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公开(公告)号：CN117497422A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311228225.8
申请日：2023-09-22
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/423
Abstract: 本发明提供了一种高稳定性高性能氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底形成源漏极之后，并覆盖上一层氧化物半导体层，并使用两种气体对氧化物半导体层上在PECVD装置中进行等离子处理；本发明避免了一般等离子处理需要额外的步骤以及机器，通过在PECVD装置中直接进行等离子处理，降低制造工艺的复杂性，同时获得了稳定性良好、器件性能优良的氧化物晶体管。
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公开(公告)号：CN115666149A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211580080.3
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法，由硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有一维核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN110932592B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911259957.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 福州大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明提出一种自供电触觉传感摩擦纳米发电机其制备方法，包括下基板、下电极、摩擦介质层、上电极和上基板，下电极设于下基板上；摩擦介质层设于下电极上；上电极设于上基板上，摩擦介质层为双网络薄膜；纳米发电机初始状态下的摩擦介质层与上电极分离，当纳米发电机受到预压力而进入工作状态时，双网络薄膜与上基板摩擦使两者表面积累电荷并在上电极和下电极间形成平衡电位；当因受到触摸使纳米发电机所受压力变化时，上电极与下电极的间距变化使电位的平衡状态无法维持，从而形成上电极与下电极之间的信号电流和开路电压；本发明能制备同时实现化学改性和物理改性的摩擦电薄膜，从而得到更高的表面摩擦电荷密度以获得更高效的摩擦纳米发电机。
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公开(公告)号：CN111952475A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010829314.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；配制ZnO前驱体溶液和PEIE溶液并在ITO玻璃上先后旋涂，制得ZnO/PEIE薄膜；配制含有银纳米颗粒的DMF溶液，将含有及不含有银纳米颗粒的DMF溶液作为溶剂溶解钙钛矿，制备钙钛矿前驱体溶液；在ZnO薄膜表面旋涂上述溶液，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿薄膜；配制空穴传输层前驱体溶液并在钙钛矿发光层表面旋涂，干燥形成空穴传输层；将氧化钼和金蒸发到样片上，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件。该方法不仅在提高电子空穴浓度的同时提高了钙钛矿的稳定性，而且制备工艺简单，制作成本低。
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公开(公告)号：CN111952473A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010829057.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间隙之间堆积，从而提高了钙钛矿发光层的抗水氧腐蚀性，而且还防止了电子、空穴在间隙处的直接复合，从而提高了器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952471A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828295.7
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。
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公开(公告)号：CN111952469A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828284.9
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。
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公开(公告)号：CN111952468A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828202.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层上旋涂量子点反溶剂去除部分有机物，使得量子点与功能层接触良好的同时有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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公开(公告)号：CN108258058B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810061249.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的电学性能。
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公开(公告)号：CN108190959B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810061274.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，熔融碱金属（锂、钠、钾）为溶剂，在高纯氩气的保护下，将碱金属离子嵌入到MoS2层之间，通过缓慢加入去离子水超声、离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单、充分利用碱金属嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
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