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公开(公告)号：CN117393568A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311461568.9
申请日：2017-04-27
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 一种晶体管阵列面板包括：基底；第一导电层，在基底上；缓冲层，位于第一导电层上，其中，缓冲层在第一导电层上具有第一接触孔；半导体层，位于缓冲层上；绝缘层，在半导体层上；第二导电层，位于绝缘层上，其中，第二导电层的边缘与绝缘层的边缘大致对准。中间绝缘层，位于第二导电层之上，其中，中间绝缘层具有第二接触孔和第三接触孔，并且中间绝缘层与半导体层直接接触，并且其中，第三接触孔与第一接触孔对准；以及第三导电层，位于中间绝缘层上，其中，第三导电层通过第一接触孔和第三接触孔与第一导电层接触并且第三导电层通过第二接触孔与半导体层接触。
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公开(公告)号：CN107799566B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201710800532.7
申请日：2017-09-07
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H10K59/131 , H10K71/00 , G02F1/1362
摘要： 本发明涉及显示装置以及用于制造该显示装置的方法。根据本发明的示例性实施方式的显示装置包括：基板；提供在所述基板上且彼此绝缘的栅极线和数据线；与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极，其中所述栅极线和所述数据线中的至少一个包括金属层和与所述金属层接触的阻挡层，并且所述阻挡层包括来自包括钼(Mo)和钨(W)的第一组的第一金属，来自包括钒(V)、铌(Nb)、锆(Zr)和钽(Ta)的第二组的第二金属，以及氧(O)。
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公开(公告)号：CN108231837B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201711337681.0
申请日：2017-12-14
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H10K59/12 , H10K59/131 , H01L27/12
摘要： 提供了一种显示装置。所述显示装置包括薄膜晶体管、栅极绝缘层、层间绝缘层、数据线、间隔件和像素电极。薄膜晶体管包括半导体层和栅电极。半导体层包括位于沟道区的相应侧上的源区和漏区。栅极绝缘层位于半导体层与栅电极之间。层间绝缘层覆盖薄膜晶体管。数据线经由穿过栅极绝缘层和层间绝缘层的孔来接触半导体层。间隔件位于孔的内壁上并且接触数据线。像素电极电连接到薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN115513258A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210722763.1
申请日：2022-06-21
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本公开涉及布线衬底和包括该布线衬底的显示装置。显示装置具有显示区域和设置在显示区域的一侧上的焊盘区域，显示装置包括：衬底；多个导电层，在衬底上并包括在显示区域和焊盘区域中的布线和导电图案；通路层，在多个导电层上；第一电极和第二电极，在显示区域中在通路层上并且彼此间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；多个发光元件，在第一电极和第二电极上且在第一绝缘层上彼此间隔开；第一连接电极，在第一电极上并与多个发光元件电接触，以及第二连接电极，在第二电极上并与多个发光元件电接触，多个导电层中的每个包括第一金属层和在第一金属层上的第二金属层，并且第二金属层包括铜且具有约155nm或更小的晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN115513252A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210434603.7
申请日：2022-04-24
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 本发明涉及显示设备和制造其的方法。该显示设备具有降低的缺陷率并且包括：像素电极；设置在像素电极上的相对电极；以及设置在像素电极和相对电极之间的中间层，其中像素电极包括：包括第一金属的反射层；设置在反射层上的透明层；以及设置在反射层和透明层之间的第一隔离层。第一隔离层包括不同于第一金属的第二金属的氧化物。
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公开(公告)号：CN114256328A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111431829.3
申请日：2016-12-20
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/786 , H01L27/32 , G02F1/1362
摘要： 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置。其中制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体；在基板上层叠绝缘层和金属层以覆盖氧化物半导体；在金属层上形成光敏图案；通过使用光敏图案作为掩模蚀刻金属层而形成栅电极，其中栅电极的一部分交叠氧化物半导体的第一氧化物半导体区域；通过使用光敏图案作为掩模来部分地蚀刻绝缘层而形成栅绝缘膜，其中栅绝缘膜包括在光敏图案下面的具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；以及在栅绝缘膜上执行等离子体处理以使得氧化物半导体的在第二绝缘区域下面的第二氧化物半导体区域变得导电。
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公开(公告)号：CN109473456A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811037250.7
申请日：2018-09-06
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在基底上以彼此间隔开；以及显示单元，电连接到第一晶体管，其中，第一晶体管包括含有晶体硅的第一半导体层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，其中，第二晶体管包括含有氧化物半导体的第二半导体层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，并且其中，第二栅电极包括：第一层，设置在绝缘层上并包括钼；第二层，设置在第一层上并包括钛；以及第三层，设置在第二层上并包括钼。
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公开(公告)号：CN108231837A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711337681.0
申请日：2017-12-14
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 提供了一种显示装置。所述显示装置包括薄膜晶体管、栅极绝缘层、层间绝缘层、数据线、间隔件和像素电极。薄膜晶体管包括半导体层和栅电极。半导体层包括位于沟道区的相应侧上的源区和漏区。栅极绝缘层位于半导体层与栅电极之间。层间绝缘层覆盖薄膜晶体管。数据线经由穿过栅极绝缘层和层间绝缘层的孔来接触半导体层。间隔件位于孔的内壁上并且接触数据线。像素电极电连接到薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN107799566A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710800532.7
申请日：2017-09-07
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L29/78633 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1262 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H01L2227/323 , H01L2251/5315 , H01L2251/533
摘要： 本发明涉及显示装置以及用于制造该显示装置的方法。根据本发明的示例性实施方式的显示装置包括：基板；提供在所述基板上且彼此绝缘的栅极线和数据线；与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极，其中所述栅极线和所述数据线中的至少一个包括金属层和与所述金属层接触的阻挡层，并且所述阻挡层包括来自包括钼(Mo)和钨(W)的第一组的第一金属，来自包括钒(V)、铌(Nb)、锆(Zr)和钽(Ta)的第二组的第二金属，以及氧(O)。
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