-
公开(公告)号：CN104243330A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410527927.0
申请日：2014-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: H04L12/771
Abstract: 本发明涉及一种面向低密度垂直互连的三维片上网络路由器，包括内部控制逻辑、交叉开关以及五个水平方向端口和两个垂直方向端口，所述片上网络包括若干片上网络节点，所述每个网络节点包括一个带有网络接口的处理单元或存储单元与一个路由器，所述每个处理单元或存储单元通过所述网络接口与对应的路由器通信，所述路由器的垂直方向端口的输出通道采用并入串出移位寄存器电路，输入通道采用串入并出移位寄存器电路。有益效果为：通过在三维片上网络路由器垂直方向端口的输出通道和输入通道分别采用并入串出移位寄存器和串入并出移位寄存器，实现了在三维片上网络垂直连线密度降低的情况下有效、可靠地传输数据的目的。
-
公开(公告)号：CN103714044A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310744870.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 南京大学
IPC: G06F17/16
Abstract: 本发明涉及一种基于片上网络的高效率矩阵转置簇，包括NI模块，用于实现转置簇与PCC之间的数据传递；数据缓存模块，与转置加速模块相连，用于完成对数据的写入，存储和读出；转置加速单元，用于连接NI模块与数据缓存模块，将来自于PCC的数据输入到数据缓存模块，同时将从数据缓存模块读出的数据输出到NI模块，实现对数据缓存模块地址的控制，完成矩阵的转置；ARM核心控制单元，通过AHB总线与NI模块通信连接，用于控制地址与数据的传输。有益效果为：簇内采用AHB总线架构，ARM核控制，转置加速单元与SRAM、NI互联由于转置簇的特殊的架构使得矩阵转置能够进行乒乓操作、读写并行，进而实现极高的转置效率。
-
公开(公告)号：CN103699355A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310738598.X
申请日：2013-12-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种变阶流水串行乘累加器，包括一组乘法器，用于执行两路输入数据的相乘操作，并输出乘法结果；三组加法器，第一组加法器执行乘法结果的累加，第二组和第三组加发器在累加结束后将第一组加法器流水级上的结果依次相加，从而保证了第一组加法器可继续处理下一阶段的数据；相应控制电路，用于增加额外控制信号和控制逻辑，用于省去算法中的首尾补零操作。有益效果为：本发明提供的变阶乘累加器的实现使得在运算时能够省去算法中的首尾补零操作以及由之产生的多余乘累加，从而获得接近理论估算的性能指标。
-
公开(公告)号：CN101667619B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910183439.1
申请日：2009-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO2薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO2薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。
-
公开(公告)号：CN101827107A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010168517.3
申请日：2010-05-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于IEEE802.1AE协议的GCM高速加解密器，包括信息提取模块，AES模块和Ghash模块；信息提取模块用于从输入数据中提取安全协议密钥、安全通道标识、数据包号、目的地址和源地址，并根据不同的工作模式转换成对应的初始密钥K、初始向量IV、附加信息A和明文P/密文C，并将数据传输给AES模块；AES模块完成数据加/解密，并输出密文/明文；Ghash模块根据附加信息A和密文C，通过Ghash函数产生鉴别标识T。本发明可以同时处理多组数据，而不需要预先确定等待处理的分组数据总数。本发明数据处理速度快、硬件复杂度低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101667619A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910183439.1
申请日：2009-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO 2 薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO 2 薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。
-
公开(公告)号：CN100524579C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710020043.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01J1/304 , H01J9/02 , H01L21/205 , H01L21/324 , B82B1/00 , B82B3/00 , C30B29/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4-50纳米，氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒，硅晶粒的粒径在1-10nm。制备时，经过在衬底上沉积氢化非晶硅半导体薄膜、准分子超短脉冲激光晶化等步骤。本发明通过晶化使得非晶硅半导体薄膜形成纳米尺度的硅晶粒，在薄膜表面形成纳米突起，从而具有低的场发射阈值电场和高的场增强因子。由于与超大规模集成电路工艺相匹配，又可以使用廉价的玻璃衬底，因此对于半导体硅材料在大面积平板场发射显示器件的应用具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN100446290C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710020068.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4-20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a-SiNX薄膜，薄膜厚度在40-100nm之间，在a-SiNX薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。
-
公开(公告)号：CN100442438C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610161307.5
申请日：2006-12-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/205 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种非晶碳膜半导体制备方法，属于非晶碳薄膜材料制备技术领域。该方法通过(1)在衬底上淀积氢化非晶碳(a-C:H)薄膜、(2)氢等离子体化学退火处理、(3)重复步骤(1)和(2)形成氢等离子体逐层化学退火处理的氢化非晶碳膜、(4)氮等离子体表面掺杂——通入氨气(NH3)各步骤，制成本发明的非晶碳膜半导体。本发明整个制备过程无需昂贵设备技术、操作简单、有利于大规模生产，几乎没有面积的限制，有很好的可控性与重复性，避免了湿法技术带来的表面污染等问题。
-
公开(公告)号：CN101178608A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710191086.0
申请日：2007-12-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有温度保护电路的低压差线性稳压器，包括带隙基准电路、误差放大器、输出缓冲级、PMOS功率管P1、反馈分压电阻R1、R2、温度保护电路和PMOS开关管P2，带隙基准电路经过误差放大器和输出缓冲级后与PMOS功率管P1连接；温度保护电路的一端与误差放大器的输入端连接，另一端与PMOS开关管P2连接，PMOS开关管P2的漏极与PMOS功率管P1的门极连接，反馈分压电阻R1的一端与PMOS功率管P1的漏极连接，另一端与误差放大器的输入端连接。本发明直接利用带隙基准电压的简单温度保护电路，提高了温度保护电路的灵敏度以及稳压器停止工作和重新恢复工作的温度范围的可设定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
309
records
(took 0.037 seconds)
