公开(公告)号：CN104576419A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410240283.7

申请日：2014-05-30

申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 方丁玉 ,  潘明 ,  孙志军

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/4814

摘要： 本发明公开了一种CELL芯片的生产工艺，包括以下步骤，(1)根据需要设定原料的厚度、直径，对原材料进行预镀，(2)根据CELL结构次序组装，运用真空焊接炉焊接，制成半成品，(3)将焊接完成材料经混酸处理，晶粒腐蚀到文件要求范围，(4)酸洗后材料经电镀，在铜粒表面形成金属保护层，设定好镀层厚度，以保证材料后续可焊性，(5)电镀后材料需经清洗烘干后，用相应治具上绝缘保护胶。再经固化工艺，促使绝缘保护胶完全固化，(6)固化好材料经人工抛光，下料，剔除外观不良品，(7)测试产品的各项电性，剔除不良品，该生产工艺制作的产品成本低，且具有良好的电热性能。

公开(公告)号：CN104046989A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410251376.X

申请日：2014-06-06

申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 方丁玉 ,  王秋旭 ,  刘颖 ,  陆广兰 ,  王永凤

IPC分类号： C23F3/06 ,  C09G1/18

摘要： 本发明涉及一种电镀锡灌胶产品前处理的新方法，包括：取需要灌胶的产品，抛光，三道水洗，硫酸活化，即得。本发明方法采用低温环境下前处理作业，有效保护了电镀锡灌胶产品胶面和铜材外观的光泽、平整。

公开(公告)号：CN103382565A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310302801.9

申请日：2013-07-18

申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 方丁玉 ,  陈义 ,  王士标 ,  陆敏琴

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D5/10

摘要： 本发明涉及一种黄铜铸件的镀铜方法，所述方法包括：将黄铜铸件放入盛有电镀液的电镀槽进行电镀处理20～30min，获得镀铜的黄铜铸件；1L所述电镀液中包含：60～70克CuCN、80～100克KCN、18～22克KNaC4H4O6﹒4H2O、8～12克NaOH；所述电镀液pH大于12；电镀槽的槽温为15～25℃，电镀处理所用电流为90A～110A。本发明还涉及一种黄铜铸件的电镀方法：步骤1，对黄铜铸件进行镀铜处理；步骤2，对所述镀铜的黄铜铸件进行镀银处理。本发明在黄铜表面电镀一层铜（电解铜），其致密性高，附着力好，同时阻断了内层铜离子和锌的跃迁，改善了表面状况，提高了黄铜铸件产品的整体稳定性。

公开(公告)号：CN118571755A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410681881.1

申请日：2024-05-29

申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 贾健 ,  郭静静

IPC分类号： H01L21/3105 ,  B23K26/364

摘要： 本发明公开一种半导体器件的玻璃钝化方法，涉及晶粒加工方法技术领域，包括以下步骤：S 1：氧化：将硅片放置于氧化炉中进行氧化，形成氧化硅片；S2：激光开槽：采用激光对氧化硅片的硼面进行加工，得到切割硅片；S3：腐蚀：将切割硅片放入腐蚀液中进行腐蚀，然后采用纯水进行冲洗得到腐蚀硅片；S4：电泳：将腐蚀硅片放置于电泳液中进行电泳，得到电泳硅片；S5：熔凝：将电泳硅片放置于熔凝炉中进行凝固，最后得到成品。本发明解决了现有钝化工艺产生的鸟嘴易产生尖角，从而导致晶粒打火的现象的技术问题。

公开(公告)号：CN109482779B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201811606743.8

申请日：2018-12-26

申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 吉琦

IPC分类号： B21F1/00 ,  B21F11/00 ,  B21F23/00 ,  B21C51/00 ,  B07C5/34 ,  B07C5/36

摘要： 本发明公开一种自动成型测试装管机，包括机台、上料机构、引脚切断机构、折弯成型机构、测试筛选机构和轨道，机台的加工面分为水平工作面和倾斜工作面，上料机构安装在水平工作面上，轨道安装在倾斜工作面上，引脚切断机构、折弯成型机构、测试筛选机构间隔安装在倾斜工作面上，本发明解决了现有技术中电子器件加工设备缺乏自动上料，自动加工的技术问题。

公开(公告)号：CN110517979B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201910886022.5

申请日：2019-09-18

申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 强红娣 ,  王秋旭

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明公开一种矩阵式整流电子产品的预加热装置，包括底部支架、下加热平台和上加热平台，下加热平台通过螺栓安装在底部支架上，且下加热平台上设置有加热棒，下加热平台的四角均固定安装有导向柱，上加热平台滑动安装在导向柱上，底部支架下方竖直安装有升降气缸，升降气缸的活塞杆穿过下加热平台后与上加热平台的底部连接，本发明还公开一种矩阵式整流电子产品的生产方法，通过预加热装置进行分段加热，本发明解决了现有技术中预热方式会影响电子产品性能的技术问题。

公开(公告)号：CN116179043A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310065080.8

申请日：2023-01-30

申请人： 南昌航空大学 ,  扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 殷祚炷 ,  李敏 ,  薛名山 ,  李晨

IPC分类号： C09D153/02 ,  C09D187/00 ,  C09D7/61 ,  C09D7/65 ,  C08G83/00 ,  B63B1/34 ,  B05D1/02 ,  B05D5/00

摘要： 本发明公开了一种超疏水减阻涂层、其制备方法和应用，其制备方法包括如下步骤：S1、将微米二氧化硅和纳米ZIF‑8加入SEBS溶液，混合均匀；S2、将步骤S1制得的混合液喷涂于基底上，即得所述超疏水减阻涂层；其中，所述微米二氧化硅、所述纳米ZIF‑8和所述SEBS的用量的质量比为(1.2～2.4)：(0.3～0.6)：(2.4～3)。本发明制备的涂层接触角可达168.34°，最大减阻率为38％，具有优异的超疏水性能和减阻性能。且本发明制备的涂层具有优良的稳定性，使得在长期服役过程中涂层不易破裂脱落。

公开(公告)号：CN112934741B

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202110108205.1

申请日：2021-01-27

申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 林俊 ,  陈亮 ,  贾美玲

IPC分类号： B07C5/34

摘要： 本发明公开一种二极管筛选方法及系统，包括以下步骤：步骤S1：对待检测件进行检测，形成特征曲线图；步骤S2：捕捉步骤S1中的特征曲线图，将该特征曲线图传输至检测系统中；步骤S3：在检测系统中输入预设值，检测系统将特征曲线图中的参数信息与预设值进行比对以完成筛选。本发明还公开实现该方法的系统，本发明解决了现有技术中二极管检测不准确的技术问题。

公开(公告)号：CN114023638B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202111289197.1

申请日：2021-11-02

申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 贾健 ,  陈宏胤 ,  杜凤

IPC分类号： H01L21/228

摘要： 本发明涉及一种去除硅片磷扩散后反型层的方法，属于硅片生产技术领域。本发明中采用碱液腐蚀替代原有的喷砂技术去除硅片表面的磷扩散反型层，碱液腐蚀可以有效减少去除过程中对硅片表面造成的机械损伤，避免缺角、破裂及暗伤现象的出现，并且在之后的硼扩步骤中增加扩散时间，以提高硼扩结深，提高产品品质。

公开(公告)号：CN115612331A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211254187.9

申请日：2022-10-13

申请人： 南昌航空大学 ,  扬州虹扬科技发展有限公司

发明人： 殷祚炷 ,  刘凯元 ,  薛名山 ,  罗健雄

IPC分类号： C09D5/16 ,  B05D5/00

摘要： 本发明公开了一种复合铁基非晶纳米晶膜、其制备方法和应用，该制备方法包括如下步骤：S1、将非磁性纳米颗粒、有机溶剂、胶粘剂、偶联剂超声混合，得到涂料；S2、将步骤S1制得的涂料附着于铁基非晶纳米晶薄膜上，干燥即得。本发明在铁基非晶纳米晶薄膜表面构筑微纳粗糙结构，并通过偶联剂提高纳米颗粒的分散程度并降低疏水表面的表面能，制备工艺简单、便捷、成本低、对环境影响小，反应条件温和，对反应设备要求低，可大规模生产。