公开(公告)号：CN102549916A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080044046.3

申请日：2010-07-16

申请人： 剑桥硅无线电有限公司

发明人： 塞夫尔·塞斯拉鲁

IPC分类号： H03F1/22 ,  H03F3/195 ,  H03F3/24 ,  H03F3/72 ,  H04B1/44

CPC分类号： H03F3/72 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/09 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/216 ,  H03F2200/24 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/378 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/399 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/72 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7231

摘要： 一种用于放大射频信号的电路，包括：用于连接至天线的终端；共用放大器，以共用栅极结构配置在第一节点和所述终端之间；发射放大器，可操作为放大输入节点处存在的射频信号，并将放大的信号提供给第一节点；以及接收放大器，可操作为放大所述第一节点处存在的射频信号，并将放大的信号提供给输出节点；其中，电路可以以两种模式进行操作：在接收模式中，配置共用放大器和接收放大器，从而一起形成用于放大在终端处接收的射频信号的接收串叠结构；以及在发射模式中，配置共用放大器和发射放大器，从而一起形成用于放大在输入节点处施加的射频信号的发射串叠结构。

公开(公告)号：CN102386856A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110190751.0

申请日：2011-06-27

申请人： 硅实验室股份有限公司

发明人： A·A·拉菲

IPC分类号： H03F1/26 ,  H04B1/16

CPC分类号： H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/45179 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/534 ,  H03F2200/72 ,  H03F2203/45306 ,  H03F2203/45621

摘要： 描述了用于低成本接收机电路的LNA电路。其中，一种低噪声放大器(LNA)包括：用于接收输入信号的输入端子；用于提供与输入信号关联的输出信号的输出端子。LNA还包括第一晶体管，该第一晶体管具有：通过第一电容器耦合于输入端子的第一源极、被配置成接收第一直流(DC)偏置信号的第一栅极、以及耦合于输出端子的第一漏极。LNA还包括第二晶体管，该第二晶体管具有：通过第二电容器耦合于输入端子的第二源极、被配置成接收第二DC偏置信号的第二栅极、以及耦合于输出端子的第二漏极。

公开(公告)号：CN101043208B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710088799.4

申请日：2007-03-22

申请人： 株式会社东芝

发明人： 清水优

IPC分类号： H03G1/00 ,  H03H11/24

CPC分类号： H03G1/0029 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/366 ,  H03F2200/72 ,  H03F2200/91 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7236

摘要： 放大电路具有控制部，该控制部通过将多个第1开关元件及多个第2开关元件的连接状态分别切换到第1输入端子侧或第2输入端子侧，选择性地将第2电压或者第3电压分别提供给多个第2晶体管的栅极以及多个第3晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN101606314A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200780051205.0

申请日：2007-12-17

申请人： ITI苏格兰有限公司

发明人： 邓肯·布雷姆内

IPC分类号： H03F1/06

CPC分类号： H03F3/19 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/30 ,  H03F1/32 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/453 ,  H03F2200/72 ,  H04B1/71637

摘要： 无线通信装置，包括集成电路，集成电路包括用于执行无线控制功能的电子电路系统。外部电路，与集成电路分开，被提供用于执行无线控制功能的预定级，该外部电路包括至少一个离散组件。该外部电路的至少一个离散组件由从集成电路接收的一个或多个控制信号控制。这样，本发明利用低成本外部装置作为集成解决方案中的输入装置，因此受益于无线装置的改进的性能同时获得复杂集成的解决方案的控制和系统利益。

公开(公告)号：CN1636317A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02823290.9

申请日：2002-10-04

申请人： 自由度半导体公司

发明人： 劳伦斯·E·康奈尔 ,  尼尔·W·霍伦贝克

IPC分类号： H03F3/04

CPC分类号： H03F1/3205 ,  H03F1/301 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/72 ,  H03G1/0023

摘要： 本发明涉及一种具有自动偏置电源控制的高增益宽带RF放大器(120)。放大器(120)包括由连接在共同源极连接(106)和放大器信号输入端RFIN之间的FET(108)偏置的具有共同源极连接(106)的场效应晶体管(FET)对(102，104)。偏置电压(VB1)被施加到设备(108)的栅极，而自动增益控制电压(VAGC)被施加到FET对(102，104)的栅极。自动偏置电源电路(122)是包括电阻(124，126)，电容器(128)和放大器(130)的有源负载。电容器(128)被连接在放大器(130)的负输入端(132)和输出端(134)之间。负载参考电压VO被提供到正输入端。电阻(124)被连接在放大器(130)的输出端(134)和FET(104)的漏极处的放大器输出端(136)之间。电阻(126)被连接在FET(104)漏极处的输出端(136)和提供放大器负载信号反馈的放大器(130)的负输入端(132)之间。