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公开(公告)号：CN101914809A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010250911.1
申请日：2010-08-11
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
CPC分类号： C30B9/06 , C30B9/12 , C30B29/12 , C30B29/22 , G02F1/3551
摘要： 本发明涉及一种化合物氯硼酸钾非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为K3B6O10Cl，分子量377.61，该晶体不具有对称中心，属三方晶系，空间群R3m，晶胞参数为a＝10.0624(14)，b＝10.0624(14)，c＝8.8361(18)，Z＝3，V＝774.8(2)。其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的3倍左右，莫氏硬度为4-5，透光波段165nm至3460nm。采用固相反应法合成化合物及助溶剂法生长晶体，该晶体具有操作简单，成本低，所制晶体尺寸大，生长周期短，包裹体少，机械硬度较大，易于切割、抛光加工和保存，该晶体用于对波长为1064nm激光光束产生2倍频或3倍频或4倍频或5倍频的谐波光输出。
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公开(公告)号：CN108796611A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810733580.3
申请日：2018-07-06
申请人： 孟静
发明人： 孟静
CPC分类号： C30B29/406 , C30B9/06
摘要： 本发明公开了一种氮化镓单晶生长方法，涉及半导体材料的制备方法技术领域。所述方法主要利用氮等离子挥发回流方法在晶体生长界面形成过饱和熔体的方法来制备氮化镓晶体的方法及装置。利用氮等离子体挥发助熔镓‑钠‑氮熔体，镓和钠元素在高温下挥发并在冷凝器上冷却为镓‑钠熔体，镓‑钠熔体回流至回流系统中，在回流系统中不断放入氮化钠，氮化钠受热分解使得熔体处于氮饱和状态，饱和熔体回流至高温固液界面处形成过饱和熔体进行晶体生长。
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公开(公告)号：CN108468088A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201710099696.1
申请日：2017-02-23
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种溴硼酸铅化合物、溴硼酸铅非线性光学晶体及其制备方法和用途。溴硼酸铅化合物化学式为Pb2BO3Br，溴硼酸铅非线性光学晶体为非中心对称结构，属于三方晶系，单胞参数为a＝b＝4.888,c＝6.584,α＝β＝90°,γ＝120°。采用助熔剂法制备。本发明所制备的溴硼酸铅晶体具有大的非线性光学效应及宽的透过范围，机械性能好，其倍频效应为KDP的3～5倍。
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公开(公告)号：CN105401218B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510565878.4
申请日：2015-09-08
申请人： 丰田自动车株式会社
发明人： 白井嵩幸
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/106 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L29/04 , H01L29/1608
摘要： 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供了不包含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板14与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液24接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：作为Si‑C溶液24，使用包含Si、Cr和Al，且以Si、Cr和Al的总量为基准，包含3原子％以上的Al的Si‑C溶液24，以及，设定Si‑C溶液24的表面区域的温度梯度y(℃/cm)，使得满足式(1)：y≥0.15789x+21.52632(1)(式中，x表示上述Si‑C溶液中的Al含量(原子％))。
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公开(公告)号：CN106544731A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510599729.X
申请日：2015-09-19
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
CPC分类号： C30B29/12 , C01G21/00 , C01G21/006 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2004/01 , C30B9/06 , C30B9/08 , C30B11/00 , C30B11/14 , C30B15/00 , C30B15/36 , C30B17/00 , C30B29/22 , G02F1/3551 , G02F2203/11
摘要： 本发明涉及一种氯酸铅红外非线性光学晶体材料及制备方法和用途，该光学材料的通式为Pb2+xOCl2+2x，其中0＜x＜0.139或0.141＜x＜0.159或0.161＜x≤0.6，该光学晶体不具有对称中心，属正交晶系，空间群Fmm2,晶胞参数为 a=33.4963(14)±0.05Å,b=5.8320(2)±0.05Å，c=16.0912(6)±0.05Å，采用化合物熔体法或助溶剂生长晶体。通过本发明所获得的晶体具有较强的能相位匹配的倍频效应(SHG)，Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾(KDP)的4倍，能够实现相位匹配，透过波段为0.34-7μm；激光损伤阈值是目前的商用的红外非线性光学晶体材AgGaS2的激光损伤阈值的9-10倍；不含结晶水,对空气稳定,且热稳定性较好。
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公开(公告)号：CN105705685A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480061507.6
申请日：2014-11-12
申请人： 新日铁住金株式会社
CPC分类号： C30B19/04 , C30B9/06 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/12 , C30B29/36
摘要： 提供一种制造方法，其为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其即使使用石墨坩埚、也可以使掺杂有Al的SiC单晶生长。本实施方式的制造方法包括下述工序：在石墨坩埚内生成Si-C溶液的工序；和使Si-C溶液与SiC晶种接触，使SiC单晶在SiC晶种上生长的工序，Si-C溶液以满足式(1)的范围含有Si、Al和Cu，Si-C溶液的余量由C和杂质组成。式(1)中，[Si]、[Al]和[Cu]分别表示Si、Al和Cu的摩尔％含量。0.03
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公开(公告)号：CN104471117A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035985.5
申请日：2013-07-10
CPC分类号： C30B15/32 , C30B9/06 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要： SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。
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公开(公告)号：CN104066874A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280067542.X
申请日：2012-12-27
CPC分类号： C30B19/062 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024
摘要： 本发明的目的是提供一种与以往相比能够使SiC单晶更快生长的采用熔液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴、和采用熔液法的单晶制造方法。一种籽晶保持轴，是采用熔液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴，籽晶保持轴的侧面的至少一部分由具有比籽晶保持轴的反射率大的反射率的反射部件覆盖着，反射部件被配置成在反射部件和保持在籽晶保持轴的端面的籽晶之间空开间隔。
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公开(公告)号：CN102264955B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201080003461.4
申请日：2010-03-11
申请人： 丰田自动车株式会社
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/04
摘要： 在制造SiC单晶的方法中，通过使SiC晶种与溶液接触从而在所述SiC晶种上生长SiC单晶，所述SiC晶种被固定至可旋转的晶种固定轴，所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得。所述方法包括：开始晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间(Td)之后开始坩埚的旋转；然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转；然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间(Ts)；并重复旋转/停止循环。
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公开(公告)号：CN103320864A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310085505.8
申请日：2013-03-18
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： C30B29/40
CPC分类号： C01B21/064 , C01B21/0632 , C30B9/06 , C30B29/403 , C30B29/406
摘要： 本发明提供第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板。第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
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