公开(公告)号：CN105264633B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201480031930.1

申请日：2014-05-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 ,  乔治·M·葛梅尔 ,  理查·艾伦·斯普林克 ,  诺曼·E·赫西 ,  法兰克·辛克莱 ,  常胜武 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  大卫·罗杰·汀布莱克 ,  库尔·T·岱可-路克

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/317

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/48 ,  G21K5/00 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明公开一种离子植入机与用于控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测系统与分析组件。检测系统用于检测在第一频率的离子束的多个束电流量测。分析组件用于判定基于多个束电流量测的离子束的变化，所述变化对应于在第二频率的离子束的束电流变化，所述第二频率不同于所述第一频率。所述系统也包括回应于分析组件的输出而调整离子束的调整组件以减少所述变化，其中当离子植入机中产生离子束时，所述分析组件与所述调整组件经设置以动态地将离子束的变化减少至低于阀值。

公开(公告)号：CN104823263B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380061200.1

申请日：2013-10-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 常胜武

IPC: H01J37/12 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/12 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/121 ,  H01J2237/151

Abstract: 本发明提供一种处理离子束的装置，其为离子束扫描总成。离子束扫描总成(202，300)包括扫描电极组(314a，314b，316a，316b，318)，扫描电极组界定一间隙(330)以接收离子束或在第一平面(xz‑平面)扫描离子束；以及静电多极透镜系统，包括多个电极(304，306，310，312)，沿部分藉由一对扫描电极所界定的离子束前进路径排列。静电多极透镜系统配置为在垂直于第一平面的方向(y)上改变离子束的形状。本发明的处理离子束的装置能在离子植入系统中形成更均匀的离子束。