发光二极管器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110034149B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN201811486651.0

    申请日:2018-12-06

    IPC分类号: H01L27/15

    摘要: 公开了一种发光二极管器件,所述发光二极管器件包括:薄膜晶体管基底,具有多个发光区域;第一电极和第二电极,位于薄膜晶体管基底上;第一钝化图案,位于第一电极与第二电极之间;多个微型发光二极管,位于第一钝化图案上;第一桥接图案,位于微型发光二极管上并且将第一电极电连接到微型发光二极管;以及第二桥接图案,位于第一桥接图案上并且将第二电极电连接到微型发光二极管,其中,每个微型发光二极管的每个侧壁与第一钝化图案的每个侧壁形成同一平面。

    等离子体后处理设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117594409A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311049434.6

    申请日:2023-08-18

    摘要: 公开了一种等离子体后处理设备,等离子体后处理设备包括:腔室;台,设置在腔室内部,其中,台上将设置工作基底;扩散器,扩散器中的每个的宽度在远离工作基底的方向上增大,并且扩散器中的每个具有孔并且设置在台上方;传送管道,分别连接到扩散器;以及等离子体产生器,分别连接到供应工艺气体的管道并且分别连接到传送管道,并且限定在扩散器之中的设置在工作基底的中心处的扩散器中的孔的直径小于限定在扩散器之中的剩余的扩散器中的每个中的孔的直径。

    液晶显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN103838040A

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201310388992.5

    申请日:2013-08-30

    IPC分类号: G02F1/1341 G02F1/1333

    CPC分类号: G02F1/1341 G02F1/133345

    摘要: 本发明提供一种液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器包括:基板;薄膜晶体管,形成在基板上;像素电极,与薄膜晶体管的端子连接;微腔,形成在像素电极之上,该微腔包括形成在微腔的边缘处的液晶注入孔;支撑构件,形成在微腔之上;第一疏水层,形成在支撑构件的边缘部分上;以及覆盖层,形成在支撑构件上,覆盖层覆盖液晶注入孔。

    显示装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109473456B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN201811037250.7

    申请日:2018-09-06

    IPC分类号: H10K59/121

    摘要: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底;第一晶体管和第二晶体管,设置在基底上以彼此间隔开;以及显示单元,电连接到第一晶体管,其中,第一晶体管包括含有晶体硅的第一半导体层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极,其中,第二晶体管包括含有氧化物半导体的第二半导体层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极,并且其中,第二栅电极包括:第一层,设置在绝缘层上并包括钼;第二层,设置在第一层上并包括钛;以及第三层,设置在第二层上并包括钼。

    蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法

    公开(公告)号:CN114267572A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111037766.3

    申请日:2021-09-06

    IPC分类号: H01J37/32 H01L21/67 H01L51/56

    摘要: 提供了一种蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法,所述蚀刻装置包括:腔室;台,设置在腔室中,并且目标基底装载在台上;气体分布单元,在腔室中设置为面对台;多个等离子体产生模块,设置在腔室上方;气体供应单元,将气体供应到腔室中;气体线路,将气体供应单元和多个等离子体产生模块连接;以及多个气体入口管,每个气体入口管包括连接到多个等离子体产生模块中的对应的等离子体产生模块的一端和连接到气体分布单元的另一端。