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公开(公告)号：CN101447550B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810182384.8
申请日：2008-11-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , H01F10/30
Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应元件和磁盘装置。本发明的CPP结构的磁阻效应元件，具有：磁阻效应部；以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层，在该层叠方向上施加检测电流，构成为磁阻效应部具有：非磁性中间层；和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向，第一铁磁层和第二铁磁层分别受到第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁场作用的影响，被施加作用形成反平行磁化状态，该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。能够以简易的构造实现两个铁磁层的反平行的磁化状态，并能够谋求线记录密度的提高。进而，能够谋求可靠性的进一步提高。
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公开(公告)号：CN101373596B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810146839.0
申请日：2008-08-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/02 , G11B5/314 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种能够实现对磁记录介质的高密度的写入的热辅助磁头。热辅助磁头具备磁头部，该磁头部具有介质相对面以及与其相对的背面。磁头部具有记录磁头部、光波导路、遮光体。光波导路沿着介质相对面和背面的相对方向延伸。遮光体分别沿着介质相对面和背面的相对方向延伸且阻碍介质相对面和背面之间的激光的透过。从背面看时，光波导路和遮光体排列在同一直线上。从背面看时，遮光体隔着该直线相对且排列在与该直线大致垂直的直线上。
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公开(公告)号：CN1610000B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410087732.5
申请日：2004-10-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种能够高效利用由写入线上流动的电流形成的磁场，稳定地进行信息写入，且设计上自由度高的磁存储器件。具有为围住写入字线(6)及写入位线(5)而沿环回方向环状配置的、具有隔着设于环回方向上的一部分的间隙而互相对向的一对开放端(K4)的磁轭(4)以及包含其磁化方向随外部磁场变化而变化的第二磁性层(8)且具有一对端面(K20)的层叠体(S20)，层叠体(S20)配置在间隙中，使一对端面(K20)的各端面与一对开放端(K4)的每一端互相对向。从而能够高效地进行第二磁性层(8)的磁化反转，并且与层叠体和磁轭互相连接的情况相比，能够在大的范围内选择构成层叠体(S20)的材料，充分发挥层叠体的磁性能和电性能。
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公开(公告)号：CN1312665C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410069757.2
申请日：2004-07-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 以夹持MR膜(7)的方式在该MR膜(7)的磁道宽度方向的两侧，相互离开地配置一对磁区控制层(9)，对MR膜(7)(自由层(27))施加纵向偏移磁场。该磁区控制层(9)包括基底层(31)、强磁性层(33)和硬质磁性层(35)的层构造体，通过保护层为媒介设置在MR膜(7)的两肋。基底层(31)是使硬质磁性层(35)的磁化方向在平面内方向上一致、用于提高硬质磁性层(35)矫顽力的层，使用具有体心立方构造的材料。是提高作为整个磁区控制层(9)的饱和磁化的层，使用具有体心立方构造的强磁性材料，硬质磁性层(35)是由含Co的硬质磁性材料形成。
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公开(公告)号：CN1581299A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410062674.0
申请日：2004-08-06
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3912 , G11B5/3932 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T29/49044 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种薄膜磁头的制造方法，包含以下工序：形成下部屏蔽层(S101)，其后，形成MR元件(S103)，实施牵制层退火处理(S105)，通过该牵制层退火处理，在抗强磁性层和牵制层之间就会赋予交换耦合，其后，形成磁区控制层以及电极层(S107)，形成上部屏蔽层(S109)，其后，沿着得到纵向偏移磁场的方向上对磁区控制层磁化(S111)，之后，形成记录头(S113)，之后，把行列状多个排列薄膜磁头形成的基台切断成一体排列多个薄膜磁头的多条杆(S115)。
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公开(公告)号：CN1577498A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069757.2
申请日：2004-07-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 以夹持MR膜7的方式在该MR膜7的磁道宽度方向的两侧，相互离开地配置一对磁区控制层9，对MR膜7(自由层27)施加纵向偏移磁场。该磁区控制层9包括基底层31、强磁性层33和硬质磁性层35的层构造体，通过保护层为媒介设置在MR膜7的两肋。基底层31是使硬质磁性层35的磁化方向在平面内方向上一致、用于提高硬质磁性层35矫顽力的层，使用具有体心立方构造的材料。是提高作为整个磁区控制层9的饱和磁化的层，使用具有体心立方构造的强磁性材料，硬质磁性层35是由含Co的硬质磁性材料形成。
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公开(公告)号：CN1577496A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061756.3
申请日：2004-06-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11B2005/0016
Abstract: 作为本发明，在本发明中的磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，磁性基底层与偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合，因此，可使偏移磁场施加层的面内方向(平行于膜面的方向)的顽磁力Hc维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合，也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即，发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。
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公开(公告)号：CN103971703B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410035378.5
申请日：2014-01-24
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/105 , G11B5/3166 , G11B5/455 , G11B5/6088 , G11B2005/0021 , Y10T29/49036
Abstract: 本发明所涉及的电子装置的制造方法具备：定位工序，相对于具有波导路径的第2构件对支撑激光二极管的第1构件进行定位；接合工序，接合第1构件和第2构件；确认工序，确认第1构件相对于第2构件的定位精度。在定位工序中，对激光二极管实施通电并使激光出射，使该激光入射到波导路径的入射端。在接合工序中，不给激光二极管通电而对第1构件照射加热用光并使接合材料熔融。在确认工序中，再一次对激光二极管实施通电。
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公开(公告)号：CN102749532B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201210117343.7
申请日：2012-04-20
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/455 , G01R31/2635 , G01R31/2642 , G11B2005/0021 , H01S5/0021 , H01S5/0042
Abstract: 本发明的老化试验方法构成为将多个光源元件和用于对来自多个光源元件的每一个的光输出进行监测的多个光检测器装入夹具台，在至少将多个光源元件和多个光检测器浸渍在绝缘性的液体中的状态下对多个光源元件进行通电来进行，因此能够在短时间保持稳定的温度，能够维持相对于通常的负载条件不乖离的温度，不对元件造成损伤来进行光源单元芯片的合格品和不合格品的分选试验。
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公开(公告)号：CN103295589B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310050770.2
申请日：2013-02-08
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种制造热辅助磁记录头的方法，其包括：准备条状体和多个光源单元，条状体包括多个排列在第1方向上的热辅助磁记录头部，各个所述光源单元包含基体和光源；使1个以上的光源单元分别与1个以上的条状体的热辅助磁记录头部对准，以使基体的第1面与第1方向平行；以及将对准后的基体的第2面经由粘合层与条状体接合。在接合中，通过对基体的第1激光束的照射以及对条状体的第2激光束的照射，使粘合层熔融。
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