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公开(公告)号：CN108598714A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810389169.9
申请日：2018-04-26
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 一种极化无关的电磁感应透明超材料结构，属于超材料技术领域，解决了现有非对称结构的电磁感应透明超材料的电磁感应透明特性受限于入射波极化方向稳定度的问题。本发明所述的电磁感应透明超材料结构包括介质基板和风车形金属单元，介质基板为正方形，风车形金属单元包括第一金属线～第四金属线，四者的形状和尺寸均相同。第一金属线为由长线和两条短线构成的直角Z形结构，第一金属线～第四金属线共平面且长边共形心地刻蚀在介质基板上。对于介质基板上的第一金属线～第四金属线，前者逆时针旋转45°后与后者重合。本发明所述的电磁感应透明超材料结构基于金属线之间散射电磁场的破坏性耦合来模拟实现电磁感应透明效应。
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公开(公告)号：CN107910651A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711086042.1
申请日：2017-11-07
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了极化和入射角度不敏感的低损耗电磁感应透明全介质超材料结构，属于超材料技术领域。该低损耗电磁感应透明全介质超材料结构的第一立方体的立方面沿空间直角坐标系的X轴方向和Y轴方向分别开设第一正方形空气孔和第二正方形空气孔，第一正方形空气孔和第二正方形空气孔的重心均与第一立方体的重心重合；第二立方体的立方面沿空间直角坐标系的X轴方向和Y轴方向分别开设第三正方形空气孔和第四正方形空气孔，第三正方形空气孔和第四正方形空气孔的重心均与第二立方体的重心重合，第二立方体与第一立方体之间的间隙为1mm。当这两种谐振器被组合成超材料单元时，由于米氏电磁谐振之间的近场耦合作用，可实现低损耗、高透波率的目的。
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公开(公告)号：CN105336362B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510915575.0
申请日：2015-12-10
IPC分类号： G11C11/413
摘要： 抗辐射加固的静态随机存取储存器，涉及抗辐射加固电路领域。本发明是为了解决现有的静态随机存取储存器对空间和自然辐射环境下的辐射粒子敏感，导致可靠性差的问题。本发明所述的由12个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8以及NMOS晶体管N1、N2、N3和N4。本发明可以对SRAM单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。它用在集成电路设计中。
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公开(公告)号：CN106847324A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218756.9
申请日：2016-12-26
IPC分类号： G11C7/24 , H03K19/003
CPC分类号： G11C7/24 , H03K19/00338
摘要： 抗辐射存储单元，涉及集成电路设计领域。本发明是为了解决现有缺少对存储器进行抗辐射加固设计的问题。本发明包括PMOS晶体管P1、PMOS晶体管P2、PMOS晶体管P3、PMOS晶体管P4、PMOS晶体管P5、PMOS晶体管P6、NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N2、NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4；在电荷共享引起的多节点翻转现象中，多余两个节点的电荷共享是不会引起存储器状态发生有效地改变，因此，本发明对抗多节点翻转加固主要考虑的是对两个敏感节点进行抗辐射加固。用于对两个敏感节点进行抗辐射加固。
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公开(公告)号：CN118920112A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411071697.1
申请日：2024-08-06
申请人： 齐齐哈尔大学
摘要： 用于打印成像和全息成像的全空间八通道超表面单元及其排布方法，涉及编码超表面技术领域。本发明是为了解决超表面成像技术在信息容量和操作空间上的限制以及电磁资源浪费的问题。本发明所述的用于打印成像和全息成像的全空间八通道超表面单元及其排布方法，利用超表面的频率复用能力，能够在多个频率上独立控制电磁波特性，在实际应用时通过高度精确的振幅和相位控制，能够实现高效的电磁波控制，并采用打印成像与全息成像结合的方法，提高超表面的信息容量。使得超表面可以在反射空间和传输空间有效工作，并且与打印、全息技术相结合极大地增强了系统集成度。本发明适用于全空间超表面全息成像技术领域。
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公开(公告)号：CN114552228A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210318775.8
申请日：2022-03-29
申请人： 齐齐哈尔大学
摘要： 基于2位相位编码的单层全空间超表面单元及编码超表面，涉及电磁结构技术领域。本发明是为了解决传统编码超表面在进行全息成像时，只能实现半空间全息成像，而能够实现全空间全息成像的超表面层数多、体积大的问题。本发明包括依次层叠设置的顶层、介质层和底层，顶层包括“π”字形金属贴片和矩形框金属贴片，“π”字形金属贴片的每个线条中间均留有缝隙，底层为矩形接地金属片，底层上开有两个直角缝隙，两个直角缝隙以底层的一个对角线为对称轴呈轴对称设置、且开口相对，两个直角缝隙的角分别与底层相对的两个角正对。本发明避免了电磁资源的浪费，满足超表面全息成像在小型化、高度集成化的需求。
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公开(公告)号：CN113258299A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110522865.4
申请日：2021-05-13
申请人： 齐齐哈尔大学
IPC分类号： H01Q15/14
摘要： 用于全空间电磁全息成像的单层编码超表面，涉及编码超表面技术领域。本发明是为了解决现有多层介质级联结构实现的超表面全息体积大、不利于与现代电磁器件或系统进行集成的问题。本发明编码单元包括上金属层和下金属层，上金属层包括“Ⅱ”字形的第一金属片和两个矩形环并列排布而成的第二金属片，第一金属片和第二金属片重叠设置、且呈“十”字形结构，第二金属片的一条边与介质层的一条边相互平行，下金属层能够完全覆盖介质层下表面，下金属层上开有与第二金属片形状完全相同的镂空结构，该镂空结构与第二金属片镜像对称，上金属层、下金属层和介质层的几何中心重叠设置。
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公开(公告)号：CN113258294A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110521838.5
申请日：2021-05-13
申请人： 齐齐哈尔大学
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 一种用于全空间全息成像的单层宽频带幅度编码超表面，涉及编码超表面技术领域。本发明是为了解决现有编码超表面在全空间调控电磁波方面存在级联层数多以及工作频带窄的问题。本发明编码单元包括十字形金属层和矩形金属层，十字形金属层的金属条沿其长度方向设有条形缝隙，两个金属条的中点相交且构成十字形，矩形金属层能够覆盖介质层下表面，矩形金属层开有矩形环状的镂空结构，该镂空结构相对的两边中点通过条形开口连通，十字形金属层、矩形金属层和介质层的几何中心重叠。
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公开(公告)号：CN107680629B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201711034005.6
申请日：2017-10-30
摘要： 一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法，涉及低冗余矩阵码构造方法。解决了现有编码器和译码器对存储器进行加固的方式，影响存储器性能的问题。针对单粒子翻转效应中的多单元翻转效应，本发明基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码，且该低冗余矩阵码为错误纠错码，对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵，m≠4，m为行数，n为列数，采用本发明所提出的构造方法构造的低冗余矩阵码，低冗余矩阵码可以纠正随机1位错误，连续2位错误，直至最大连续n‑1位错误，需要冗余位的个数为2n。本发明主要用于对储器进行加固，还用于对磁盘整列以及信息通讯等领域进行保护。
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公开(公告)号：CN109831294A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910002292.5
申请日：2019-01-02
摘要： 本发明实施例提供一种SPN型分组密码抗故障攻击能力评估方法及装置，所述方法包括：获取SPN型分组密码的密文差分；根据密文差分，利用不可能故障差分路径，获取剩余秘钥空间；根据逆代数差分方程，获取剩余秘钥个数；将剩余秘钥个数，输入至预设的算法模型，输出最终攻击次数，以供根据最终攻击次数评估SPN型分组密码的抗故障攻击能力。本发明实施例提供的SPN型分组密码抗故障攻击能力评估方法及装置，结合不可能故障差分攻击和代数故障差分分析能够对SPN型分组密码进行快速的分析，并通过该方法能够有效地模拟激光注入过程中由于扰动产生的冗余故障，有效并准确地预测攻击次数，更加实际和快速地分析分组密码的抗故障攻击能力。
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