-
公开(公告)号：CN101892517B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010214039.5
申请日：2010-06-30
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体或光伏领域的多晶硅坩埚涂层制备用浆料，还涉及了该浆料的配置方法；一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料，包括氮化硅粉体，溶剂，其特征在于：氮化硅粉体经过氧化剂处理后得到表面覆有包裹型的氧化硅的氮化硅粉体。本发明提供的多晶硅坩埚涂层制备用浆料施涂在坩埚上经过烘烤后，氧化硅会与氮化硅形成强度较高的结合层，从而得到抗剥落性能好的坩埚涂层；同时本发明提供多晶硅坩埚涂层制备用浆料中的氧化剂不会产生团聚现象，它能够均匀的包覆在氮化硅颗粒的表面，氧含量低，不会影响硅锭质量。
-
-
公开(公告)号：CN102950659A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210397883.5
申请日：2012-10-18
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
IPC分类号： B28D5/04
摘要： 本发明公开了一种硅块切割装置，用于将硅块加工成硅片，包括至少两个导轮及线体，导轮的外侧表面设置若干密度均匀的线槽，线体依次螺旋状环绕设置在所述线槽内，构成上下不交叉的线网，放线端导轮的线槽槽距值大于收线端导轮的线槽槽距值，所述放线端和所述收线端分别为线体相对脱离和相对卷入导轮的线端。采用本发明的梯形线网硅块切割装置，可降低切割硅片厚度偏差，实用性强，结构设计简单可行。
-
公开(公告)号：CN102851108A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210274264.7
申请日：2012-08-03
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
IPC分类号： C10M173/02 , C10N30/06 , C10N30/18 , C10N30/04
摘要： 本发明公开了一种金刚石线切割液，用于光伏硅块切割领域。所述金刚石线切割液中的各组分及其质量百分比为：分散剂20～50%，去离子水30～50%，抗磨剂10～30%，PH调节剂0.02～0.05%和消泡剂0.03～0.06%。该金刚石线切割液具有良好的抗磨润滑性，可以减少金刚石粉末用量。同时该金刚石线切割液易清除，能减小硅片清洗不良的概率。另外该金刚石线切割液冷却性能良好，成本也较低，有利于大规模推广金刚石线切割技术。本发明还公开了该金刚石线切割液的制备方法。
-
公开(公告)号：CN102776556A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210096255.3
申请日：2012-04-01
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚内填装硅料后，加热使所述硅料熔化形成硅熔体，调整热场，使硅熔体在所述坩埚上进行形核结晶，该形核结晶过程为第一结晶阶段；待长出目标高度晶体后，调整热场使第一结晶阶段停止，在第一结晶阶段长出的晶体未完全熔化前，调整热场形成过冷状态，使得所述未结晶的硅熔体在所述第一结晶阶段形成的晶体层面上再形核结晶，所述再形核结晶过程为后续结晶阶段；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。采用本发明方法制备的多晶硅锭位错少，该制备方法尤其适用于大尺寸高硅锭的铸造。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。
-
公开(公告)号：CN101599447B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910115742.8
申请日：2009-07-23
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体领域或光伏领域的一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，特别是一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其特征在于：采用蒸汽喷至半导体晶片表面，半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉眼辨别出来，完成检测步骤。本发明成功实现了对半导体晶片表面上肉眼不可见的手指印的检测，且本发明的技术方案简单且易实施，成本低，非常有利于在生产中推广使用。
-
公开(公告)号：CN102544128A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110446580.3
申请日：2011-12-28
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本发明属于太阳能电池领域，提供了一种太阳能电池，包括硅片，所述硅片上印刷有若干条互相平行的主栅线和若干条与主栅线垂直且等间距的副栅线。本发明所提供的太阳能电池，一方面减少遮光面积，从而降低主栅线遮光而引起的功率损失；另一方面，提高了本发明的光能源利用率，而且结构十分简单，相对于传统的太阳能电池，减少了主栅线银浆的用料，节省了成本，具有显著的经济效益。另外，本发明通过在主栅线上设置多个结点，提高了主栅线与硅片之间的连接强度，解决了因主栅线的连接段宽度减小而导致主栅线与硅片之间连接强度减小甚至易脱落的问题。
-
公开(公告)号：CN102433190A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110325955.0
申请日：2011-10-24
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
IPC分类号： C10M159/00 , C10M159/02
摘要： 本发明公开了一种金刚石线切割液及其制备方法，通过采用多酚类化合物添加入PG切割液中，可起到清除多线切割过程中少量PG裂解产生的自由基的作用，阻止发生自由基链式反应，从而稳定整体PG组成成分。本发明设计合理、使用过程简单、操作方便、使用效果好且实用价值高，能解决现有硅片切割液存在的污染较严重、污片率较高的缺陷。
-
公开(公告)号：CN102403374A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110351194.6
申请日：2011-11-09
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 一种太阳能电池片，细栅线和主栅线同时设于太阳能电池片正面，太阳能电池片产生的电流由细栅线汇聚到遮光面积小的主栅线，再由主栅线通过汇流带传至另一相邻的太阳能电池片背面的背电极或背电场。由于主栅线遮光面积小，因而可产生更大的电流；每条细栅线与至少一条主栅线连接，电池片产生的电流可以从长度最短的细栅线传递至主栅线，电极上的电能损耗小，提高了电池片的电能利用率。本发明避免了在太阳能电池片上开设导电孔，减少导电孔加工工序，不需要填充昂贵的导电浆料和在电池片背面繁复地电极连线，在降低制造成本的同时保持了与高效太阳能电池相当的光电转换效率。本发明还提供了使用该太阳能电池片的太阳能电池串和太阳能电池组件。
-
公开(公告)号：CN102358953A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110300886.8
申请日：2011-09-28
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种减少粘埚的坩埚及其制备方法。本发明坩埚包括：本体和氮化硅层，本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，氮化硅层附着在本体侧壁朝向收容空间的一面，本体侧壁在距本体底座第一高度和第二高度之间的位置沿本体侧壁一周设置有防脱落层，第二高度高于第一高度，氮化硅层通过防脱落层附着在本体侧壁。本发明产品能够显著地减少粘埚现象的发生，从而提高硅锭的质量。本发明方法合理易行，相对现有技术中将氮化硅层整体加厚的方法，本发明有效控制了生产成本，适于大规模工业化生产和使用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
362 条记录 (耗时 0.035 秒)
