公开(公告)号：CN100539220C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200680016663.6

申请日：2006-05-29

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 千田泰辅

IPC分类号： H01L33/00 ,  H03F1/30 ,  H03K17/78 ,  H03M1/82

CPC分类号： H03F3/72 ,  H03F1/301 ,  H03F2200/351 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/78 ,  H03F2203/7215

摘要： 驱动电路(100)包括：运算放大器(OP1)，将施加至反相输入端子的电压与施加至非反相输入端子的基准电压相比较；MOS晶体管(M1)，其输出与运算放大器(OP1)的反相输入端子连接，并依据运算放大器(OP1)的比较结果，向负载(3)提供电流；以及开关(SW1)，基于控制信号，在向MOS晶体管(M1)输出运算放大器(OP1)的比较结果与向MOS晶体管(M1)输出预定电压以使MOS晶体管(M1)截止之间进行切换。

公开(公告)号：CN100483938C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410058841.4

申请日：2004-07-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 三宅博之 ,  盐野入丰

IPC分类号： H03F3/50 ,  H03K19/00

CPC分类号： G09G3/20 ,  G09G2310/0275 ,  H03F1/301 ,  H03F3/505

摘要： 当电源线的电势根据流动的电流变化时，晶体管的栅-源电压Vgs也发生变化，导致各源跟随器之间的恒定电流发生变化。为了解决该问题，作为恒流源的晶体管的栅端的电势Vb与连接到该晶体管的源端的电源线VSS作相同方式的变化。因此，抑制了该恒定电流的变化，并且因此抑制了该源跟随器的输出的变化。此外，通过将具有源跟随器的电路与信号线驱动电路的输出侧连接，可以防止在半导体器件的显示部分中识别出条形的亮度不均匀。

公开(公告)号：CN101401299A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008476.8

申请日：2007-03-08

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 强纳森·理查·史崔基

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F1/32 ,  H03F1/22 ,  H03F1/02

CPC分类号： H03F1/301 ,  H03F1/0211 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/223 ,  H03F1/3205 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/321 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/453

摘要： 一种用于偏置晶体管的装置，该装置包括：可控偏置生成器、测试电路、数字M阶微分器(66)，数字M阶微分器响应于测试电路的输出；以及控制器(68)响应于数字M阶微分器(66)，控制器(68)用于对可控偏置生成器进行控制，其中，测试电路被配置为计算晶体管的性能的L阶导数。

公开(公告)号：CN101379697A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780004441.7

申请日：2007-02-01

申请人： 菲尔特罗尼克公开有限公司

发明人： 约翰·戴维·罗兹

IPC分类号： H03F1/32 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F3/245 ,  H03F1/301 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/3241 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2201/3224

摘要： 讨论了一种利用数字预失真的化合物半导体晶体管的功率放大器。该放大器具有经改善的线性度。对于指定的栅极偏压，存在这样的漏极电压，在所述漏极电压下，漏极电流对于脉冲信号与对于DC信号是相同的，并且对于施加脉冲信号时出现的静态偏置点是不变的。如果放大器在这个点处工作，则导致记忆效应的俘获效应不影响数字预失真的放大器的动态行为，结果得到改善的线性度。这个点的存在，以及其对于数字预失真放大器的线性度的好处以前并未被认识到。

公开(公告)号：CN101366172A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200680050075.4

申请日：2006-10-30

申请人： 赛特克斯半导体公司

发明人： 戴维·布莱德博瑞

IPC分类号： H03F1/26 ,  H03F1/02 ,  H03F1/30 ,  H03F3/347 ,  H03F1/52

CPC分类号： H03F1/0238 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/26 ,  H03F1/301 ,  H03F1/523 ,  H03F3/347 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7209

摘要： 一种低噪声放大器(LNA)，包括：多个FET(F1，F2，F3，F4)，被布置为处理放大器所接收的信号；电源输入端(10)，被布置为用以操作LNA的电能；以及单片支持集成电路(IC)。单片支持IC包括：FET控制电路(2)，被布置为监视并控制每个FET的漏极电流；FET选择电路(3，24，22)，被布置为检测提供至电源输入端的电压信号的DC分量的电平，并根据所检测的DC电平向FET控制电路(2)提供FET选择信号。

公开(公告)号：CN101114860A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710076519.8

申请日：2007-08-17

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 殷为民 ,  张希坤 ,  孙捷 ,  陈卫 ,  孙益平 ,  孙益军

IPC分类号： H04B7/005

CPC分类号： H03F1/0211 ,  H03F1/02 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/301 ,  H03F3/04 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/24 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/7206 ,  H03G1/00 ,  H04B1/0475 ,  H04B2001/0416 ,  H04B2001/045

摘要： 本发明公开了一种控制功率放大的方法及装置。其中，控制功率放大的方法包括如下步骤：根据网络设备所处的状态输出相应的电压信号；将所述电压信号施加于功率放大器中至少一个功率放大管的栅极或基极。本发明还公开了一种控制功率放大的装置，该装置包括：主控单元，用于获取设备所处的状态，并根据所述状态发送相应的电压控制信号；电压控制单元，用于根据所述电压控制信号，输出相应的电压信号至功率放大单元内部功率放大管的栅极或基极上。通过本发明所提供的方案，可以消除功率放大器在无射频功率输出时间段的静态功率耗散，提高功率放大器的效率。

公开(公告)号：CN1930772A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580007488.X

申请日：2005-03-08

申请人： 诺基亚公司

发明人： 达雷尔·巴拉巴施

IPC分类号： H03F1/30

CPC分类号： H03F1/301 ,  G05F3/18 ,  G05F3/20 ,  H03F2200/447

摘要： 本发明涉及一种用于放大器的温度补偿电路。该电路包括电压调整器、元件布置和至少两个电阻器单元的电阻器联接。该温度补偿电路的输出电压的至少一部分是可调的。元件布置包括至少一个具有已知的电压－温度相关性的元件。电阻器联接根据电阻器联接中的电阻器值之比形成斜率。电阻器联接耦合到元件布置以给温度补偿电路提供具有温度相关性的输出电压，其是斜率和元件布置的已知的温度相关性的函数。

公开(公告)号：CN1762093A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200480007355.8

申请日：2004-03-16

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： J·布里尔卡 ,  A·卡特纳 ,  E·-P·拉戈施

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03H11/24

CPC分类号： H03F1/301 ,  H03H11/245

摘要： 为了在对于晶体管(10、12、14、…、18)在没有直流电压，即具有零直流电压且确实不需要参考频率的帮助的条件下工作的情况下还可以没有控制偏差地进行电阻变化补偿的情况下，改进控制至少一个晶体管(10、12、14、…、18)，特别是控制至少一个没有直流调制的MOS晶体管的电阻值的电路布置(100)和方法，提出除了包括有至少一个第一参考晶体管(10)的至少一个第一参考元件(10、20、70)外，还提供包括有至少一个第二参考晶体管(12)的至少一个第二参考元件(12、30、40、72、74、76)，其中，第一参考晶体管具有相对于工作点的第一偏移，第二参考晶体管具有相对于工作点的第二偏移，该第二偏移与第一缓冲存储的值相等但符号相反，其中特别是，为了逼近并达到最佳工作点，可以由第一偏移和第二偏移形成算术平均值。

公开(公告)号：CN1636317A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02823290.9

申请日：2002-10-04

申请人： 自由度半导体公司

发明人： 劳伦斯·E·康奈尔 ,  尼尔·W·霍伦贝克

IPC分类号： H03F3/04

CPC分类号： H03F1/3205 ,  H03F1/301 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/72 ,  H03G1/0023

摘要： 本发明涉及一种具有自动偏置电源控制的高增益宽带RF放大器(120)。放大器(120)包括由连接在共同源极连接(106)和放大器信号输入端RFIN之间的FET(108)偏置的具有共同源极连接(106)的场效应晶体管(FET)对(102，104)。偏置电压(VB1)被施加到设备(108)的栅极，而自动增益控制电压(VAGC)被施加到FET对(102，104)的栅极。自动偏置电源电路(122)是包括电阻(124，126)，电容器(128)和放大器(130)的有源负载。电容器(128)被连接在放大器(130)的负输入端(132)和输出端(134)之间。负载参考电压VO被提供到正输入端。电阻(124)被连接在放大器(130)的输出端(134)和FET(104)的漏极处的放大器输出端(136)之间。电阻(126)被连接在FET(104)漏极处的输出端(136)和提供放大器负载信号反馈的放大器(130)的负输入端(132)之间。

公开(公告)号：CN1452789A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN01808675.6

申请日：2001-04-11

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 黄健华 ,  伊丽莎白·C·格拉斯 ,  欧林·哈汀 ,  温迪·L·瓦伦丁 ,  胡里奥·科斯塔

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8252 ,  H03K19/003

CPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0605 ,  H03F1/301 ,  H03K17/145

摘要： 一种用于在单电源HFET中提供低压温度补偿的装置及其制造方法，该装置包括一个外延生长的化合物半导体层的叠层(14)，其中HFET(10)形成在该叠层中。在形成HFET的过程中，一个肖特基二极管(11)形成在与该HFET(10)相邻的叠层中。该HFET(10)和肖特基二极管(11)同时形成，并且形成HFET的栅极的一个金属层的一部分被设置为与具有低能带隙(例如，小于0.8eV)的叠层(14)的一个层面(19)相接触，以对该肖特极二极管提供小于1.8伏的导电电压。该肖特基二极管(11)通过一个门电路(48)连接到HFET的栅极接点，以补偿在该栅极电路中的电流随温度的变化。