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公开(公告)号：CN111933727A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010832614.1
申请日：2020-08-18
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05
摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳电池背电极结构，包括电池片主体和设置在电池片主体背面的钝化介质层，还包括设置在钝化介质层的凹槽、覆盖凹槽且与电池片主体连接的第一铝栅线层以及多条设置在钝化介质层与第一铝栅线层连接的铝主栅线层。通过在电池片主体的背面的钝化介质层设置凹槽，在凹槽上覆盖设置第一铝栅线层，使得第一铝栅线层与电池片主体连接，由于第一铝栅线层仅仅是覆盖凹槽设置而不是覆盖整个钝化介质层设置，在烧结过程中铝硅界面附近液态铝中的硅向远离铝硅界面方向的扩散得到抑制，从而保持铝硅界面附近液态铝中的硅浓度在较高的水平，进而增加铝背表面场深度，抑制铝硅界面附近空洞的形成，提高电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN111710730A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010606900.6
申请日：2020-06-29
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且采用单卡位单插的方式放置，在P型单晶硅片的正面和背面同时形成AlOx层，然后在背面沉积SiNx层。本发明通过在正面形成全覆盖的AlOx层且位于SiNx层上方，实现了折射率的变化次序，更有利于光线的全反射，增加电池对入射光的有效吸收，且有利于降低金属区域的接触电阻率，提升电池的填充因子，提升电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN110610998A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910904527.X
申请日：2019-09-24
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及制备方法，其电池正表面的整体复合速率进一步降低。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面，正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN110571149A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910733946.1
申请日：2019-08-09
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种P型全接触钝化太阳能电池的制备方法，其能够消除背面氧化物薄层和多晶硅或非晶硅薄层的正面绕镀现象。所述制备方法依次包括如下步骤：A、对P型硅片进行制绒，且对制绒后硅片的背面进行刻蚀抛光；B、在硅片背面制备氧化物薄层，在氧化物薄层上制备多晶硅或非晶硅薄层；C、对多晶硅或非晶硅薄层进行硼掺杂；D、硅片以背面向上的方式经过刻蚀液，去除硼硅玻璃和硅片正面氧化物薄层及多晶硅或非晶硅薄层绕镀；E、在硅片背面的掺杂多晶硅薄层上制备氮化硅层；F、硅片正面酸洗后再次制绒，并进行磷掺杂；G、酸洗去除磷硅玻璃后，进行硅片正面热氧化；H、硅片正面镀氮化硅层；I、制作电极。
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公开(公告)号：CN110212057A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910474322.2
申请日：2019-05-31
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225
摘要： 本发明提供一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括提供P型硅片；在硅片的背面生成氧化硅层；在氧化硅层上沉积非晶硅层；在非晶硅层上涂覆硼浆并烘干，以在非晶硅层上形成含硼阻挡层；对硅片进行热处理，热处理包括依次连续进行的第一热处理、第二热处理和第三热处理；对硅片进行蚀刻处理；在硅片正面沉积第一钝化膜，并在硅片背面沉积第二钝化膜；在硅片正面和背面设置金属电极。通过将非晶硅晶化、硼扩散和磷扩散三个独立进行的高温处理工序整合为一个工序，简化了制备工艺，能够提高电池良率，缩短生产周期，提高产能。由于简化电池高温处理工艺，从而减小对少子寿命的影响，有助于提高电池效率。
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公开(公告)号：CN110047974A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910329152.9
申请日：2019-04-23
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池清洗方法，包括：利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，并对预清洗后的硅片进行水洗；对硅片进行碱抛光，并进行水洗；利用含O3的溶液对碱抛光后的硅片进行清洗，并利用含HCL和HF的混合液对硅片进行清洗；对硅片进行水洗，并对硅片进行烘干。本申请公开的上述技术方案，在对硅片进行碱抛光之前及在对硅片进行碱抛光之后，均利用含O3的溶液来对硅片进行清洗，由于O3较易获取，其成本比KOH+H2O2混合液成本低，因此，则可以降低对硅片进行清洗的成本，而且由于O3在反应后直接生成O2，则无需利用专门的管路和容器等来对清洗后的清洗物进行处理，从而则可以简化其处理过程，降低后续处理的繁琐程度。
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公开(公告)号：CN109755348A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910027475.2
申请日：2019-01-11
申请人： 四川大学 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于低倍聚光碲化镉薄膜太阳电池组件的方法，属于化合物半导体薄膜太阳电池的结构设计技术领域。通过用脉冲Nd:YAG激光对具有完整器件结构的CdTe薄膜太阳电池进行激光刻划，得到面积可调的单元电池，通过用低温银浆结合金属焊接的方式引出金属背电极，用焊带将各子电池按照符合不同聚光比聚光器所需间隔进行串联集成，从而形成专用于低倍聚光组件的碲化镉薄膜太阳电池组件。
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公开(公告)号：CN109599454A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811644781.2
申请日：2018-12-29
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/043
摘要： 本发明涉及电池背面结构，具体涉及一种太阳能电池背面结构设计，包括背面电池，所述背面电池包括多个电池片，所述电池片上左侧背面均设有竖向背电极，所述电池片上右侧正面均设有竖向正电极，相邻电池片左右叠瓦电性连接，所述电池片上设置有多行焊点，相邻电池片的每行焊点各焊接有一条焊带，所述电池片的正电极上设有导电胶，所述焊带的背面和正面分别通过导电胶和背电极与相邻的电池片电性连接。本发明通过一种新型的背面焊带图形设计，且电池片背面使用焊带焊接技术进行连接，在保证充足的正面受光面积的同时降低了由于电池裂片而导致整串电池的失效风险。
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公开(公告)号：CN109461777A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811242783.9
申请日：2018-10-24
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种PERC电池背面钝化结构及其制备方法。一种PERC电池背面钝化结构，包括硅基底，还包括依次层叠的氧化硅钝化膜层、氧化铝钝化膜层及氮化硅钝化膜层，所述氧化硅钝化膜层形成于所述硅基底上，所述氧化铝钝化膜层形成于所述氧化硅钝化膜层上，所述氮化硅钝化膜层形成于所述氧化铝钝化膜层上。该背面钝化结构有助于减少硅基底表面态密度，具有较低的内反射，同时氧化铝保持良好的钝化效果，提升电池开路电压和短路电流，进而提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN109346543A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811145860.9
申请日：2018-09-29
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/048
摘要： 本发明公开了一种用于光伏组件的层压辅助装置，包括两个折叠片，两个折叠片相连且在二者之间形成对应光伏组件的溢胶位置的通孔，各折叠片分别具有第一表面及第二表面，每个折叠片的第一表面上分别与光伏组件的引出线相互配合的卡槽，卡槽的一端开放以使引出线插入卡槽中，层压辅助装置具有合拢状态和打开状态，在合拢状态时，两个折叠片相互靠拢，两个折叠片的第二表面之间构成第一夹角；在打开状态时，两个折叠片相对打开，两个折叠片的第二表面之间构成第二夹角，第一表面面向光伏组件；第二夹角大于第一夹角，且第一夹角大于等于0且小于180度。避免了组件层压过程中的溢胶粘连引出线的问题，且安装和拆卸均较方便。
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