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公开(公告)号：CN111965854B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010887317.7
申请日：2020-08-28
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本申请实施例提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，及电光调制器，其中，电光晶体薄膜从下到上依次包括：硅衬底层、二氧化硅层、硅波导层、包覆隔离层、测量反射层、隔离层和功能薄膜层；硅波导层嵌入包覆隔离层中；测量反射层为低微波损耗且可见光波段反射率高的金属或者非金属，用于对隔离层和功能薄膜层的厚度及均匀性进行监控。隔离层做平坦化处理，且可与功能薄膜层键合。采用前述的方案，通过在结构中设置测量反射层，使所述隔离层的厚度可控，减少其厚度偏差，使其表面更平整，均匀性更好，以此来减少键合耦合损耗，使得在制备成电光调制器光信号能在功能薄膜层和硅波导层之间得到很好的耦合，使得制备的器件带宽宽、损耗低，器件一致性好。
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公开(公告)号：CN115036201A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210971053.2
申请日：2022-08-15
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/30
摘要： 本申请公开了一种带电粒子束的偏移控制装置及方法，涉及离子注入技术领域，包括：粒子源、加速电压及偏转电压，其中：加速电压的正、负电压板上分别设置发射口，粒子源所射出的带电粒子束通过发射口穿过加速电压；偏转电压包括第一偏转单元和第二偏转单元，第一偏转单元和第二偏转单元场强方向均与加速电压的场强方向垂直，带电粒子束穿过加速电压后水平射入第一偏转单元和第二偏转单元，第一偏转单元和第二偏转单元的场强方向相反。本申请通过场强方向相反的偏转单元，抵消带电粒子束在偏转单元内所发生的偏转。离子束能够水平注入晶圆，于晶圆整个表面来说，所有射入晶圆内的离子束与晶圆表面的夹角均相同，提高晶圆内离子注入深度的均匀性。
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公开(公告)号：CN114975765A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210844224.5
申请日：2022-07-19
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L41/37 , H01L41/335 , H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/18 , H01L21/683 , C30B33/04 , C30B29/06 , C30B29/30 , C30B29/36
摘要： 本申请公开了一种复合单晶压电薄膜及其制备方法，涉及离子注入技术领域，包括：控制离子注入设备将离子束扫描注入至单晶晶圆，得到单晶晶圆注入片，离子束的注入剂量由单晶晶圆的边缘位置到中心位置逐渐减少，或由单晶晶圆的一边到相对的另一边逐渐减少；将单晶晶圆注入片与衬底晶圆接触，得到键合体；对键合体执行热分离处理，以使单晶晶圆注入片在注入层由边缘位置到中心位置逐渐分离，或由单晶晶圆注入片的一边到相对的另一边逐渐分离，得到复合单晶压电薄膜。本申请中通过在单晶晶圆注入层所注入不均匀的离子剂量，在进行热分离时，使其由边缘位置到中心位置缓慢分离，或由一边到相对的另一边缓慢分离，以此减少分离过程中对晶片造成的缺陷。
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公开(公告)号：CN111983750B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010887032.3
申请日：2020-08-28
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请提供的一种二氧化硅加载条型光波导集成结构及其制备方法，包括依次层叠的衬底层、隔离层、光调制层和功能薄膜层；光调制层包括加载条型光波导，以及包覆加载条型光波导的掺杂包层，其中，掺杂包层为掺杂无机材料，加载条型光波导为二氧化硅材料，加载条型光波导与掺杂包层的折射率差大于等于0.01；其中，加载条型光波导的底表面与掺杂包层的底表面在同一水平面，加载条型光波导的顶表面与掺杂包层的顶表面在同一水平面。光可以被限制在折射率大的加载条型光波导内传输。同时，由于本申请实施例中的加载条型光波导与光纤芯层材料相同，均为二氧化硅材料，因此，当光纤耦合至加载条型光波导时，属于相同材料之间的耦合，耦合损耗低。
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公开(公告)号：CN114497197B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210392175.6
申请日：2022-04-15
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种具有捕获结构的复合衬底及其制备方法及电子元器件，本申请提供的技术方案属于半导体器件领域，所述复合衬底包括依次设置的衬底基板、缺陷层、绝缘层和有源层，在所述衬底基板与所述缺陷层之间具有包括负电荷活性中心的捕获结构，所述捕获结构中的负电荷活动中心能够吸附缺陷层中的金属阳离子，从而抑制PSC。
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公开(公告)号：CN114496733A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210392221.2
申请日：2022-04-15
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请公开一种高电阻率复合衬底、制备方法及电子元器件，属于半导体技术领域，在衬底层上制备第一厚度的多晶硅层；在多晶硅层上制备吸杂层，得到预制备体，其中，吸杂层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；对预制备体进行退火处理，使预制备体内杂质由第一界面向第二界面方向迁移；去除吸杂层以及第二厚度的多晶硅层，使剩余的多晶硅层的厚度满足目标厚度要求，得到复合衬底。通过吸杂层与高温退火相结合的方式，激活衬底层与多晶硅界面处的杂质，并使杂质迁移至吸杂层与多晶硅层界面附近，然后通过去除吸杂层与靠近吸杂层附近的一部分多晶硅层的方式移除衬底层与多晶硅层界面的杂质，获得具有低损耗、高电阻率的复合衬底。
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公开(公告)号：CN114284135A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111585905.6
申请日：2021-12-20
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/762 , H01L27/12
摘要： 本申请提供一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件。其中复合衬底的制备方法包括：通过先在衬底上制备第一多晶硅薄膜层，然后通过第一次退火使第一多晶硅薄膜层的晶粒进一步长大获得多晶硅晶籽层，在多晶硅晶籽层上继续制备第二多晶硅薄膜层，改善因晶格匹配度低导致的衬底层对晶粒的影响，提高晶格匹配度，减少第一多晶硅薄膜层和第二多晶硅薄膜层中晶格大小的差异，提高多晶硅层的电阻均匀性。同时，通过对第二多晶硅薄膜层进行第二次退火处理，可以抑制后续高温工艺阶段多晶硅晶粒的重构程度，减少多晶硅晶格大小差异，得到一种靠近衬底层与绝缘层处晶粒尺寸大且分布均匀的多晶硅层。
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公开(公告)号：CN114373711A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111627242.X
申请日：2021-12-28
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
摘要： 本申请提供一种高电阻率的复合衬底及其制备方法，包括对硅衬底表面进行等离子体处理，将等离子体处理后的硅衬底置于含有水分的环境中，形成表面吸附有水分子的硅衬底层和在吸附有水分子的硅衬底表面上制备多晶硅层，在硅衬底层与多晶硅层之间生成介质层，获得复合衬底。本申请通过采用等离子体处理与制备多晶硅相结合的方式在硅衬底与多晶硅界面制备氧化硅薄膜介质层，抑制在后续的高温制备工艺中多晶硅层晶粒重构的程度，保持多晶硅层的稳定和载流子陷阱的富集，使多晶硅层保持较高的载流子捕获能力。
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公开(公告)号：CN111983825A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010889148.0
申请日：2020-08-28
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，包括：依次层叠的衬底层、隔离层、补偿层和功能薄膜层；功能薄膜层的折射率大于补偿层的折射率，其中，补偿层为掺杂无机材料，掺杂无机材料是指在无机材料中掺杂有轻质量离子，轻质量离子是指相对原子质量小于无机材料中任一元素的相对原子质量的离子。功能薄膜层为掺杂电光晶体材料，掺杂电光晶体材料是指在电光晶体材料中掺杂有重质量离子，重质量离子是指相对原子质量大于电光晶体材料中任一元素的相对原子质量的离子。通过在在补偿层中掺杂轻质量离子、在功能薄膜层中掺杂重质量离子的方式，提供一种具有更大折射率差的电光晶体薄膜，使得折射率差不再受限于材料本身折射率的约束。
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公开(公告)号：CN112951709B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110113127.4
申请日：2021-01-27
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本申请提供了一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法，半导体衬底从上至下依次包括：薄膜层、绝缘层、缺陷层以及衬底层；缺陷层包括至少一层多晶硅层以及至少一层非晶硅层；多晶硅层以及非晶硅层交替层叠设置。本申请实施例提供的半导体衬底，在多晶硅层中插入非晶硅层，由于非晶硅层中不含有晶粒，因此，有效解决了多晶硅材料引发的应力过大、抛光纹等现象。
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