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公开(公告)号：CN111158418B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010020223.X
申请日：2020-01-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源，用以克服现有的基于亚阈值技术的低电压带隙基准电压源需要用到BJT或二极管、导致占用芯片面积较大的问题。本发明在全MOSFET条件下，PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路均采用由栅极、衬底及源极相接的PMOS管与二极管接法的PMOS管串联的结构；巧妙的通过调节PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路中作为亚阈值电流源的PMOS的沟道长度，从而调节PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路中栅漏电流的大小，使得PTAT电压产生电路产生PTAT电压，CTAT电压产生与PTAT电压温漂系数互补的CTAT电压，进而得到了全MOSFET的低电压、低功耗亚阈值带隙基准电压源。
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公开(公告)号：CN113078233A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110239270.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0256
Abstract: 一种高响应度的硅基场效应管太赫兹探测器，属于太赫兹探测技术领域。包括减寄生嵌套型衬底、源极区域、漏极区域和栅极区域，减寄生嵌套型衬底包括工作区与减寄生区，工作区位于减寄生区上方，且位于源区与漏区之间；源极区域包括源区与源电极，漏极区域包括漏区与漏电极，栅极区域包括栅氧化层与栅电极。本发明采用减寄生嵌套型衬底，有效提高了探测器的响应度，优化了器件性能；并且与CMOS工艺兼容，具有集成度高、成本低、技术成熟的优势，具有极高的应用价值与潜力。
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公开(公告)号：CN109980015B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910255123.2
申请日：2019-04-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域，用以增大隧穿场效应晶体管的开态电流。本发明通过将隧穿场效应晶体管的上下栅介质层向源区延伸并部分覆盖到源区，源区一侧的栅介质层表面覆盖金属栅，源区另一侧栅介质表面覆盖偏置电极，偏置电极与该侧金属栅用隔离墙隔离，形成上下非对称的结构，通过对偏置电极外加偏压，或利用偏置电极与金属栅之间金属功函数差值，增强栅电极所覆盖部分的源区上下两侧的垂直于沟道方向的电场，增大了载流子线隧穿的强度，总的载流子隧穿区域与隧穿几率增大，从而有效增大器件的开态电流。
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公开(公告)号：CN112187191A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011013976.4
申请日：2020-09-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种采用双增益提升电感的共源共栅放大器，属于射频集成电路领域，包括共源共栅结构、栅极增益提升电感、Z嵌入网络电感、直流旁路电容；共源管的栅极连接信号输入端和偏置电压Vb2，共源管的源极通过Z嵌入网络电感接地，共源管的漏极连接共栅管的源极，共栅管的漏极连接信号输出端和电源电压，共栅管的栅极通过栅极增益提升电感连接偏置电压Vb1，同时在栅极增益提升电感连接偏置电压Vb1的一端，通过直流旁路电容与共源管的源极相连。本发明通过在传统共源共栅放大器中设置栅极增益提升电感、Z嵌入网络电感和直流旁路电容，在增大单向增益的同时引入线性互易网络，进而大大提升在接近晶体管最大工作频率处的增益。
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公开(公告)号：CN104793634A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510154847.X
申请日：2015-04-02
Applicant: 西安电子科技大学 , 南京东尚能源科技有限公司 , 无锡东尚信息技术有限公司
IPC: G05D3/12
Abstract: 本发明公开了一种主动向日跟踪式太阳能资源测量方法，为实现向日跟踪的精确性和连续性，在光照强度足够的条件下，使用四象限计算控制平台对日偏差值；在光照强度不足的条件下，使用太阳轨迹计算控制平台的偏差值。通过两种控制平台对日偏差值计算方法的自动切换，实现控制平台向日跟踪的准确性和连续型。由于辐射传感器时刻对准太阳，消除了太阳辐射测量过程中的余弦误差，提高了太阳辐射的测量精度。本发明采用两种控制平台对日偏差值计算方法，实现了控制平台准确跟踪太阳运动轨迹，保证了太阳辐射量的准确性，提高了太阳能资源的测量精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119210357A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411176702.5
申请日：2024-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于耦合器巴伦有源负载调制网络的宽带Doherty功率放大电路，属于射频集成电路领域，包括输入匹配网络、自适应偏置电路、主功率放大器、辅助功率放大器和输出匹配网络；输出匹配网络由两对差分耦合器和一段30°的传输线组成，使Doherty功率放大器具有宽带有源负载调制的功能。在65纳米CMOS工艺下，相对带宽40％的工作频率范围内，本发明表现出良好的功率回退特性，在宽带范围内具有高回退效率。
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公开(公告)号：CN116131772B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202310036410.0
申请日：2023-01-09
Applicant: 电子科技大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
Abstract: 本发明提供一种自适应偏置的抗辐照射频SOI功放的电路，属于射频集成电路领域，包括抗辐照自适应偏置电路和四堆叠功放。抗辐照自适应偏置电路的包括辐照检测电路与偏置产生电路，四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、外部栅极电容、偏置电阻以及射频扼流电感。由于总剂量辐照效应，当辐照照射时，晶体管的性能会下降，功放的性能也因此下降，本发明通过在传统四堆叠功放中添加抗辐照的自适应偏置网络，在辐照情况下自适应地调整四堆叠功放的偏置，能够明显提高功放的抗辐照性能。在10 GHz的工作频率处，本发明相比于传统的四堆叠功放，其增益、功率附加效率和饱和输出功率在300 krad的辐照环境下均有明显的改善。
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公开(公告)号：CN118523058A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410680047.0
申请日：2024-05-29
Applicant: 电子科技大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种基于变压器的四路功率合成结构，属于射频集成电路领域，包括变压器、隔离支路、匹配电容和去耦电容。通过在两级变压器之间引入并联的匹配电容实现了输入端口的良好匹配，通过两级变压器实现了差分到单端转换的功能；通过在变压器之间引入并联的隔离支路，实现了输入端口之间的有效隔离。综上，本发明提供一种带有隔离、阻抗匹配、差分到单端转换等功能的基于变压器的四路功率合成结构。与传统的威尔金森功率合成器相比，本发明占用面积较小，除端口隔离以及功率合成的功能外，还同时具有阻抗匹配、差分到单端转换等功能。
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公开(公告)号：CN117997275A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410036558.9
申请日：2024-01-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03B5/12
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，提供一种采用电感电容双调谐的高效率谐波压控振荡器，用以解决在毫米波频段下随频率上升所导致的无源器件的损耗增加(特别是无源可变电容的性能恶化)，使得压控振荡器调谐范围小和输出功率低的问题；本发明包括：Push‑Push谐波振荡器、有源可变电容和磁调谐电感，通过采用有源电容技术，解决了因频率上升所导致的无源可变电容的性能恶化问题，使得输出功率得以改善，与有源可变电容所引入的功耗相比，电路效率得到极大提升。同时，通过采用电感磁调谐技术，在不引入额外功耗的前提下，提升了调谐范围，与传统的电感调谐技术。
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公开(公告)号：CN114513169B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210030460.3
申请日：2022-01-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用退化电感技术的150‑170GHz宽带低相位误差可变增益放大器，用以用以有效降低不同增益档位之间的相位误差、同时有效扩展带宽。本发明由依次级联的四个可变增益放大器单元电路构成，每个可变增益放大器单元电路在电流舵型cascode结构的基础上、于共基管与共射管的中间节点引入相位补偿电感MTL，通过设计相位补偿电感MTL的电感值(MTLN或MTLP)，使得前两级单元电路与后两级单元电路实现不同的增益‑相位特性(反向变换或同步变换)；最终通过四级单元电路级联实现相位抵消，即有效减小相位误差，实现宽带低相位误差可变增益放大器。
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