薄膜晶体管、晶体管阵列基底和制造其的方法

    公开(公告)号:CN117855285A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311209781.0

    申请日:2023-09-19

    摘要: 本公开涉及一种薄膜晶体管、一种晶体管阵列基底和一种制造晶体管阵列基底的方法。所述薄膜晶体管包括:有源层,设置在基底上并且包括沟道区、与所述沟道区的一侧连接的源极区、以及与所述沟道区的另一侧连接的漏极区;栅极绝缘层,在所述有源层的所述沟道区上;以及栅极电极,在所述栅极绝缘层上。所述栅极电极的每个侧表面的相对于所述栅极绝缘层与所述栅极电极之间的边界表面的坡度角是钝角(基本上钝角)。所述栅极绝缘层的每个侧表面的相对于所述栅极绝缘层与所述栅极电极之间的所述边界表面的坡度角是钝角(基本上钝角)。

    沉积装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107916403B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN201710907176.9

    申请日:2017-09-29

    IPC分类号: C23C14/34 C23C14/54

    摘要: 本发明涉及一种沉积装置,其能够使材料均匀地沉积至基板上。根据本发明的实施例的沉积装置具备:多个阴极,位于腔室内;托盘,位于所述阴极的一侧,用于固定基板;阳极,与所述阴极相邻而布置,以预定角度进行旋转的同时向所述基板侧供应氧气。

    显示装置及其制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111293125B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN201911144581.5

    申请日:2019-11-20

    发明人: 孙尚佑 申相原

    摘要: 提供了一种显示装置和制造所述显示装置的方法。所述显示装置包括半导体构件、第一栅电极、像素电极和公共电极。所述半导体构件包括源极区、漏极区以及在所述源极区和所述漏极区之间的沟道区。所述第一栅电极包括第一栅极阻挡层、第二栅极阻挡层和栅极金属层。所述第一栅极阻挡层与所述沟道区重叠。所述第一栅极阻挡层的氧化物材料与所述半导体构件的氧化物材料相同。所述第二栅极阻挡层包括金属氧化物合金,并且位于所述第一栅极阻挡层和所述栅极金属层之间。所述像素电极电连接到所述漏极区。所述公共电极与所述像素电极重叠。

    沉积装置及利用该装置的沉积方法

    公开(公告)号:CN108070830B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN201711034759.1

    申请日:2017-10-30

    发明人: 孙尚佑 申相原

    IPC分类号: C23C14/32

    摘要: 本发明涉及一种可以使沉积物质均匀分布的沉积装置及利用该装置的沉积方法。根据本发明的实施例的沉积装置具有:空腔板,位于腔室的内部;基板支撑台,在所述腔室的内部布置成与所述空腔板对向;以及多个阳极,可旋转地布置于所述空腔板与所述基板支撑台之间,其中,所述阳极具有杆状,且垂直于长度方向的截面具有长方形的形状。

    薄膜晶体管、具有其的显示面板以及制造显示面板的方法

    公开(公告)号:CN112310157A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010716312.8

    申请日:2020-07-23

    IPC分类号: H01L27/32

    摘要: 本申请涉及薄膜晶体管、显示面板和制造显示面板的方法。该显示面板包括:基层;第一薄膜晶体管,在基层上;第二薄膜晶体管,电联接至第一薄膜晶体管;以及发光元件,电联接至第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括在基层上的第一半导体图案、在第一半导体图案上且包括镓(Ga)氧化物和锌(Zn)氧化物的第一阻挡图案、以及在第一阻挡图案上且与第一半导体图案重叠的第一控制电极。因此,可以改善显示面板的信号传输速度,并且可以改善显示面板中所包括的薄膜晶体管的电特性和可靠性。

    溅射装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106854753A

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201611128345.0

    申请日:2016-12-09

    IPC分类号: C23C14/35

    CPC分类号: C23C14/352 C23C14/3407

    摘要: 本发明提供一种溅射装置。本发明一实施例的溅射装置包括:工艺腔室;溅射靶,设置于所述工艺腔室的内部;基板架,与所述溅射靶相对配置,用于支撑待沉积溅射靶物质的基板;以及溅射靶驱动部,以使所述溅射靶倾斜的方式旋转驱动所述溅射靶。

    溅射装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106319461B

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201511026395.3

    申请日:2015-12-31

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明公开一种溅射装置,根据示例性的实施例的溅射装置包括:具有阴极极性的靶单元;布置在基板和靶单元之间,并具有阳极极性的阳极部;使阳极部旋转的电机部;以及与阳极部的内部空间连通而向阳极部供应第一冷却流体的流体供应部。根据示例性实施例,可以减少阳极棒的弯曲现象,因此可以减少阳极棒和靶单元之间可能发生的电弧(arcing)现象,并可以减少为清洗或更换阳极棒而中断工序所导致的生产性下降。