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公开(公告)号：CN105636781A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056121.6
申请日：2014-10-10
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: B32B5/18 , B32B27/08 , B32B2307/304 , B32B2307/412 , B32B2607/00 , C08J9/26 , C08J2201/046 , C08J2205/042 , C08J2207/00 , C08J2353/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种兼具高隔热性和高透明性的隔热膜及其制造方法。本发明的隔热膜具有塑料膜和形成在该塑料膜上的具有多孔结构的聚合物层。本发明的隔热膜的制造方法包括：(1)在塑料膜上形成嵌段共聚物层的工序，(2)在该嵌段共聚物层上形成微相分离结构的工序，(3)将该形成了微相分离结构的嵌段共聚物层的一个聚合物相的一部分或全部除去，从而形成具有多孔结构的聚合物层的工序。
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公开(公告)号：CN105027308A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480010624.X
申请日：2014-02-18
Applicant: 琳得科株式会社 , 国立大学法人九州工业大学
Abstract: 本发明提供一种导热系数低、且热电性能指数得到了进一步提高的热电转换材料、其制造方法、以及热电转换模块。所述热电转换材料包括具有微孔的多孔基板、以及形成在该多孔基板上的由热电半导体材料形成的热电半导体层，该多孔基板具有塑料膜(A)和形成在该塑料膜(A)上的聚合物层(B)，该微孔由该聚合物层(B)与塑料膜(A)的一部分形成。所述热电转换材料的制造方法包括制作多孔基板的基板制作工序、以及在所述多孔基板上使热电半导体材料成膜而形成热电半导体层的成膜工程，其中，所述基板制作工序包括工序1、工序2及工序3。所述热电转换模块使用了所述热电转换材料。
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公开(公告)号：CN104641479A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201480002414.6
申请日：2014-07-25
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电转换材料及其制造方法，所述热电转换材料的热电性能和弯曲性优异，能够以低成本简便地制造。所述热电转换材料包括支撑体和在该支撑体上具有的薄膜，所述薄膜由含有热电半导体微粒、耐热性树脂和离子液体的热电半导体组合物形成。所述热电转换材料的制造方法是制造包括支撑体和在该支撑体上具有的薄膜的热电转换材料的方法，所述薄膜由含有热电半导体微粒、耐热性树脂和离子液体的热电半导体组合物形成，该方法包括：在支撑体上涂布含有热电半导体微粒、耐热性树脂和离子液体的热电半导体组合物并进行干燥而形成薄膜的工序，以及对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN104205383A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380015224.3
申请日：2013-03-11
Applicant: 琳得科株式会社 , 国立大学法人九州工业大学
IPC: H01L35/16
Abstract: 本发明提供热电性能及折射性优异、能简便且低成本地制造的热电转换材料及其制造方法；本发明的热电转换材料在支持体上具有薄膜，所述薄膜包含含有热电半导体微粒以及导电性高分子的热电半导体组合物。本发明的热电转换材料的制造方法包括以下工序：在该支持体上，涂布该包含热电半导体微粒以及导电性高分子的热电半导体组合物并将其干燥，形成薄膜。
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公开(公告)号：CN104137284A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380011933.4
申请日：2013-02-19
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供导热系数低、热电性能指数提高了的热电转换材料及其制造方法；本发明的热电转换材料在基板上形成有热电半导体层，所述基板具有纳米结构，所述纳米结构是纳米级的微细孔状，所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的，其中，所述基板是由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物基板，所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成，所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋；以及，本发明的热电转换材料的制造方法包括：基板制作工序，制作具有所述纳米结构的嵌段共聚物基板；和成膜工序，将p型碲化铋或n型碲化铋成膜而形成热电半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103348417A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180063922.1
申请日：2011-11-28
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01L51/5203 , B82Y10/00 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , H01L51/442 , H01L51/5212 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明以提供一种表面电阻率低的透明导电性层压体、使用了该层压体的有机薄膜装置作为课题，该课题通过透明导电性层压体和使用该层压体的有机薄膜装置来解决，所述透明导电性层压体是将导电性金属图案层及含有导电性有机高分子化合物的导电性有机层依此顺序在透明基材的至少一面上直接层压而形成的，其特征在于，用于形成所述导电性金属图案层的材料为选自金、银、铜、铂中的至少一种或含有其中一种的合金。
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公开(公告)号：CN115700061A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180038636.3
申请日：2021-05-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H10N10/817 , H10N10/856 , H10N10/857 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供可防止由接合材料引起的电极上的热电转换材料的芯片的位置偏移、抑制邻接的热电转换材料的芯片之间的短路、热电转换材料的芯片与电极的接合不良的热电转换组件及其制造方法。该热电转换组件包含：具有第1电极的第1基板；具有第2电极的第2基板；由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片；由第1接合材料形成的第1接合材料层，所述第1接合材料层将该热电转换材料的芯片的一面和上述第1电极接合；以及由第2接合材料形成的第2接合材料层，所述第2接合材料层将上述热电转换材料的芯片的另一面和上述第2电极接合，其中，上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的熔点，或者上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的固化温度。
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公开(公告)号：CN115336017A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024577.4
申请日：2021-03-18
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供热电转换材料层中的热电转换材料的电阻率得到了减少的、具有热电性能高的热电转换材料层的热电转换模块，其具有由热电转换材料形成的热电转换材料层，所述热电转换材料至少包含热电半导体粒子，上述热电转换材料层具有空隙，将上述热电转换材料层的包含中央部的纵剖面的面积中上述热电转换材料的面积所占的比例设为填充率时，上述填充率大于0.900且小于1.000。
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公开(公告)号：CN113632253A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080025034.X
申请日：2020-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供能够通过简易的工序以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、且能够以最佳退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片的制造方法，其是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板上形成所述热电转换材料的芯片的工序；(B)对所述(A)的工序中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序；以及(C)将所述(B)的工序中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序，其中，所述热电半导体组合物包含热电半导体材料及树脂，所述退火处理的温度为该树脂的分解温度以上。
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公开(公告)号：CN112602203A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055534.5
申请日：2019-08-27
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有形状控制性优异的热电元件层且可高集成化的热电转换元件的制造方法，该方法是在基板(1)上包含热电元件层(4a、4b)的热电转换元件的制造方法，所述热电元件层(4a、4b)由包含热电半导体材料的热电半导体组合物形成，该方法包括：在所述基板上设置具有开口部(3)的图案框(2)的工序；在所述开口部填充所述热电半导体组合物的工序；将填充于所述开口部的所述热电半导体组合物干燥而形成热电元件层的工序；以及将所述图案框从基板上剥离的工序。
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