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公开(公告)号：CN109075046B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780025391.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，在半导体晶圆(18)贴附能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)后，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化，接着，对半导体晶圆(18)进行切割。对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而制成保护膜(13’)时，保护膜(13’)的拉伸弹性模量为500MPa以上。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。
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公开(公告)号：CN115132638A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210305547.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L23/544 , H01L21/67 , H01L21/50 , C09J7/29 , C09J7/40
Abstract: 本发明提供一种即使在经过回流焊处理等加热工序的情况下印字的识别性仍高的保护膜形成膜、具备该保护膜形成膜的保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及带保护膜的工件加工物、以及具备带保护膜的工件加工物等的装置的制造方法。所述保护膜形成膜用于形成保护膜，其中，保护膜形成膜具有印字贯穿层与印字识别层，在CIE1976L*a*b*色空间中，于260℃加热5分钟后的印字贯穿层与印字识别层的色差为50以上。
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公开(公告)号：CN108243614B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201680062173.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及固化性树脂膜及第1保护膜形成用片，该固化性树脂膜用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜，该固化性树脂膜在通过于160℃加热1小时而固化时的黄度指数(YI1)为45以下，或在通过于照度230mW/cm2、光量510mJ/cm2的条件下照射紫外线而固化时的黄度指数(YI2)为45以下。第1保护膜形成用片具备第1支撑片，并在第1支撑片的一侧表面上具备该固化性树脂膜。
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公开(公告)号：CN108138012B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201680060922.9
申请日：2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及第1保护膜形成用片，其是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的，上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的层，上述固化性树脂层的厚度与上述第1粘合剂层的厚度之和为110μm以上，且上述固化性树脂层的厚度为20μm～100μm。
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公开(公告)号：CN111066137A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880059086.1
申请日：2018-09-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/52 , H01L21/304 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B27/14 , B32B33/00 , C09J7/20 , C09J11/04 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种膜状烧成材料1及带支撑片的膜状烧成材料，所述膜状烧成材料1含有烧结性金属颗粒10及粘结剂成分20，其中，烧结性金属颗粒10的含量为15～98质量％，粘结剂成分20的含量为2～50质量％，所述膜状烧成材料1在60℃下的拉伸弹性模量为4.0～10.0MPa，在60℃下的断裂伸长率为500％以上；所述带支撑片的膜状烧成材料具备含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分膜状烧成材料1与设置在所述膜状烧成材料的至少一侧的支撑片2，其中，所述膜状烧成材料对支撑片的粘着力(a2)小于所述膜状烧成材料对半导体晶圆的粘着力(a1)，且所述粘着力(a1)为0.1N/25mm以上，所述粘着力(a2)为0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111051455A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055290.6
申请日：2018-05-10
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J11/04 , C09J201/00 , G01J1/02
Abstract: 本发明为一种膜状透明粘合剂，该膜状透明粘合剂为热固性或能量射线固化性，其固化后的波长800nm处的透光率为80％以上。优选固化后的波长800～2000nm处的透光率均为80％以上，优选固化后的波长850nm处的透光率为90％以上。
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公开(公告)号：CN105492558B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201480047439.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J133/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片材。本发明的半导体加工用片材(1)具备基材(2)及层积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：具有盐及能量线固化性基团的聚合物、以及除上述聚合物以外的能量线固化性粘着成分。该半导体加工用片材(1)，能够发挥充分的抗静电性，并且在能量线照射后剥离时抑制被粘物的污染。
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公开(公告)号：CN108713241A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015580.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/683 , C09J7/20
CPC classification number: H01L21/683 , C09J7/20
Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合片(101)，其在基材(11)上具备粘合剂层(12)、且在粘合剂层(12)上具备膜状粘接剂(13)而成，粘合剂层(12)的厚度为20μm～50μm，粘合剂层(12)的断裂伸长率为5％～50％。一种半导体芯片(9)的制造方法，该方法通过在该切割芯片接合片(101)的膜状粘接剂(13)的第1面(13a)上形成设置半导体晶片而成的中间结构体，使用切割刀在所述中间结构体上形成从所述半导体晶片的表面到达粘合剂层(12)但不到达基材(11)的切口(10)，由此分割所述半导体晶片。
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公开(公告)号：CN108140585A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061240.X
申请日：2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: B32B27/00 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/11
Abstract: 本发明的第1保护膜形成用片是在第1基材上层叠第1粘合剂层、并在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的，上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面上并通过进行固化而在上述表面上形成第1保护膜的层，在上述第1粘合剂层上层压上述固化性树脂层并进行固化处理后的上述第1粘合剂层及上述固化性树脂层之间的层间剥离力(1)大于在无铅焊锡SAC305的镜面抛光面上层压上述固化性树脂层并进行固化处理后的无铅焊锡SAC305的镜面抛光面及上述固化性树脂层之间的层间剥离力(2)，且上述层间剥离力(1)为2.0～100N/25mm。
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公开(公告)号：CN111066137B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880059086.1
申请日：2018-09-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/52 , H01L21/304 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B27/14 , B32B33/00 , C09J7/20 , C09J11/04 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种膜状烧成材料1及带支撑片的膜状烧成材料，所述膜状烧成材料1含有烧结性金属颗粒10及粘结剂成分20，其中，烧结性金属颗粒10的含量为15～98质量％，粘结剂成分20的含量为2～50质量％，所述膜状烧成材料1在60℃下的拉伸弹性模量为4.0～10.0MPa，在60℃下的断裂伸长率为500％以上；所述带支撑片的膜状烧成材料具备含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分膜状烧成材料1与设置在所述膜状烧成材料的至少一侧的支撑片2，其中，所述膜状烧成材料对支撑片的粘着力(a2)小于所述膜状烧成材料对半导体晶圆的粘着力(a1)，且所述粘着力(a1)为0.1N/25mm以上，所述粘着力(a2)为0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。
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