显示装置
    1.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN109473456A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811037250.7

    申请日:2018-09-06

    IPC分类号: H01L27/32

    摘要: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底;第一晶体管和第二晶体管,设置在基底上以彼此间隔开;以及显示单元,电连接到第一晶体管,其中,第一晶体管包括含有晶体硅的第一半导体层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极,其中,第二晶体管包括含有氧化物半导体的第二半导体层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极,并且其中,第二栅电极包括:第一层,设置在绝缘层上并包括钼;第二层,设置在第一层上并包括钛;以及第三层,设置在第二层上并包括钼。

    发光二极管器件
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110034149B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN201811486651.0

    申请日:2018-12-06

    IPC分类号: H01L27/15

    摘要: 公开了一种发光二极管器件,所述发光二极管器件包括:薄膜晶体管基底,具有多个发光区域;第一电极和第二电极,位于薄膜晶体管基底上;第一钝化图案,位于第一电极与第二电极之间;多个微型发光二极管,位于第一钝化图案上;第一桥接图案,位于微型发光二极管上并且将第一电极电连接到微型发光二极管;以及第二桥接图案,位于第一桥接图案上并且将第二电极电连接到微型发光二极管,其中,每个微型发光二极管的每个侧壁与第一钝化图案的每个侧壁形成同一平面。

    显示设备
    5.
    发明公开
    显示设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN113903292A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202110635809.1

    申请日:2021-06-08

    IPC分类号: G09G3/32

    摘要: 本申请涉及显示设备。该显示设备包括:衬底;第一电路部分和第二电路部分,在衬底上并且在第一方向上彼此隔开;以及发射部分,在第一电路部分和第二电路部分之间,发射部分在平行于衬底的方向上位于第一电路部分和第二电路部分之间,其中,第一电路部分包括延伸至发射部分的第一电极,其中,第二电路部分包括延伸至发射部分的第二电极,以及其中,发射部分包括位于第一电极和第二电极之间的发光元件。

    显示装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109473456B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN201811037250.7

    申请日:2018-09-06

    IPC分类号: H10K59/121

    摘要: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底;第一晶体管和第二晶体管,设置在基底上以彼此间隔开;以及显示单元,电连接到第一晶体管,其中,第一晶体管包括含有晶体硅的第一半导体层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极,其中,第二晶体管包括含有氧化物半导体的第二半导体层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极,并且其中,第二栅电极包括:第一层,设置在绝缘层上并包括钼;第二层,设置在第一层上并包括钛;以及第三层,设置在第二层上并包括钼。

    显示装置
    7.
    发明公开
    显示装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN110246847A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910176154.9

    申请日:2019-03-08

    IPC分类号: H01L27/12 H01L27/32

    摘要: 本公开涉及一种显示装置,所述显示装置包括:半导体层,所述半导体层在基底上;栅极绝缘层和层间绝缘层,所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层与所述半导体层重叠;接触孔,所述接触孔穿过所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层;源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极通过所述接触孔与所述半导体层电连接;发光二极管,所述发光二极管与所述漏电极连接;以及第一间隔件和第二间隔件,所述第一间隔件和所述第二间隔件在所述接触孔中在所述源电极和所述层间绝缘层之间并且在所述漏电极和所述层间绝缘层之间。

    发光二极管器件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110034149A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201811486651.0

    申请日:2018-12-06

    IPC分类号: H01L27/15

    摘要: 公开了一种发光二极管器件,所述发光二极管器件包括:薄膜晶体管基底,具有多个发光区域;第一电极和第二电极,位于薄膜晶体管基底上;第一钝化图案,位于第一电极与第二电极之间;多个微型发光二极管,位于第一钝化图案上;第一桥接图案,位于微型发光二极管上并且将第一电极电连接到微型发光二极管;以及第二桥接图案,位于第一桥接图案上并且将第二电极电连接到微型发光二极管,其中,每个微型发光二极管的每个侧壁与第一钝化图案的每个侧壁形成同一平面。