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公开(公告)号：CN112067963B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010773243.4
申请日：2020-08-04
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265
摘要： 本发明公开了一种电致发光器件工况原位分析系统及分析方法，其中，系统包括激发光路部分、电激发源部分、收集光路部分、信号探测和解析部分、频率调制和同步部分，以及仪器机械控制部分。本发明的系统是多模式、多维度、多尺度的，将多种先进光谱学测试、锁相放大技术、半导体器件电学测试、自动化二维位移系统、显微镜系统与仪器控制系统等有机结合，有助于直接揭示器件的能量损失途径、单分子层面工作机制与器件老化机制，并指导未来材料化学和器件结构创新。
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公开(公告)号：CN107681059B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710719676.X
申请日：2017-08-21
申请人： 浙江大学
CPC分类号： H01L51/502 , H01L51/5096 , H01L51/56 , H01L2251/301
摘要： 本发明提供了单光子源器件、其制备方法及其应用。该单光子源器件包括依次叠置的第一电极层、第一载流子传输层、量子点发光层、第二载流子传输层和第二电极层，量子点发光层包括绝缘材料及分散在绝缘材料中的量子点，且至少部分量子点的相邻间距大于等于量子点的发光光谱中心波长。在量子点发光层中设置绝缘材料，因为受现有载流子材料选择限制，空穴的传输速度相对于电子的传输速度慢，利用绝缘材料的绝缘性平衡量子点发光层两侧的电子和空穴的平衡注入。本申请通过在量子点发光层中设置绝缘材料，增加了电子穿过的障碍，进而能够保证量子点发光的单光子效果，从而进一步减小单光子源器件的自相关系数。
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公开(公告)号：CN106966441A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610556000.9
申请日：2016-07-14
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C01G53/04 , B82Y30/00 , H01L33/14 , H01L31/032 , H01L29/24
CPC分类号： C01G53/04 , C01G53/003 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , H01L29/24 , H01L31/0321 , H01L33/14
摘要： 本发明公开了一种铜离子掺杂氧化镍胶体纳米晶的制备方法及其产品及其应用。该制备方法包括：以羧酸镍作为前驱体制备氧化镍纳米晶溶液；将铜前驱体和非配位有机溶剂在惰性保护气氛下加热至60～200℃；将铜前驱体和非配位有机溶剂注入到温度为60～200℃的氧化镍纳米晶溶液中，保温20min～6h后纯化，获得CuxNi1‑xO胶体纳米晶；该铜前驱体为羧酸铜或碳负离子铜盐。本发明将CuxNi1‑xO胶体纳米晶的结晶过程从现有CuxNi1‑xO薄膜的结晶成膜过程中分离出来，结晶过程与成膜过程相互独立，从而可以以常规成膜方法制备薄膜，显著将薄膜退火温度降低至50～200℃，从而可以兼容耐高温性能较低的衬底。
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公开(公告)号：CN106784124A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611208996.0
申请日：2016-12-23
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/109 , H01L31/1876
摘要： 本发明公开了一种基于P‑NiO/N‑ZnO:Al异质结结构紫外探测器及其制备方法，该探测器包括P型NiO薄膜和N型ZnO:Al薄膜构成的异质PN结。其制备方法如下：将六水合硝酸镍与甘氨酸或乙酰丙酮以一定比例混合配置成溶液，在一定温度下搅拌一段时间后旋涂成膜，薄膜退火处理后，得到NiO薄膜，之后在其上采用脉冲激光沉积的方法沉积ZnO:Al薄膜，得到P‑NiO/N‑ZnO:Al异质结。此方法制备简单，能耗低，可适用于大面积器件，由此制备的异质结具有良好的整流特性，制得的紫外探测器具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN103840047B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410058534.X
申请日：2014-02-20
申请人： 浙江大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种以胶体NiO纳米晶薄膜为空穴传输层的光电器件，所述的光电器件由下至上依次为阳极、空穴传输层、活性层、电子传输层和阴极，所述的空穴传输层为NiO胶体纳米晶薄膜。本发明还公开了所述光电器件的制备方法，制备工艺简单、节约成本，尤其是适合制备柔性光电器件。本发明制备的胶体NiO纳米晶兼具固体纳米NiO材料的性质和可采用低温溶液工艺加工的特点，且具有更高的稳定性及功函数，更易于传输空穴，作为空穴传输层不仅能够降低器件的界面阻抗而且能够明显提高空穴传输效率，进而提高光电器件的性能。
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公开(公告)号：CN103818974B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410057476.9
申请日：2014-02-20
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了胶体NiO纳米晶的制备方法，将羧酸镍、保护配体、醇或胺和有机溶剂混合，惰性气氛下搅拌并抽真空；将反应器中的混合物加热到100～350℃，反应后经冷却、沉淀剂沉淀、提纯处理，得到所述的胶体NiO纳米晶；所述羧酸镍的通式为：(R1-COO)2Ni，所述保护配体的通式为(R2-COO)nM，其中，R1与R2独立地选自H、C2～C30的烃基或芳基，所述Mn+与羧酸根结合形成的羧酸盐的反应活性低于羧酸镍，n为羧酸根数。本发明还公开了所述制备方法得到的纯相胶体NiO纳米晶，具有易于低温溶液工艺成膜、功函数高等优点，有望应用于有机薄膜太阳能电池、有机发光二极管、量子点发光二极管等诸多领域。
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公开(公告)号：CN106966441B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610556000.9
申请日：2016-07-14
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C01G53/04 , B82Y30/00 , H01L33/14 , H01L31/032 , H01L29/24
摘要： 本发明公开了一种铜离子掺杂氧化镍胶体纳米晶的制备方法及其产品及其应用。该制备方法包括：以羧酸镍作为前驱体制备氧化镍纳米晶溶液；将铜前驱体和非配位有机溶剂在惰性保护气氛下加热至60～200℃；将铜前驱体和非配位有机溶剂注入到温度为60～200℃的氧化镍纳米晶溶液中，保温20min～6h后纯化，获得CuxNi1‑xO胶体纳米晶；该铜前驱体为羧酸铜或碳负离子铜盐。本发明将CuxNi1‑xO胶体纳米晶的结晶过程从现有CuxNi1‑xO薄膜的结晶成膜过程中分离出来，结晶过程与成膜过程相互独立，从而可以以常规成膜方法制备薄膜，显著将薄膜退火温度降低至50～200℃，从而可以兼容耐高温性能较低的衬底。
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公开(公告)号：CN103922609B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410118081.5
申请日：2014-03-27
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C03C17/23
摘要： 本发明公开了一种胶体ITO纳米晶薄膜的制备方法，首先将胶体ITO纳米晶溶于非极性溶剂中得到溶液，将所述的溶液涂覆在基底上，得到薄膜；配置浓度为1～100g/L的碱有机溶液，所述的薄膜浸入碱有机溶液中1～100s，得到预处理的薄膜；再将铟盐、锡盐和助燃剂溶于有机溶剂中得到混合溶液，将所述的混合溶液涂覆于预处理的薄膜上，真空条件下，在50～200℃热处理0.5～30h；最后经深紫外光或等离子处理1～120min，得到所述的胶体ITO纳米晶薄膜。本方法简单、可控性好，成本低廉，易于工业化生产；制备得到的透明导电薄膜具有透过率高、电阻率低、薄膜质量好的特点。
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公开(公告)号：CN101445961B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810163311.4
申请日：2008-12-15
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开的Mg掺杂的ZnO超细纳米线具有六方纤锌矿结构，纳米线的直径为1～10纳米，长度为5～1000纳米。其合成步骤如下：将脂肪酸锌、脂肪酸镁和高沸点有机溶剂混合置于反应烧瓶中，磁力搅拌下加热至100～150℃，抽真空除去反应体系中的水蒸汽和氧气，在惰性保护气氛下加热到200～350℃，再将温度为100～200℃的十八醇快速注入到反应烧瓶中，保温1～100分钟，离心分离，得Mg掺杂的ZnO超细纳米线。本发明制备工艺简单、成本较低、重复性好、易于工业化生产，Mg掺杂的ZnO超细纳米线具有很强的量子限域效应，有望在蓝紫光发光二极管、紫外激光器等诸多领域得到应用。
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公开(公告)号：CN100555680C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810060888.2
申请日：2008-03-25
申请人： 浙江大学
发明人： 金一政
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法，步骤包括：将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂，制得纳米晶溶液；采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上，形成均匀的纳米晶薄膜；将纳米晶薄膜在100-350℃温度下退火处理10-60分钟，然后在纳米晶薄膜上蒸镀电极。本发明方法与传统的气相高温生长半导体薄膜紫外探测器相比，无需真空设备，成膜温度低、制备工艺简单，可大幅度降低紫外探测光电器件的成本，并可开发大尺寸器件/可弯曲的“柔性器件”。由于纳米晶具有超大比表面积，因此制得的用于紫外探测的纳米晶薄膜器件具有暗电流低，灵敏度高等特点。
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