公开(公告)号：CN109935611A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811421803.9

申请日：2018-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： H·柳 ,  沈成铉 ,  延智慧 ,  金容一 ,  李东建

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62

Abstract: 一种发光器件封装件包括：发光单元阵列，所述发光单元阵列包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，并且包括第一表面和设置为与所述第一表面相对的第二表面；多个金属柱，其设置在发光单元阵列的第一表面上并且电连接至第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；以及模塑部分，其包封所述发光单元阵列和所述多个金属柱，其中，所述多个金属柱包括导电层和设置在所述导电层下方的接合层，所述接合层与所述导电层之间的界面高于模塑部分的下表面。

公开(公告)号：CN106206862B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610357748.6

申请日：2016-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南煹 ,  林完泰 ,  金容一 ,  卢慧锡 ,  申珢珠 ,  沈成铉 ,  H·柳

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/58 ,  F21K9/237 ,  F21K9/275 ,  F21S8/026 ,  F21V23/005 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：发光结构，其包括分别提供发光结构的彼此面对的第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区中；透明支承衬底，其布置在第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间。

公开(公告)号：CN107393937A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710284843.2

申请日：2017-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容一 ,  林完泰 ,  崔荣进 ,  沈成铉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50

Abstract: 一种发光器件封装包括：单元阵列，包括多个半导体发光单元，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述多个半导体发光单元中的每一个具有依次堆叠的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。所述发光器件封装还可以包括：多个波长转换单元，设置在单元阵列的第一表面上，以分别对应于所述多个半导体发光单元，每个波长转换单元被配置为将由所述多个半导体发光单元中的相应半导体发光单元发射的一定波长的光转换为不同波长的光；分隔结构，设置在所述多个波长转换单元之间的空间中；以及多个开关单元，在所述分隔结构内与所述多个波长转换单元间隔开，并且电连接到所述多个半导体发光单元。

公开(公告)号：CN106206862A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610357748.6

申请日：2016-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南煹 ,  林完泰 ,  金容一 ,  卢慧锡 ,  申珢珠 ,  沈成铉 ,  H·柳

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/58 ,  F21K9/237 ,  F21K9/275 ,  F21S8/026 ,  F21V23/005 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/11 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：发光结构，其包括分别提供发光结构的彼此面对的第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区中；透明支承衬底，其布置在第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间。

公开(公告)号：CN102403430B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110276450.X

申请日：2011-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄省元 ,  高建宇 ,  沈成铉 ,  郑薰在 ,  成汉珪 ,  孙哲守 ,  李镇贤 ,  高炯德

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L29/78684 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046

Abstract: 提供了一种石墨烯发光装置及其制造方法。石墨烯发光装置包括：掺杂有p型掺杂剂的p型石墨烯；掺杂有n型掺杂剂的n型石墨烯；以及布置于p型石墨烯和n型石墨烯之间并发光的活性石墨烯，其中，p型石墨烯、n型石墨烯和活性石墨烯水平放置。