一种机械手柄、机械手组件及镀膜设备

    公开(公告)号:CN115505905B

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202210751814.3

    申请日:2022-06-28

    IPC分类号: C23C16/458 C23C16/04

    摘要: 本发明提供一种机械手柄、机械手组件及镀膜设备,涉及化学气相沉积领域。机械手柄包括遮蔽件和承载件,承载件与遮蔽件相连,承载件位于遮蔽件的下方,承载件具有用于承载晶圆托盘的承载面;其中,遮蔽件的底面与承载面之间的距离大于晶圆托盘的厚度。在机械手柄取放晶圆的过程中,盛装有晶圆的晶圆托盘由承载件承载,同样位于遮蔽件下方。遮蔽件对晶圆形成遮蔽,能够降低副反应产物掉落在晶圆上的可能性,保证晶圆的质量。机械手组件能够快速、高效地调节俯仰角度、水平角度、悬臂长度,且配重件可以改变机械手组件的固有频率,有效减少机械手组件在行进过程中的振动幅度。

    一种搬运机构
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114250446B

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202111598067.6

    申请日:2021-12-24

    IPC分类号: C23C16/32 C23C16/44

    摘要: 本发明提供了一种搬运机构,涉及化学气相沉积设备领域,搬运机构包括第一驱动模组、第一导向模组、第二驱动模组、第二导向模组及抓取模组,抓取模组设于第二导向模组上,第一驱动模组包括第一驱动组件及第一传动组件,第一驱动组件与第一传动组件连接,第二导向模组连接于第一传动组件上,第一导向模组包括第一滑轨、第一滑块、罩设件及第一连接件,罩设件设于机架上,罩设件内形成容置腔,第一滑轨设于容置腔,第一滑块滑动设于第一滑轨上,且位于容置腔内,第一连接件连接于第一滑块上,且一端与第二导向模组连接,第二驱动模组与第二导向模组连接,搬运机构造价相对低廉,有利于降低生产成本。

    一种散热过滤装置、方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115845516A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211652060.2

    申请日:2022-12-21

    IPC分类号: B01D46/42

    摘要: 本申请提供一种散热过滤装置、方法,所述散热过滤装置,所述散热过滤装置在通过设置在过滤器的进气口获得包含颗粒杂质的气体之后,通过过滤器外壁安装的散热片完成过滤器的散热,以在过滤气体中杂质颗粒的过程中,完成对过滤器的散热;在对过滤器进行散热的同时,基于过滤器过滤腔内安装的颗粒分离器,实现对气体颗粒的分离,并通过颗粒收集口收集颗粒,通过出气口排出不含颗粒的常温气体以完成后续的尾气收集与处理过程。该装置实现了气体与杂质颗粒的分离以及高温尾气的冷却,有利于在利用化学气相沉积(CVD)的方式生长薄膜材料的过程中,减少尾气管路的维护频次。

    一种进气装置及CVD设备
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114457321B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202210074266.5

    申请日:2022-01-21

    IPC分类号: C23C16/455

    摘要: 本申请提供了一种进气装置及CVD设备,涉及CVD设备技术领域。进气装置包括进气室本体、安装座、多孔透气件及挡风板;安装座设置于进气室本体,多孔透气件设置于安装座与进气室本体之间,且多孔透气件与安装座之间形成至少三个气流调节腔,安装座上对应气流调节腔设有进气接口,进气接口用于向对应的气流调节腔导入反应气体,进气室本体远离进气接口的一侧对应气流调节腔设有导气室;每个气流调节腔内均设有与进气接口对应的挡风板,挡风板位于多孔透气件与安装座之间。本申请提供的进气装置使反应气体进入导气室时能够很快的达到均匀流动的状态,以使晶圆生成厚度均匀、掺杂浓度均匀的外延层,无需设计较长的进气结构,降低成本。

    一种反应室及反应装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114717536A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202111361303.2

    申请日:2021-11-17

    IPC分类号: C23C16/32 C23C16/458

    摘要: 本发明提供了一种反应室及反应装置,包括中空发热件、旋转台、防护板组件及分隔件,所述旋转台可转动的设于所述中空发热件的内腔中,所述旋转台用于承载晶圆,所述防护板组件设于所述旋转台的两侧,所述分隔件架设于所述防护板组件上,所述分隔件用于与所述防护板组件配合,在所述内腔中分隔出反应腔,所述反应腔将所述旋转台包围,且所述内腔的表面不暴露于所述反应腔中。通过反应腔将托盘包围,使其不暴露于结构复杂、成本高昂的中空发热件内表面。反应气体从反应腔中流过沉积,不会在中空发热件表面产生沉积。仅需更换结构简单、成本较低的前防护板、后防护板与分隔件即可,维护便利性好,且降低了反应室维护的成本。

    一种外延反应设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114411247A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210072642.7

    申请日:2022-01-21

    摘要: 本申请提供了一种外延反应设备,涉及外延层工艺设备技术领域。外延反应设备包括传送装置及至少一反应装置;反应装置包括高温反应室、供气模组及抽气模组,高温反应室用于为晶圆提供加工时所需的环境条件,供气模组和抽气模组相对设置于高温反应室,供气模组用于供应反应气体,抽气模组用于抽取残留的气体;传送装置设置于高温反应室及与供气模组位于同一侧,传送装置用于取放晶圆。本申请提供的外延反应设备,有效解决了副产物掉落至晶圆的风险问题。另外在进行清洁维护时,省去了传送装置和供气模组分离的工序,简化工序,降低成本,操作可靠,提高了生成效率。

    温度分布图库的建立方法和晶圆表面温度的获取方法

    公开(公告)号:CN115048803B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202210758164.5

    申请日:2022-06-29

    IPC分类号: G06F30/20 G06F119/08

    摘要: 本申请实施例公开了一种温度分布图库的建立方法和晶圆表面温度的获取方法,该温度分布图库的建立方法通过温度试验获取晶圆的表面温度分布情况,并进行晶圆仿真分析以确定使仿真结果与温度试验结果契合的候选仿真参数,改变温度试验的边界条件再次进行温度试验,将候选仿真参数带入改变后的边界条件再次进行仿真分析,以确定一组使仿真结果与温度试验结果契合的契合仿真参数,基于契合仿真参数得到不同边界条件下晶圆的表面温度分布情况,以建立得到温度分布图库。本申请通过该温度分布图库不仅可以更加准确、快速的确定晶圆表面温度分布情况,避免了进行多次的温度试验,还可以降低晶圆表面温度的获取成本。

    一种缝阀及半导体加工设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115750793A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211235116.4

    申请日:2022-10-10

    摘要: 本申请公开了一种缝阀及应用其的半导体加工设备;该缝阀包括:阀板;阀板支撑单元;驱动单元包括传动件,具有第一运行轨迹和第二运行轨迹;第一传动单元;第二传动单元;传动件能够驱动第一传动单元带动阀板支撑单元运动,以实现阀板沿第三运行轨迹往复运动;传动件能够驱动第二传动单元带动阀板支撑单元运动,以实现阀板沿第四运行轨迹往复运动;第三运行轨迹与第四运行轨迹垂直。本申请的缝阀不会对连通口以及连通口处的密封圈造成不均匀的挤压,避免损坏连通口和密封圈,阀板的密封效果极佳;两传动单元无需承载彼此的重量,每个传动单元仅需要承载能够驱动阀板支撑单元运动的力即可,可有效减小驱动成本,提升传动效果,延长设备的使用寿命。