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公开(公告)号：CN113258299B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110522865.4
申请日：2021-05-13
申请人： 齐齐哈尔大学
IPC分类号： H01Q15/14
摘要： 用于全空间电磁全息成像的单层编码超表面，涉及编码超表面技术领域。本发明是为了解决现有多层介质级联结构实现的超表面全息体积大、不利于与现代电磁器件或系统进行集成的问题。本发明编码单元包括上金属层和下金属层，上金属层包括“Ⅱ”字形的第一金属片和两个矩形环并列排布而成的第二金属片，第一金属片和第二金属片重叠设置、且呈“十”字形结构，第二金属片的一条边与介质层的一条边相互平行，下金属层能够完全覆盖介质层下表面，下金属层上开有与第二金属片形状完全相同的镂空结构，该镂空结构与第二金属片镜像对称，上金属层、下金属层和介质层的几何中心重叠设置。
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公开(公告)号：CN114583466A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210317493.6
申请日：2022-03-29
申请人： 齐齐哈尔大学
IPC分类号： H01Q15/14
摘要： 一种用于四通道全息成像的单层编码超表面单元，涉及电磁结构技术领域。本发明是为了解决现有超表面复杂度高、电磁资源浪费、仅能实现双功能，不利于电磁设备的功能多样化发展的问题。本发明所述的一种用于四通道全息成像的单层编码超表面单元，包括依次层叠设置的顶层、介质层和底层，顶层为中心开有圆孔的矩形金属片，圆孔中设有两个与其同心嵌套的裂环谐振器，底层包括圆形金属片和“C”形金属环，圆形金属片位于“C”形金属环环内，且二者同心设置，底层中圆形金属片的圆心和顶层中圆孔的圆心相互正对。本发明在同一编码超表面中实现了四个不同图像的电磁重构，适用于多通道信息处理和多功能成像系统中。
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公开(公告)号：CN111740227A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010559477.9
申请日：2020-06-18
申请人： 齐齐哈尔大学
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 一种用于调控电磁波传输的多功能编码超表面，涉及编码超表面技术领域。本发明是为了解决传统编码超表面工作模式受限、功能有限的问题。本发明包括从上至下依次层叠设置的反射层、滤波层和两层传输层，相邻的两层之间均通过方形介质层连接，反射层为“十”字形结构，该“十”字形结构的一条主干的两端分别垂直设有一个条形体，滤波层包括对角开口的方形环和位于方形环几何中心的方形贴片，传输层包括两个呈“G”字形结构，两个“G”字形结构呈中心对称设置，反射层的几何中心、滤波层的几何中心、传输层的几何中心和所有介质层的几何中心同轴设置。在天线、波束分裂和全息图等领域具有重要的应用。
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公开(公告)号：CN107863607B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711086758.1
申请日：2017-11-07
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，属于超材料技术领域。基于环偶极子谐振的低损耗电磁感应透明超材料结构，包括：一介质基板，介质基板呈矩形；一工型金属线，刻蚀于介质基板的上表面，工型金属线的长边与介质基板的长边方向的对称轴平行；第一谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，位于工型金属线长边的一侧；第二谐振器，刻蚀于介质基板的上表面，与第一谐振器对称设置于工型金属线长边的另一侧，第一谐振器与第二谐振器均是由宽度相同，长度不同的长方形结构旋转7次构成的螺旋结构。本发明利用电环偶极子谐振和电偶极子谐振之间电磁场的破坏性干涉，抑制超材料的辐射损耗，提高传输系数。
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公开(公告)号：CN109742490A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910151724.9
申请日：2019-02-28
申请人： 齐齐哈尔大学
IPC分类号： H01P1/10
摘要： 一种基于电磁感应透明效应的全介质电磁开关，属于超材料电磁开关技术领域，解决了现有基于电磁感应透明超材料的电磁开关器件在高频段的损耗高，效率低的问题。电磁开关：金属开口环谐振器设置在介质基板的顶面上，在金属开口环谐振器的左臂开口处设置有变容二极管，全介质谐振器叠放在金属开口环谐振器上。在基于微带线耦合的电磁场激励条件下，金属开口环谐振器与电磁波发生强耦合，相当于亮态谐振器。全介质谐振器与电磁波发生弱耦合，相当于暗态谐振器。基于亮态谐振器与暗态谐振器间的近场耦合作用，实现了低损耗的米氏电磁感应透明效应。变容二极管的非线性响应特性使所述电磁开关模拟实现非线性电磁感应透明效应，以实现电磁开关的功能。
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公开(公告)号：CN106847325A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218768.1
申请日：2016-12-26
IPC分类号： G11C7/24 , H03K19/003
CPC分类号： G11C7/24 , H03K19/00338
摘要： 抗单粒子翻转的存储单元，涉及集成电路抗辐射加固领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明由10个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2以及NMOS晶体管N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7和N8。本发明可以对存储单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。本发明主要用于对存储器进行抗单粒子翻转的加固保护。
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公开(公告)号：CN118672101A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410745307.8
申请日：2024-06-11
申请人： 齐齐哈尔大学
摘要： 全空间可调谐超表面全息结构，涉及超表面全息技术领域。本发明是为了解决现有基于二氧化钒实现多通道超表面全息时，存在级联层数多以及通道数量受限的问题。本发明通过调整入射电磁波的工作频率和极化状态来实现不同通道之间的切换；通过调整二氧化钒的电导率来模拟温度的变化，从而实现工作空间的转变，极大的降低了传输和反射空间之间的通道串扰，提高了超表面的空间利用率。与现有基于二氧化钒的多通道全息超表面相比，本发明提出的可调谐超表面使用单层介质层便实现了高达七个通道的全空间动态全息显示。
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公开(公告)号：CN117784565A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410024324.2
申请日：2024-01-08
申请人： 齐齐哈尔大学
摘要： 多维度超表面全息加密结构及方法，涉及超表面加密技术领域。本发明是为了解决现有超表面的物理维度加密方法信息容量有限和安全性差的问题。本发明所述的多维度超表面全息加密结构及方法，能够同时将多个不同的电磁物理维度结合在一起，并任意叠加它们的状态作为多维密钥来实现图像信息的加密和解密。只有当入射电磁波具有特定的轨道角动量、频率和极化状态组合时，才能恢复隐藏的信息。本发明提高了安全性，还解决了现有方案中数据容量有限的问题。
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公开(公告)号：CN109742553B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910153237.6
申请日：2019-02-28
申请人： 齐齐哈尔大学
IPC分类号： H01Q15/24
摘要： 一种基于电磁感应透明效应的双频带线‑圆极化变换器，属于超材料极化变换器技术领域，解决了现有基于超材料的线‑圆极化变换器的损耗大，工作频带窄的问题。所述双频带线‑圆极化变换器包括在xy平面内构成阵列的多个线‑圆极化变换单元。线‑圆极化变换单元包括第一介质块、第二介质块和第三介质块。对于x极化入射波，三个介质块能够在第一频率和第二频率处激发出电磁感应透明效应。对于y极化入射波，三个介质块能够在第三频率和第四频率处激发出电磁感应透明效应。在x极化入射波与y极化入射波的共同激励下，所述线‑圆极化变换器能够在第一中心频率处和第二中心频率处实现线‑圆极化变换。
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公开(公告)号：CN109525236A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811417823.9
申请日：2018-11-26
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 抗双节点翻转的D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了现有的锁存器所需硬件多、面积大、功耗高、传播延时时间长、抗双节点翻转的能力差以及无法实现对双节点翻转的容错的问题。本发明包括20个NMOS晶体管N1至N20、12个PMOS晶体管P1至P12，所用器件少，体积小，结构简单，由于所用器件少，从而降低整个锁存器的功耗及拥有较低的硬件开销。锁存器输入端的信号只通过一个传输门就可以传输到输出端口，数据传输时间短，还能够实现对任意单节点和双节点翻转的容错，从而实现抗单节点和双节点翻转的容错保护。本发明特别适用于在航空航天、宇航飞行、核电站等具有核辐射效应中。
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