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公开(公告)号：CN118231240A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410225128.1
申请日：2024-02-29
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/67 , H01L21/463 , H01L23/00
摘要： 本申请提供一种复合薄膜加工方法及复合薄膜，所述方法包括：获取待加工复合薄膜的翘曲度；判断所述翘曲度是否处于翘曲度设定范围内，若是，则获取所述待加工复合薄膜的待去除量；若所述待去除量小于等于2微米，则采用电子束刻蚀工艺的加工方法；若所述待去除量小于等于4微米，则采用化学机械抛光工艺的加工方法，以解决目前的复合薄膜衬底层孔隙率偏高以及结合强度不足导致的高温应力耐受性偏低的问题。
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公开(公告)号：CN117067100A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311074835.7
申请日：2023-08-25
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： B24B37/04 , B24B7/22 , B24B37/10 , B24B37/013 , B24B37/005 , B24B49/00
摘要： 本申请实施例提供了一种晶圆及提高晶圆平整度的方法，该方法利用硬度不同的第一抛光垫和第二抛光垫依次对晶圆表面进行抛光处理。第一抛光垫和第二抛光垫两者中硬度较小的一者具有压缩比大、弹性好的优点；另一者则具有耐磨性好、抛光效率高的特点。二者依次对晶圆表面抛光处理，利用硬度不同的抛光垫的差异形成去除方式的差异，以结合不同硬度抛光垫的抛光优点，使晶圆在去除相同厚度的情况下获得更好的抛光效果，提高晶圆表面的平整度。
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公开(公告)号：CN116613059A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310625387.9
申请日：2023-05-30
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/3115
摘要： 本申请提供了一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过在衬底基板上制备缺陷层，对缺陷层进行离子注入掺杂或界面热扩散掺杂，然后对掺杂处理后的缺陷层进行部分氧化后，掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为电荷捕获层，未掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为隔离层，形成复合基底；并基于离子注入法对薄膜基体的工艺面进行注入离子得到薄膜基体注入片，将薄膜基体注入片与复合基底的电荷捕获层进行键合形成键合体，对键合体进行热处理，使键合体的薄膜层转移至复合基底上形成复合薄膜。本发明的复合薄膜在隔离层和薄膜层之间增加了用于捕获界面电荷的电荷捕获层，可降低电荷对后续器件造成的影响。
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公开(公告)号：CN114284135A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111585905.6
申请日：2021-12-20
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/762 , H01L27/12
摘要： 本申请提供一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件。其中复合衬底的制备方法包括：通过先在衬底上制备第一多晶硅薄膜层，然后通过第一次退火使第一多晶硅薄膜层的晶粒进一步长大获得多晶硅晶籽层，在多晶硅晶籽层上继续制备第二多晶硅薄膜层，改善因晶格匹配度低导致的衬底层对晶粒的影响，提高晶格匹配度，减少第一多晶硅薄膜层和第二多晶硅薄膜层中晶格大小的差异，提高多晶硅层的电阻均匀性。同时，通过对第二多晶硅薄膜层进行第二次退火处理，可以抑制后续高温工艺阶段多晶硅晶粒的重构程度，减少多晶硅晶格大小差异，得到一种靠近衬底层与绝缘层处晶粒尺寸大且分布均匀的多晶硅层。
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公开(公告)号：CN118322665A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410235361.8
申请日：2024-03-01
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括以下步骤：在第一衬底层表面制备第一隔离层得到第一结合体；在第二衬底层表面制备缺陷层得到第二结合体；将功能层的表面与第一结合体中第一隔离层的表面键合，得到第一键合体；去除第一键合体表面的第一衬底层得到第二键合体；将第二结合体与第二键合体键合得到复合薄膜。通过本申请实施例的设置，提供了一种制备能够优化电子器件性能复合薄膜的制备方法，且该制备方法制备复合薄膜生产时间较短，生产效率较高。
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公开(公告)号：CN118311792A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410235874.9
申请日：2024-03-01
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于高性能电光调制器的复合薄膜及其制备方法，通过本发明制备方法可以制备出用于高性能电光调制器的复合薄膜，复合薄膜依次包括单晶薄膜层、隔离层、缺陷层和衬底层。通过本发明能够制备出具有缺陷层以及高厚7～25μm隔离层的高性能电光调制器的复合薄膜，解决了厚隔离层制备困难的问题，不仅缩短了制备的生产周期，保证隔离层的质量，还能使缺陷层的晶体形貌、尺寸不因为制备高厚度隔离层需要的工艺要求变化，保持原来的性能和结构。
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公开(公告)号：CN118112826A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410236285.2
申请日：2024-03-01
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种用于高性能电光调制器的铌酸锂复合薄膜的制备方法，制备方法包括获获取第一衬底和第二衬底；所述第一衬底包括依次键合连接的第一支撑层、缺陷层和第一隔离层，所述第二衬底包括键合连接的第二支撑层和第二隔离层；将所述第一衬底和所述第二衬底的隔离层面键合连接，得到第三衬底；对所述第三衬底进行去第二支撑层处理，得到目标衬底；将所述目标衬底和压电薄膜进行键合并进行减薄处理，得到复合薄膜。本申请通过上述制备方法将高厚7‑25微米隔离层和缺陷层键合起来，形成具有缺陷层的高厚度隔离层衬底。
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公开(公告)号：CN116613058A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310625369.0
申请日：2023-05-30
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/3115
摘要： 本申请提供了一种复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。其复合基底依次包括：衬底层、缺陷层、电荷阻隔层和隔离层；其中电荷阻隔层是基于界面热扩散掺杂法或离子注入掺杂法对缺陷层的工艺面进行掺杂制得的，用于阻止缺陷层中的电荷上溢。复合基底以及复合于复合基底的隔离层上的薄膜层组成复合薄膜。本发明的复合基底和/或复合薄膜不仅具有富含载流子陷阱的缺陷层，用于捕获载流子，抑制PSC效应，而且还在缺陷层和隔离层之间增加了用于阻止缺陷层中电荷上溢的电荷阻隔层，能够大幅度增加缺陷层和隔离层之间界面的阻抗，防止缺陷层中的电荷外泄影响复合基底和/或复合薄膜在后续制备电子元器件中的应用。
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公开(公告)号：CN114778567A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210523527.7
申请日：2022-05-13
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： G01N22/00
摘要： 本申请公开了一种射频损耗的无损检测系统及方法，微波发射装置包括依次设置的微波发射器、微波调制器以及微波聚焦器，微波发射器所射出的微波经过微波调制器和微波聚焦器照射至样品台上的待检测样品；探测波发射装置包括依次设置的探测波发射器、探测波调制器以及探测波聚焦器，探测波发射器所射出的探测波经过探测波调制器和探测波聚焦器照射至待检测样品；探测波照射至所述待检测样品上所射出的光信号经由光接收装置转化为电学信号，测量装置根据电学信号对待检测样品进行检测。本申请中的检测方式具有非接触和无损的特点，避免对压电薄膜材料进行加工成器件后再进行射频损耗检测的传统破坏性检验，降低时间和经济成本，提高研发生产效率。
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公开(公告)号：CN114068803A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111352850.4
申请日：2021-11-16
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/187 , H01L41/18
摘要： 本申请公开的一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，利用离子注入技术，先将剥离离子注入铌酸锂或钽酸锂晶圆内，然后将还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆的薄膜层内，经过键合、热处理步骤后，剥离离子注入使得键合体在分离层断开分离，还原性离子注入会占据薄膜层中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使单晶薄膜内的载流子浓度提升，进而提高单晶薄膜的电导率，降低电阻率，随后对单晶薄膜进行退火修复，能够有效降低复合薄膜的热释电效应。
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