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公开(公告)号：CN110875368A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910818431.1
申请日：2019-08-30
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 本公开涉及有机发光二极管(OLED)显示器和用于制造有机发光二极管显示器的方法。根据示例性实施例的OLED显示器包括：基底；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述基底上；以及栅极布线，所述栅极布线设置在所述栅极绝缘层上，并且所述栅极布线包括栅电极，其中，所述栅极布线包括铝或铝合金的单层，并且由所述栅极布线的侧表面和所述栅极绝缘层形成的角小于65°。
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公开(公告)号：CN110875365A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910812693.7
申请日：2019-08-30
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 提供一种电子设备。所述电子设备包括：基体基底，包括彼此面对的前表面和后表面，并且在基体基底中限定有穿透前表面和后表面的模块孔；薄膜晶体管，设置在基体基底上；发光器件，包括连接到薄膜晶体管的第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光图案；封装层，覆盖发光器件；输入感测单元，设置在基体基底上，并且包括多个第一导电图案和设置在多个第一导电图案上的多个第二导电图案；以及绝缘层，设置在多个第一导电图案与多个第二导电图案之间。封装层设置在多个第一导电图案与多个第二导电图案之间。
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公开(公告)号：CN110854155A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910692812.X
申请日：2019-07-30
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 公开了一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。所述有机发光二极管显示装置包括像素电极、像素限定层、有机发射层和对电极。像素限定层包括使像素电极部分地暴露的开口。有机发射层设置在像素电极上。有机发射层设置在开口中。对电极设置在有机发射层上。对电极与像素电极相对。像素限定层包括第一像素限定层和第二像素限定层。第一像素限定层设置在像素电极上，并包括无机材料。第二像素限定层设置在第一像素限定层上，并包括有机材料。第一像素限定层的最靠近开口的侧壁与第二像素限定层的最靠近开口的侧壁对准。
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公开(公告)号：CN110660826A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910552826.1
申请日：2019-06-25
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 提供了显示面板和包括显示面板的显示装置。所述显示面板包括基底，所述基底具有开口区域和至少部分地围绕开口区域的显示区域。显示元件布置在显示区域中。显示元件包括像素电极、对电极和置于像素电极与对电极之间的中间层。多层膜包括在基底与像素电极之间的第一绝缘层和位于第一绝缘层上的具有不同材料的第二绝缘层。薄膜封装层覆盖显示元件并且包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。所述多层膜包括设置在开口区域与显示区域之间的第一凹槽。第一凹槽具有底切结构，在所述底切结构中，第一凹槽的下宽度大于第一凹槽的上宽度。
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公开(公告)号：CN106898551A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201611186007.2
申请日：2016-12-20
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2201/123 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1262 , H01L27/1288 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L2029/42388 , H01L2227/323 , H01L29/66742 , G02F1/1362 , H01L21/28008 , H01L27/3244 , H01L29/42364
摘要： 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置。其中制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体；在基板上层叠绝缘层和金属层以覆盖氧化物半导体；在金属层上形成光敏图案；通过使用光敏图案作为掩模蚀刻金属层而形成栅电极，其中栅电极的一部分交叠氧化物半导体的第一氧化物半导体区域；通过使用光敏图案作为掩模来部分地蚀刻绝缘层而形成栅绝缘膜，其中栅绝缘膜包括在光敏图案下面的具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；以及在栅绝缘膜上执行等离子体处理以使得氧化物半导体的在第二绝缘区域下面的第二氧化物半导体区域变得导电。
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公开(公告)号：CN104733538A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410737738.6
申请日：2014-12-04
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606
摘要： 本发明提供薄膜晶体管、显示基板和制造显示基板的方法。该薄膜晶体管包括：栅极电极；有源图案，在栅极电极上方并且包括氧化物半导体；蚀刻停止层，覆盖有源图案；源极电极，在蚀刻停止层上；漏极电极，在蚀刻停止层上并且与源极电极间隔开；以及有源保护图案，在蚀刻停止层与有源图案之间并且电联接到源极电极和漏极电极。
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公开(公告)号：CN109599331B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201811011271.1
申请日：2018-08-31
申请人： 三星显示有限公司 , 高丽大学校世宗产学协力团
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L21/77
摘要： 本发明涉及铜等离子体蚀刻方法以及显示面板制造方法。根据示例性实施方式的铜等离子体蚀刻方法包括：将基板放置在等离子体蚀刻设备的处理室中的基座上；将包括氯化氢的蚀刻气体供应到处理室中；等离子体蚀刻在基板中的含有铜的导电层；以及在等离子体蚀刻期间将基座的温度保持在10℃或更低。
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公开(公告)号：CN112352332B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201880095019.5
申请日：2018-12-21
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/124 , H10K71/16
摘要： 提供了一种制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括：在包括晶体管区域和电容器区域的基底上形成与晶体管区域对应的下电极图案，并在包括下电极图案的基底上形成缓冲层；在缓冲层上形成包括氧化物半导体层的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成包括具有不同深度的第一孔和第二孔的光致抗蚀剂膜图案；以及使用光致抗蚀剂膜图案，同时形成暴露下电极图案的第一接触孔和暴露氧化物半导体层的第二接触孔。
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公开(公告)号：CN109119546B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201810161649.X
申请日：2018-02-27
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 提供了发光器件以及制造具有该发光器件的显示面板的方法。所述发光器件可以包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发光层。第一电极可以包括反射层和设置在反射层上的金属氧化物层。金属氧化物层可以设置在反射层与发光层之间。金属氧化物层可以包括二氧化钼和第V族元素的氧化物，第V族元素的含量相对于金属氧化物层的总量可以在2at％至10at％范围内。
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