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公开(公告)号：CN110034149B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201811486651.0
申请日：2018-12-06
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 公开了一种发光二极管器件，所述发光二极管器件包括：薄膜晶体管基底，具有多个发光区域；第一电极和第二电极，位于薄膜晶体管基底上；第一钝化图案，位于第一电极与第二电极之间；多个微型发光二极管，位于第一钝化图案上；第一桥接图案，位于微型发光二极管上并且将第一电极电连接到微型发光二极管；以及第二桥接图案，位于第一桥接图案上并且将第二电极电连接到微型发光二极管，其中，每个微型发光二极管的每个侧壁与第一钝化图案的每个侧壁形成同一平面。
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公开(公告)号：CN117594409A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311049434.6
申请日：2023-08-18
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 公开了一种等离子体后处理设备，等离子体后处理设备包括：腔室；台，设置在腔室内部，其中，台上将设置工作基底；扩散器，扩散器中的每个的宽度在远离工作基底的方向上增大，并且扩散器中的每个具有孔并且设置在台上方；传送管道，分别连接到扩散器；以及等离子体产生器，分别连接到供应工艺气体的管道并且分别连接到传送管道，并且限定在扩散器之中的设置在工作基底的中心处的扩散器中的孔的直径小于限定在扩散器之中的剩余的扩散器中的每个中的孔的直径。
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公开(公告)号：CN110854303A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910769913.2
申请日：2019-08-20
申请人： 三星显示有限公司 , 浦项工科大学校产学协力团
摘要： 本公开涉及一种显示装置及其制造方法，所述制造方法可包括以下步骤：在基底上形成晶体管；在所述晶体管上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成包括银的导电层；在所述导电层上形成感光构件；通过蚀刻所述导电层形成发光元件的电极；对包括所述电极的结构执行等离子体处理，所述等离子体处理使用包括卤素的气体；以及去除由所述等离子体处理导致的产物。
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公开(公告)号：CN103811499B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201310426516.8
申请日：2013-09-18
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： H01L27/1259 , G02F1/134363 , G02F1/136227 , H01L27/124 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678
摘要： 本发明提供了薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括：基板；栅线，每条栅线包括栅极垫；栅绝缘层；数据线和漏电极，每条数据线包括连接到源电极的数据垫；第一钝化层，设置在数据线和漏电极上；第一电场产生电极；第二钝化层，设置在第一电场产生电极上；以及第二电场产生电极。栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分栅极垫的第一接触孔，第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分数据垫的第二接触孔，第一接触孔和第二接触孔中的至少一个具有正锥形结构，该正锥形结构在上侧具有比下侧更宽的区域。
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公开(公告)号：CN103941464A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410032284.2
申请日：2014-01-23
申请人： 三星显示有限公司
发明人： 朴俊龙 , 金湘甲 , 郑敞午 , 姜兑昊 , 金暻鍱 , 金瓘河 , 金柄范 , 寗洪龙 , 申相原 , 杨受京 , 呂伦钟 , 李东敏 , 崔新逸 , 姜贤株 , 孙尚佑 , 孙正河 , 丁有光 , 赵国来 , 黄珍皓
IPC分类号： G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F2001/133548 , G02F2001/13629 , G02F2201/38
摘要： 一种显示装置，包括：背光组件，产生光；和显示面板，接收该光以显示图像。显示面板包括：第一基板；第二基板，面对第一基板并设置得比第一基板更靠近背光组件；栅线，设置在第一基板上；数据线，设置在栅线上并与栅线绝缘；薄膜晶体管，设置在第一基板上并电连接到栅线和数据线；以及反射防止层，设置在第一基板与栅线之间以减少被栅线反射的反射光的量。
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公开(公告)号：CN103838040A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310388992.5
申请日：2013-08-30
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： G02F1/1341 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/1341 , G02F1/133345
摘要： 本发明提供一种液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器包括：基板；薄膜晶体管，形成在基板上；像素电极，与薄膜晶体管的端子连接；微腔，形成在像素电极之上，该微腔包括形成在微腔的边缘处的液晶注入孔；支撑构件，形成在微腔之上；第一疏水层，形成在支撑构件的边缘部分上；以及覆盖层，形成在支撑构件上，覆盖层覆盖液晶注入孔。
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公开(公告)号：CN109473456B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811037250.7
申请日：2018-09-06
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H10K59/121
摘要： 提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在基底上以彼此间隔开；以及显示单元，电连接到第一晶体管，其中，第一晶体管包括含有晶体硅的第一半导体层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，其中，第二晶体管包括含有氧化物半导体的第二半导体层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，并且其中，第二栅电极包括：第一层，设置在绝缘层上并包括钼；第二层，设置在第一层上并包括钛；以及第三层，设置在第二层上并包括钼。
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公开(公告)号：CN114267572A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111037766.3
申请日：2021-09-06
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 提供了一种蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法，所述蚀刻装置包括：腔室；台，设置在腔室中，并且目标基底装载在台上；气体分布单元，在腔室中设置为面对台；多个等离子体产生模块，设置在腔室上方；气体供应单元，将气体供应到腔室中；气体线路，将气体供应单元和多个等离子体产生模块连接；以及多个气体入口管，每个气体入口管包括连接到多个等离子体产生模块中的对应的等离子体产生模块的一端和连接到气体分布单元的另一端。
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