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公开(公告)号：CN113169011B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201980078886.2
申请日：2019-11-06
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入系统和方法提供带状离子束的非均匀通量。形成点离子束并将其提供给扫描仪，并且向扫描仪施加具有时变电势的扫描波形。扫描仪在扫描路径上对离子束进行扫描，从而大体上限定由多个子束组成的扫描离子束。然后，扫描射束通过校正器装置。校正器装置构造成在整个工件上以大体上恒定的入射角朝向工件引导扫描离子束。校正器装置还包括多个磁极，该多个磁极构造成在理想点离子束以基本上恒定的速度完全扫描工件的理想情况下，在工件处提供扫描离子束的非均匀通量分布，其中，非均匀通量分布具有从工件的中心区域向工件的边缘基本上单调增加的通量。
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公开(公告)号：CN112567492B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201980053599.6
申请日：2019-08-21
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317 , H01F3/02 , H01F7/20 , G21K1/093 , G21K5/00
Abstract: 扫描磁体位于离子注入系统的质量分辨磁体的下游，并且被配置为控制质量分辨磁体下游的离子束路径以用于扫描或抖动离子束。扫描磁体具有其中界定有通道的轭部。轭部是含铁的并且具有第一侧和第二侧以界定离子束的对应入口和出口。轭部具有从第一侧到第二侧所堆栈的多个层合物，其中与第一侧和第二侧相关联的多个层合物的至少一部分包括一个或多个槽口式层合物，一个或多个槽口式层合物具有界定在其中的多个槽口。
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公开(公告)号：CN110678954B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201880036357.1
申请日：2018-06-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/05
Abstract: 一种离子注入系统具有形成离子束的离子源。质量分析器沿射束路径限定并改变经质量分析的射束。可动质量解析孔径组件具有解析孔径，响应于质量分析器改变射束路径而选择性改变该解析孔径的位置。定位的偏转减速元件选择性偏转射束路径并选择性使经质量分析的射束减速。控制器在漂移模式和减速模式下选择性操作离子注入系统。控制器在漂移模式下使经质量分析的射束沿第一路径穿过解析孔径而不会发生偏转或减速，而在减速模式下使射束沿第二路径偏转并减速。选择性改变解析孔径的位置是基于穿过质量分析器和偏转减速元件的射束路径变化。
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公开(公告)号：CN107112180B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201580070492.4
申请日：2015-12-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 爱德华·艾伊斯勒
IPC: H01J37/08 , H01J37/141 , H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种用于离子注入系统的组合扫描与聚焦磁体。所述组合扫描与聚焦磁体包括具有高磁导率的轭圈。所述轭圈限定配置成使离子束贯穿其中的通孔。一个或多个扫描仪线圈在操作上被耦合至所述轭圈并被配置成在被电气耦合至电源供应器时产生时变、主要偶极的磁场。一个或多个聚焦线圈在操作上被耦合至所述轭圈并被配置成产生主要多极的磁场，其中，所述主要多极的磁场为静态场或时变场中之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107094371A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201580067666.1
申请日：2015-12-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/1478 , H01J37/3171 , H01J2237/0458 , H01J2237/057 , H01J2237/152 , H01J2237/24528 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
Abstract: 离子注入系统(110)使用质量分析器(126)来进行质量分析和角度校正。离子源沿束路径产生离子束(124)。质量分析器放置在离子源的下游，所述质量分析器对离子束执行质量分析和角度校正。位于孔径组件(133)内的分辨孔径(134)位于质量分析器部件的下游并位于束路径上。分辨孔径具有根据所选择的质量分辨率以及离子束的束包络的尺寸和形状。角度测量系统(156)位于分辨孔径的下游并获得离子束的入射角值。控制系统(154)根据来自角度测量系统的离子束的入射角值导出针对质量分析器的磁场调整。
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公开(公告)号：CN102257592B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN200980150790.9
申请日：2009-12-10
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 爱德华·艾伊斯勒
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/1538 , H01J2237/24542 , H01J2237/30472
Abstract: 本发明提供了离子注入系统和扫描系统，其中提供了聚焦调整部件用于调整离子束的聚焦性质，来减小扫描器在离子束上的零场效应。聚焦性质可以被调整，用于改善跨过工件扫描的束轮廓的一致性，或改善跨过工件的离子注入的一致性。本发明公开了将经扫描的离子束提供给工件的方法，包括扫描离子束以产生经扫描的离子束，关于扫描器在离子束上的零场效应调整离子束的聚焦性质，以及朝向工件引导离子束。
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公开(公告)号：CN102292791A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005104.1
申请日：2010-01-22
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 马文·法利 , 罗纳德·博尔纳 , 杰弗里·莱丁 , 西奥多·斯米克 , 高尾坂濑 , 罗纳德·霍纳 , 爱德华·艾伊斯勒 , 布赖恩·弗瑞尔 , 马克·朗伯 , 多诺万·贝克尔 , 保罗·艾德
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542
Abstract: 一种离子束角度校准和发射度测量系统(200)，包括：其中具有细长缝(204)的板，其中细长缝位于板的转动中心，并用于使第一束部分(213)在其中穿过。束电流探测器(202)位于板的下游，其中束电流探测器包括缝(208)，用于使第一束部分的第二束部分(215)从中穿过，其中束电流探测器用于测量与第一束部分相关的第一束电流。束角度探测器(206)位于束电流探测器的下游，用于探测与第二束部分相关的第二束电流。所述板、束电流探测器和束角度探测器被设置为共同围绕所述板的转动中心旋转。
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公开(公告)号：CN102257592A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980150790.9
申请日：2009-12-10
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 爱德华·艾伊斯勒
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/1538 , H01J2237/24542 , H01J2237/30472
Abstract: 本发明提供了离子注入系统和扫描系统，其中提供了聚焦调整部件用于调整离子束的聚焦性质，来减小扫描器在离子束上的零场效应。聚焦性质可以被调整，用于改善跨过工件扫描的束轮廓的一致性，或改善跨过工件的离子注入的一致性。本发明公开了将经扫描的离子束提供给工件的方法，包括扫描离子束以产生经扫描的离子束，关于扫描器在离子束上的零场效应调整离子束的聚焦性质，以及朝向工件引导离子束。
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公开(公告)号：CN102124538A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980123989.2
申请日：2009-06-23
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/057 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子束一致性控制系统，其中，该一致性控制系统系包含：差动泵送室，其围绕单独的控制的气体喷射器的阵列，其中，单独控制的气体喷射的气体压力由控制器所驱动以改变电荷交换离子的比率，且于气体与离子之间的电荷交换反应改变了具有一宽离子束的原始电荷状态的离子的比率，其中，宽离子束的电荷交换部分系利用其产生磁场的一偏转器而移除；法拉第杯轮廓仪，用于测量宽离子束轮廓；且，基于提供至控制器的反馈而调整单独控制的气体喷射以得到期望的宽离子束。
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