一种空心铜绕组的优化排布方法及系统

    公开(公告)号:CN117910246A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410058127.2

    申请日:2024-01-15

    摘要: 本发明涉及一种空心铜绕组的优化排布方法及系统,其包括:根据变压器空心铜绕组匝数及已有排布情况,确定待求解的空心铜绕组优化参数;根据确定的待求解优化参数,结合变压器实际几何参数,得到由各优化参数构成的空心铜绕组设计空间;将设计空间映射到由交流损耗和稳态温升构成的性能空间;利用性能空间中的点绘制多优化目标的帕累托前沿,确定空心铜绕组优化排布设计点。本发明解决了实际应用中确定匝数情况下空心铜绕组的排布设计问题,可以降低损耗和温升。

    碳化硅MOS管的短路电流限制电路
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118380983A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410437480.1

    申请日:2024-04-11

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H02H9/02

    摘要: 本申请提供一种碳化硅MOS管的短路电流限制电路,包括:可控开关、单向二极管、电流检测电路及运算输出电路。可控开关连接碳化硅MOS管的源极和栅极,可控开关包括受控端。单向二极管与可控开关串联连接于碳化硅MOS管的源极和栅极,单向二极管的阳极连接碳化硅MOS管的栅极,单向二极管的阴极连接可控开关。电流检测电路与碳化硅MOS管连接,用于将流过碳化硅MOS管的电流转换为第一电压信号。运算输出电路的输入端连接电流检测电路的输出端,运算输出电路的输出端连接受控端,运算输出电路用于根据第一电压信号输出第二电压信号,以控制可控开关的导通电阻,进而控制碳化硅MOS管的栅极电压,从而控制碳化硅MOS管的电流。本申请可以限制碳化硅MOS管的短路电流。

    一种双有源桥变换器开路故障冗余处理系统及方法

    公开(公告)号:CN117375387A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311135539.3

    申请日:2023-09-05

    IPC分类号: H02M1/32 H02M3/335 H02H7/12

    摘要: 本发明属于电力电子变换器技术领域,具体涉及一种双有源桥变换器开路故障冗余处理系统及方法,双有源桥变换器的拓扑结构包括:高频变压器以及与高频变压器的输入端连接的原边全桥电路、与高频变压器的输出端连接的副边全桥电路。该方法包括:当双有源桥变换器发生开路故障后,确定故障发生位置所在的开关管;封锁故障发生位置所在的开关管的驱动脉冲,并利用移相控制技术控制预设的三重控制变量生成双有源桥变换器中剩余桥臂的驱动脉冲,使剩余桥臂正常工作。本申请提供的技术方案,实现了原副边故障冗余策略相同,使原副边以相同故障冗余工作,进而使双有源桥变换器电路在原副边均故障下能够继续运行,继续传输功率,防止电路因为故障而停机。

    一种应用于充电模块的自动清灰装置

    公开(公告)号:CN114405185A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111473399.1

    申请日:2021-11-30

    摘要: 一种应用于充电模块的自动清灰装置,包括机箱外壳、设置于所述机箱外壳相对两侧的风道口和滤网;还包括散热结构和用于清理所述滤网的自动清灰结构;所述散热结构和所述自动清灰结构安装于所述机箱外壳内;所述风道口、所述散热结构、所述自动清灰结构和所述滤网依次设置;所述散热结构和所述自动清灰结构可拆卸连接。本发明的装置通过自动清灰结构与散热结构之间可拆卸连接,使散热结构高速工作时独立作为散热设备,低速工作时与自动清灰结构连接,对滤网进行自动清灰处理,实现了自动清灰功能,降低了维护成本,提升了工作效率。

    一种多谐振LCLLC变换器系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN113489336A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202110804881.2

    申请日:2021-07-16

    IPC分类号: H02M3/335

    摘要: 本发明涉及一种多谐振LCLLC变换器系统及其控制方法,其包括:隔离变压器;第一变换器,设置在所述隔离变压器的原边侧;主谐振支路,设置在所述第一变换器与所述隔离变压器之间;辅助谐振支路,与所述主谐振支路并联;通过所述辅助谐振支路调整谐振电流波形,在传输相同的功率下,降低电流的有效值,减少开关器件的导通损耗;第二变换器,设置在所述隔离变压器的副边侧。本发明解决了现有技术中因拓扑等因素制约无法有效实现宽电压增益范围、功率传输受限的问题,本发明可以广泛在电网领域、电动汽车领域和储能领域中应用。

    电力电子器件的间接串联拓扑及控制方法

    公开(公告)号:CN113271012A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202110497556.6

    申请日:2021-05-07

    IPC分类号: H02M3/158

    摘要: 本发明涉及一种电力电子器件的间接串联拓扑,用于提高所述电力电子器件的耐电压水平,其包括串联在一起的N个电力电子器件;所述N为偶数,且大于等于四;第N/2个电力电子器件和第N/2+1个电力电子器件的连接处为负载端。所述间接串联拓扑控制方法为:控制距离所述负载端最远的电力电子器件,到距离所述负载端最近的电力电子器件依次关断;当所有电力电子器件都关断后,再控制距离所述负载端最近的器件,到距离所述负载端最远的器件依次导通;本发明提出的控制方法不需要每个功率半导体器件同时开通和关断,因此对器件驱动信号同步性要求比较低,具有很强的鲁棒性。