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公开(公告)号：CN115233182B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210717467.2
申请日：2022-06-23
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 本发明提供了一种出气管路结构及反应设备，涉及化学气相沉积领域，出气管路结构，连接于内部设有反应室的石英筒上，包括套管、导气流道、升降机构、出气管道及封盖，套管设于石英筒内，且靠近反应室的出气侧设置，导气流道设于套管内，且一端与反应室的连通，升降机构与导气流道相连，升降机构用于带动导气流道进行升降，以切换导气流道与反应室的连通状态，出气管道设于套管上，且与导气流道远离反应室的一端相对，封盖盖设于套管背离反应室的一端。机械手取放晶圆时，导气流道在升降机构的带动下与反应室断开连通，因此不会经过有副反应发生的导气流道，从而降低了因掉落物而造成的晶圆表面的缺陷数量和缺陷密度，提高了晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN116380929A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211652073.X
申请日：2022-12-21
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本申请提供一种缺陷检测设备、方法及半导体外延设备，应用于半导体技术领域，该设备包括照明装置、检测装置以及控制器，控制器分别与照明装置以及检测装置通信连接，检测装置用于在预设检测位中存在待检外延晶圆时输出检测信号，控制器用于响应于检测信号控制照明装置开启，以使照明装置提供照射待检外延晶圆的照射光线，检测装置还用于对待检外延晶圆中的亮点进行计数，以得到因掉落物导致的缺陷的数量，与现有技术相比，本申请提供的技术方案仅针对待检外延晶圆中掉落物引起的缺陷进行检测，不受其他种类缺陷的影响，能够快速、高效地完成待检外延晶圆中掉落物引起的缺陷的检测。
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公开(公告)号：CN114717536B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111361303.2
申请日：2021-11-17
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/458
摘要： 本发明提供了一种反应室及反应装置，包括中空发热件、旋转台、防护板组件及分隔件，所述旋转台可转动的设于所述中空发热件的内腔中，所述旋转台用于承载晶圆，所述防护板组件设于所述旋转台的两侧，所述分隔件架设于所述防护板组件上，所述分隔件用于与所述防护板组件配合，在所述内腔中分隔出反应腔，所述反应腔将所述旋转台包围，且所述内腔的表面不暴露于所述反应腔中。通过反应腔将托盘包围，使其不暴露于结构复杂、成本高昂的中空发热件内表面。反应气体从反应腔中流过沉积，不会在中空发热件表面产生沉积。仅需更换结构简单、成本较低的前防护板、后防护板与分隔件即可，维护便利性好，且降低了反应室维护的成本。
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公开(公告)号：CN114457321A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210074266.5
申请日：2022-01-21
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本申请提供了一种进气装置及CVD设备，涉及CVD设备技术领域。进气装置包括进气室本体、安装座、多孔透气件及挡风板；安装座设置于进气室本体，多孔透气件设置于安装座与进气室本体之间，且多孔透气件与安装座之间形成至少三个气流调节腔，安装座上对应气流调节腔设有进气接口，进气接口用于向对应的气流调节腔导入反应气体，进气室本体远离进气接口的一侧对应气流调节腔设有导气室；每个气流调节腔内均设有与进气接口对应的挡风板，挡风板位于多孔透气件与安装座之间。本申请提供的进气装置使反应气体进入导气室时能够很快的达到均匀流动的状态，以使晶圆生成厚度均匀、掺杂浓度均匀的外延层，无需设计较长的进气结构，降低成本。
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公开(公告)号：CN114250446A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111598067.6
申请日：2021-12-24
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本发明提供了一种搬运机构，涉及化学气相沉积设备领域，搬运机构包括第一驱动模组、第一导向模组、第二驱动模组、第二导向模组及抓取模组，抓取模组设于第二导向模组上，第一驱动模组包括第一驱动组件及第一传动组件，第一驱动组件与第一传动组件连接，第二导向模组连接于第一传动组件上，第一导向模组包括第一滑轨、第一滑块、罩设件及第一连接件，罩设件设于机架上，罩设件内形成容置腔，第一滑轨设于容置腔，第一滑块滑动设于第一滑轨上，且位于容置腔内，第一连接件连接于第一滑块上，且一端与第二导向模组连接，第二驱动模组与第二导向模组连接，搬运机构造价相对低廉，有利于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111455352A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010414098.0
申请日：2020-05-15
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种可加热的蜂窝式多通道进气结构，涉及CVD设备进气结构技术领域。本发明包括多个进气管单元，进气管单元的截面为正六边形，相邻进气管单元的外壁相互连接形成蜂窝状。所有进气管单元的同一侧设置有密封盖，密封盖贯穿设置有与进气管单元内部相互连通的支路管，至少一个支路管形成一个支路单元，每一支路单元均连通有集中管。
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公开(公告)号：CN111308923A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910930069.7
申请日：2019-09-29
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
IPC分类号： G05B19/042 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种CVD设备的控制方法及控制装置，所述方法包括：建立基础信号表、专家经验表以及处理方式表，其中，所述基础信号表存储有CVD设备正常运行状态下的各运行参数的参数区间，所述专家经验表中存储有运行参数的值超出所述参数区间所对应的故障类型，所述处理方式表中存储有与所述故障类型对应的处理工序；获取CVD设备实际运行的参数值；将所述参数值与所述基础信号表中的所述参数区间进行比对；若所述参数值超出所述参数区间，则根据所述专家经验表查找对应的实际故障，根据所述处理方式表查找与所述实际故障对应的处理工序；根据所述处理工序输出处理指令和/或警示信息。该方法能够有效、稳定地管理CVD设备的各个被控物理量。
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公开(公告)号：CN114717653B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111597018.0
申请日：2021-12-24
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本发明提供一种镀膜设备，涉及化学气相沉积技术领域。镀膜设备包括壳体、机械手腔体、反应室、气路组件和驱动组件；壳体与机械手腔体相连，壳体上接有柔性管道；反应室位于壳体内，反应室朝向机械手腔体的一侧设有进气通道；气路组件穿设于柔性管道内，并与柔性管道密封连接，气路组件位于反应室朝向机械手腔体的一侧；驱动组件与气路组件相连。镀膜设备将气路组件和机械手腔体设置在反应室的同一侧，不影响机械手取放反应室内的物品，在维护时仅需将壳体远离机械手腔体的一端打开，即可取出反应室内部的零件进行打磨清洗，有效地降低了维护的总耗时。此外，机械手不经过副反应产物聚集区，避免疏松的副反应产物掉落在晶圆表面，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN114411247B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210072642.7
申请日：2022-01-21
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本申请提供了一种外延反应设备，涉及外延层工艺设备技术领域。外延反应设备包括传送装置及至少一反应装置；反应装置包括高温反应室、供气模组及抽气模组，高温反应室用于为晶圆提供加工时所需的环境条件，供气模组和抽气模组相对设置于高温反应室，供气模组用于供应反应气体，抽气模组用于抽取残留的气体；传送装置设置于高温反应室及与供气模组位于同一侧，传送装置用于取放晶圆。本申请提供的外延反应设备，有效解决了副产物掉落至晶圆的风险问题。另外在进行清洁维护时，省去了传送装置和供气模组分离的工序，简化工序，降低成本，操作可靠，提高了生成效率。
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公开(公告)号：CN115719722A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211566727.7
申请日：2022-12-07
申请人： 深圳市纳设智能装备有限公司
摘要： 本申请公开了一种定位装置、半导体设备及托盘与晶圆的定位方法；该定位装置用于将托盘与晶圆定位；定位装置包括旋转组件；其中，旋转组件用于承托托盘；托盘形成有第一定位部；晶圆形成有第二定位部；旋转组件能够驱动托盘旋转，以使第一定位部与固定的第二定位部对正。本申请提供的定位装置中，设置了旋转组件，旋转组件驱动托盘旋转，以实现托盘的第一定位部的自动角度调节，进而实现了托盘的第一定位部与晶圆的第二定位部的精准对正；其避免了人为手动调节晶圆，提升了半导体设备的自动化程度，不仅保证了晶圆与其托盘的自动精准定位，而且不会对晶圆造成外在的人为污染，有效保证了晶圆表面外延层的生长质量。
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