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公开(公告)号：CN111306951B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911014840.2
申请日：2019-10-24
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： F27D19/00
摘要： 本发明公开了一种多温区滑轨管式炉的控制方法，包括S10、针对每个温区，设定所述温区的目标温度值；S20、对所述温区内的至少三个测温点测温，获得实际温度值集合；S30、将所述实际温度值集合带入三次B样条曲线方程中，获得所述温区内的温度拟合曲线；S40、根据所述温区内的温度拟合曲线，获得所述温区内温度最接近所述目标温度值的目标位置；S50、将石英舟移动至第一个反应温度对应的温区的所述目标位置，通入第一种气源，进行化学反应；S60、当前反应步骤完成后，将石英舟移动至下一个反应温度对应的温区的所述目标位置，通入下一种气源，进行下一步的化学反应。本发明既能够为实验者提供最准确的温度参数，又提供了良好的实验重复性。
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公开(公告)号：CN116988152A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310981957.8
申请日：2023-08-04
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本申请提供了一种反应器表面涂层的制备装置及方法，该制备装置包括石英管和感应线圈，石英管的内腔用于放置待制备涂层的反应器以及供反应气体和载体气体沿石英管的轴向流动，感应线圈沿石英管的轴向可移动地套设于石英管的外部，在石英管的轴向上，感应线圈的长度小于反应器的长度，感应线圈接入交变电流且沿石英管的轴向移动，以在反应器的表面生长出碳化硅涂层。采用本申请的技术方案可以在反应器的表面生长出厚度均匀的碳化硅涂层。
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公开(公告)号：CN116159809A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211699392.6
申请日：2022-12-28
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： B08B5/02 , B08B5/04 , H01L21/677
摘要： 本申请提供了一种晶圆传输方法，在一个晶圆传输周期中加入传输室除尘步骤，且除尘步骤是在第一密封阀与第二密封阀均关闭的期间进行的，可以是在晶圆在反应室中反应生长的期间，也可以是在整个传输开始之前，也可以二者兼有，传输室除尘时，向传输室通入惰性气流，将空间内的灰尘杂质吹起来成为悬浮状态，然后再将空间内的气体与杂质的混合物负压抽走，极大程度地降低传输腔内灰尘和杂质的浓度，避免传输腔室内灰尘和杂质的累积，使传输室内始终处于干净的状态。解决了现有技术中传输室中积累的灰尘和杂质影响晶圆表面质量的问题。
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公开(公告)号：CN115981230A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211699178.0
申请日：2022-12-28
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： G05B19/05
摘要： 本申请涉及一种电气控制系统，包括：可编程逻辑控制器、温度控制模块、第一运动控制模块、水路检测模块和气体控制模块；其中，可编程逻辑控制器分别与温度控制模块、第一运动控制模块、水路检测模块和气体控制模块通信连接，用于实现对碳化硅外延炉运行的温度、运动、水路和气体的控制。如此，采用可编程逻辑控制器进行控制，能够有效提高控制的精度和可靠性，实现产品制备过程中精准的电气控制，进而提升产品质量。
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公开(公告)号：CN115950133A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211652053.2
申请日：2022-12-21
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种冷却系统的动态调节控制方法、装置、系统及外延设备。该冷却系统的动态调节控制方法包括：获取冷却系统的水温；根据冷却系统的水温，调节变频器的运行频率；以及根据变频器的运行频率，调节冷却系统的循环水泵的驱动频率。这种冷却系统的动态调节控制方法实时采集冷却系统中冷却水的温度，并根据冷却水的实时温度对应调节变频器的运行频率，从而使得变频器对循环水泵的输出驱动频率进行对应调节，如此可以更加契合碳化硅外延设备当前的降温需求，保障冷却系统的管路运行在合理的温度范畴，从而有效保证冷却系统的冷却效果，进而提高外延设备使用过程的可靠性。
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公开(公告)号：CN115505905A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210751814.3
申请日：2022-06-28
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/04
摘要： 本发明提供一种机械手柄、机械手组件及镀膜设备，涉及化学气相沉积领域。机械手柄包括遮蔽件和承载件，承载件与遮蔽件相连，承载件位于遮蔽件的下方，承载件具有用于承载晶圆托盘的承载面；其中，遮蔽件的底面与承载面之间的距离大于晶圆托盘的厚度。在机械手柄取放晶圆的过程中，盛装有晶圆的晶圆托盘由承载件承载，同样位于遮蔽件下方。遮蔽件对晶圆形成遮蔽，能够降低副反应产物掉落在晶圆上的可能性，保证晶圆的质量。机械手组件能够快速、高效地调节俯仰角度、水平角度、悬臂长度，且配重件可以改变机械手组件的固有频率，有效减少机械手组件在行进过程中的振动幅度。
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公开(公告)号：CN114717653A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111597018.0
申请日：2021-12-24
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本发明提供一种镀膜设备，涉及化学气相沉积技术领域。镀膜设备包括壳体、机械手腔体、反应室、气路组件和驱动组件；壳体与机械手腔体相连，壳体上接有柔性管道；反应室位于壳体内，反应室朝向机械手腔体的一侧设有进气通道；气路组件穿设于柔性管道内，并与柔性管道密封连接，气路组件位于反应室朝向机械手腔体的一侧；驱动组件与气路组件相连。镀膜设备将气路组件和机械手腔体设置在反应室的同一侧，不影响机械手取放反应室内的物品，在维护时仅需将壳体远离机械手腔体的一端打开，即可取出反应室内部的零件进行打磨清洗，有效地降低了维护的总耗时。此外，机械手不经过副反应产物聚集区，避免疏松的副反应产物掉落在晶圆表面，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN111636098A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010645173.4
申请日：2020-07-07
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/10 , C30B25/12 , C30B25/14 , C23C16/32 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种碳化硅外延设备的CVD反应模块，包括石英壳体、进气法兰和尾端法兰，石英壳体内设置有加热层和保温层，加热层有多个替换件，替换件内部顶面的弧度不同，所述作业腔内还设置有用于盛放晶圆的托盘，所述加热层内对应托盘的周围还设置有内衬，所述托盘下方设置有用于支撑托盘的顶盘，所述顶盘的底部向外延伸伸展有升降杆。上述技术方案的有益效果为：在内衬的厚度增加至托盘无法正常进行CVD工艺时，将托盘位置略微升高，保证能够继续进行CVD工艺，最终达到延长内衬使用寿命的目的，通过替换具有不同弧度顶面的加热层能够调整作业腔内的温度场，使得作业腔内的温度更加均匀，进而使得晶圆上形成膜的厚度更加均匀。
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公开(公告)号：CN111501019A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010404267.2
申请日：2020-05-13
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种用于CVD设备的反应室涡轮结构，包括腔室，腔室内设置有旋转支撑柱，旋转支撑柱沿着轴向方向均匀设置有多个叶片，叶片上设置有凹槽，通过所述凹槽安装有晶圆，旋转支撑柱还设置有气体分流板，气体分流板设于所述叶片的下方；气体分流板设置有多个分流孔，腔室的底部设置有连通尾气系统的排气孔；有益效果是：在腔室设置四排出气孔，出气方向与旋转机构方向一致，可产生辅助的旋转动力，出气孔的气体来源与喷淋板的反应气体一致，同时使用气体质量流量计来控制侧壁出气量，出气孔输出的反应气体也作为补充气体填补未能完全填充的区域，使整片晶圆接触的反应气体浓度更均匀饱和，工艺稳定性更好。
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公开(公告)号：CN115216843B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210832449.9
申请日：2022-07-14
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种石墨托盘状态检测方法、装置、系统和终端设备，该石墨托盘状态检测方法通过传感器检测沿石墨托盘周向边缘开设的一个沟槽的宽度值，根据宽度值确定石墨托盘对应的可用等级，基于可用等级确定石墨托盘的使用状态。本申请不仅有利于确定石墨托盘的使用状态，从而确定石墨托盘的可重复使用次数，还可以使检测过程的稳定性更高，逻辑实现更加简单清晰，并且可以降低检测成本。
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