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公开(公告)号：CN102763005B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN200880102283.3
申请日：2008-08-06
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC分类号： G01T1/248 , G01T1/2928
摘要： 一种硅光电倍增器(108)包括探测器像素(142)。该探测器像素包括单元(202)，该单元包括雪崩光电二极管(208)和读出电路(210)。该读出电路(210)包括抑制状态存储器(302)、充电电路(304)、单元抑制电路(306)、锁存光子触发电路(308)、读出电路(310)和触发输出电路(312)中的一个或多个。
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公开(公告)号：CN104081223A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280065374.0
申请日：2012-12-17
申请人： 皇家飞利浦有限公司
发明人： J·刘
CPC分类号： G01T1/202 , G01T1/1618 , G01T1/208 , G01T1/248 , G01T1/249 , G01T1/2985 , H05K7/2039
摘要： 一种核扫描器包括支撑多个探测器模块(30)的环形支撑结构(32)。每个探测器模块包括冷却和安装结构(34)，通过将销(46-49)穿过所述冷却和安装结构(34)中的孔(38)来将多个区块(40)安装到所述冷却和安装结构(34)，以对每个区块进行定位，并且将每个区块热连接到所述冷却和安装结构(34)。与所述冷却和安装结构接触的所述区块的侧面上的区块安装件(44)具有光滑的表面，以与所述冷却和安装结构接触，从而在所述区块(40)与所述冷却和支撑结构(34)之间提供良好的热接触。
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公开(公告)号：CN103220978A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055216.2
申请日：2011-11-15
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： C·赫尔曼
CPC分类号： A61B6/032 , A61B6/037 , A61B6/4028 , A61B6/4233 , A61B6/4291 , A61B6/4417 , A61B6/5229 , G01T1/1611 , G01T1/1612 , G01T1/1614 , G01T1/2018 , G01T1/248
摘要： 具有第一探测器层（24）和第二探测器层（26）的辐射探测器（16）包围检查区域（14）。所述第一层的探测器包括闪烁体（72）和诸如雪崩光电二极管的光探测器（74）。所述第二探测器层（26）的所述探测器包括闪烁体（62）和光探测器（64）。所述第一层的所述闪烁体（72）具有比所述第二层的所述闪烁体（62）小的横断面。一组，例如九个所述第一层闪烁体（72）覆盖每个第二组闪烁体（62）。在CT模式下，所述第一层探测器探测透射辐射以生成具有相对高分辨率的CT图像，并且所述第二层所述探测器探测PET或SPECT辐射以生成用于重建为较低分辨率发射图像的核数据。因为所述第一层探测器和第二层探测器是对齐的，所以所述透射图像和所述发射图像固有地是对齐的。
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公开(公告)号：CN102341727A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010518.3
申请日：2010-02-05
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： T·弗拉奇
摘要： 一种PET扫描器(10)，包括环绕成像区域(18)的探测器模块(16)环。每个所述探测器模块包括一个或多个传感器雪崩光电二极管(APD)(34)，其在盖革模式下于击穿区域中受到偏压。所述传感器APD(34)响应于与入射的光子相应的、来自闪烁体的光，输出脉冲。也在盖革模式下于击穿区域中受到偏压的参考APD(36)被光学屏蔽于光并输出由模数转换器(44)测量的电压。基于该测量结果，偏压控制反馈回路(42)引导可变电压发生器(48)调整施加到所述APD(34，36)的偏压，从而最小化击穿脉冲(68)的电压和预先选定的逻辑电压电平(70)之间的差(86)。
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公开(公告)号：CN101861527A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880102281.4
申请日：2008-08-06
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC分类号： G01T1/1642 , G01T1/248
摘要： 一种装置(208)包括多个光电传感器(310)。响应于来自所述传感器的信号而产生的光子触发信号由包括段线(302)、中间线(304)和主线(306)的触发线网络接收。所述触发网络被配置成减小由所述触发线网络引入的时间偏斜。验证逻辑(324)提供触发验证输出信号(610)。
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公开(公告)号：CN101163988A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013555.3
申请日：2006-04-10
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC分类号： G01T1/164
CPC分类号： G01T1/2018 , A61B6/037 , G01T1/1642 , G01T1/248 , G01T1/2985 , G01T7/005
摘要： 辐射检测器(10)包括检测器像素(22)阵列，每个检测器像素(22)包括检测器单元(50，50’，50”)阵列。每个检测器单元包括在击穿区域偏压的光电二极管(52)和与光电二极管耦合的数字电路(54，54’，54”)，该数字电路被配置为输出静态下的第一数字值和响应光电二极管的光子检测的第二数字值。数字触发电路(60，60’，60”，84)被配置为响应所选数目的一个或多个检测器单元从第一数字值转变为第二数字值而输出指示积分时间周期开始的触发信号。读出数字电路(66，82)累加检测器单元阵列的检测器单元的在积分时间周期中从第一数字态到第二数字态的多次转变的计数。
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公开(公告)号：CN107003419B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580052301.1
申请日：2015-09-16
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： G01T1/248 , G01T1/247 , G01T1/249 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14663 , H01L31/107 , H04N5/32
摘要： 在本文中提供固态光电倍增管的实施例。在一些实施例中，光电传感器可以包括：感测元件；和读出电子设备，其中，感测元件与读出电子设备AC耦合。在一些实施例中，固态光电倍增管可以包括微单元，该微单元具有：感测元件；和读出电子设备，其中，感测元件与读出电子设备AC耦合。
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公开(公告)号：CN107907903A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201810010907.4
申请日：2018-01-05
申请人： 合肥吾法自然智能科技有限公司
摘要： 本发明属于γ探测器领域，具体为一种新型的γ探测器读出模块，其包括表面附着有光导层的闪烁体，还包括一维光纤层、两个线阵列SiPM及高时间分辨的两个专用集成电路ASIC；一维光纤层附着在有光导层的闪烁体表面，光纤层两端一一对应耦合两个线阵列SiPM，两个线阵列SiPM一一对应连接两个专用集成电路ASIC；通过两个专用集成电路ASIC得到闪烁事件的两个维度位置信号。本发明的另一种技术方式是将高时间分辨的两个专用集成电路ASIC用两个重心读出电路替代，也能通过两个重心读出电路得到闪烁事件的两个维度位置信号。本发明使γ探测器成本降低。
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公开(公告)号：CN107526096A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710695358.4
申请日：2017-08-15
申请人： 江苏超敏仪器有限公司
摘要： 本发明涉及一种修正温度对SiPM增益影响的方法，该方法通过一种SiPM暗计数测量算法计算得到SiPM输出信号中的暗计数率，利用暗计数率与SiPM工作温度之间的固定关系，确定SiPM的当前温度，并在此基础上确定SiPM需要调节的工作偏压增量参数。从而有效地修正温度对SiPM增益的影响，提高了系统的稳定性，降低了硬件成本，并提高了系统效率。
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公开(公告)号：CN103733609B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201280038184.X
申请日：2012-07-27
申请人： 皇家飞利浦有限公司
发明人： T·弗拉奇
CPC分类号： G01T1/248 , G01T1/2018 , G01T1/249 , G01T1/2985 , H04N5/369
摘要： 一种光子探测器（10）包括探测器阵列（12），所述探测器阵列包括单光子雪崩二极管（SPAD）探测器（14），所述单光子雪崩二极管（SPAD）探测器被配置为响应于光子的冲击而击穿。触发电路（34）被配置为响应于所述探测器阵列的SPAD探测器的击穿而生成触发信号。锁存器（20、22）被配置为存储所述探测器阵列中击穿的SPAD探测器的位置坐标。所述锁存器被配置为响应于由所述触发电路生成的触发信号而锁存。所述锁存器可以包括行锁存器（22）和列锁存器（20），所述行锁存器每个均与所述探测器阵列的对应行的SPAD探测器的逻辑“或”组合相连接，所述列锁存器每个均与所述探测器阵列的对应列的SPAD探测器的逻辑“或”组合相连接。时间数字转换器（TDC）电路（28）可以为所述触发信号生成数字时间戳。
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