电学信号对待检测样品进行检测。本申请中的检测方式具有非接触和无损的特点，避免对压电薄膜材料进行加工成器件后再进行射频损耗检测的传统破坏性检验，降低时间和经济成本，提高研发生产效率。