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公开(公告)号:CN105254294B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201510621100.0
申请日:2015-09-25
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种正线性容温变化率介质材料及其制备方法,该介质材料以[(1‑x)BaTiO3‑xBiyNazTiO3]为基材,添加Nb2O5、RE2O3、MnCO3、BiBO3;其中:x=0.05‑0.15,y=0.4‑0.6,z=0.4‑0.6,在[(1‑x)BaTiO3‑xBiyNazTiO3]中BaTiO3和BiyNazTiO3的摩尔比为(1‑x):x;RE为Sm,Er或者Ce的一种或多种;本发明提供的适用于正线性容温变化率多层陶瓷电容器介质材料,具有介电损耗低,工作温度区间(‑55℃‑150℃),良好的温度稳定性(‑15%≤ΔC/C≤15%),工作温度范围内容温变化为正线性变化等特点。利用本发明可设计(‑55℃‑150℃)温度范围内的容温补偿电容器,补偿由于功能电路中电容器温升产生的负作用,平衡全温度段的电荷容量,从而提高电路稳定性、可靠性。有极高的产业化前景及工业应用价值。
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公开(公告)号:CN105060877B
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201510568485.9
申请日:2015-09-09
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号: C04B35/46 , C04B35/626
摘要: 本发明提供一种高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法。该种高介电常数AG特性介电陶瓷材料,其原料组分为:wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3化合物、Li1/2Re1/2O3、BaB2O4、ZnO;其制作方法为以wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3为主基料,Li1/2Re1/2O3、ZnO、BaB2O4为添加料,通过水为分散介质,球磨、烘干、粉碎并造粒、并将造粒后的粉料压制成圆片生坯,然后在空气气氛中升温至1100~1200℃,保温烧结2‑4h,即制得高介电常数AG特性介电陶瓷材料。上述所制得的介电陶瓷材料不含Pb等有害金属,介电常数高达90以上,具有AG特性(90±20ppm/K),超低介电损耗,高温度稳定性,可用于制造高频、热稳定性优良的独石电容器。
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公开(公告)号:CN106348748A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610738044.3
申请日:2016-08-26
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12
CPC分类号: C04B35/4682 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , H01G4/1218
摘要: 本发明属于多层陶瓷电容器材料技术领域,特别涉及高温X8R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法。该种高温X8R型陶瓷电容器介质材料,以钛酸钡和钛酸铋钠钡的共融物为主基料,添加铌锰和A的氧化物的共融物、硅锂共融物、硼钡共融物、Re2O3,其中,元素A为钴、镍、锌、铋等的一种或几种,元素Re为稀土元素镨、钐、钆、钕、镝等的一种或几种。使用本发明高温X8R型陶瓷电容器介质材料制得的电容器具有高介电常数、高耐压强度、高温度稳定性,并且能够在制备多层瓷介固定电容器时与中低温烧结的30Pd-70Ag内电极相匹配而实现中温烧结,并实现在高温环境的应用,具有较高的产业化前景和工业应用价值。
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公开(公告)号:CN103214239B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201310162910.5
申请日:2013-05-06
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号: H01B3/12 , C04B35/468 , C04B35/63
摘要: 本发明公开了一种高介电常数X8R型MLCC介质材料,该介质材料以100重量份的钛酸钡为基材,添加有如下重量份的成分:2~14重量份的ZnNb2O6;该介质材料采用包括如下步骤的制备方法制得:1)将Nb2O5和ZnO按照摩尔比1:1,进行配比、称量、混合、过筛并于800~950℃煅烧,球磨、烘干获得ZnNb2O6;2)以100重量份的钛酸钡为基材,添加2~14重量份的ZnNb2O6后进行配料,用去离子水作为分散介质,球磨、烘干并造粒;3)将造粒后的粉料压制成圆片生坯,在450~550℃排有机物,然后在空气气氛中升温至1200~1230℃,烧结3h,即制得X8R型MLCC介质材料。
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